CN102169259B - 薄膜晶体管阵列基板及液晶显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明公开一种薄膜晶体管阵列基板及液晶显示装置。该薄膜晶体管阵列基板包括透明基底以及形成于透明基底上的多条扫描线和多条数据线，多条扫描线和多条数据线交叉限定多个像素区域，每个像素区域包括电性隔离的第一透明电极、第二透明电极以及第三透明电极，第二透明电极包括多个彼此电性连接的条形第二电极部，第三透明电极包括多个彼此电性连接的条形第三电极部，条形第三电极部与条形第二电极部的位置相对应，并且，条形第三电极部的宽度小于条形第二电极部的宽度，当薄膜晶体管阵列基板工作时，在第一透明电极与第二透明电极之间形成第一水平电场，在第三透明电极与第二透明电极之间形成第二水平电场，从而可以提高穿透率。
Description
技术领域
本发明涉及液晶显示领域，特别涉及一种薄膜晶体管阵列基板及具有该薄膜晶体管阵列基板的液晶显示装置。
背景技术
目前薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor Liquid CrystalDisplay，TFT-LCD)因具有低辐射性、厚度薄和耗电低等特点而在平板显示领域占主导地位，已被广泛应用于各种领域。通常当使用者从不同角度观看液晶显示器时，图像的亮度会随着观看角度的增大而降低，从而产生视角限制。为了实现广视角显示，面内切换(In-Plane Switch，IPS)型液晶显示面板以及边缘电场开关(Fringe Field Switching，FFS)型液晶显示面板均已被开发出来。
图1是现有的一种FFS型液晶显示面板的局部平面图，为了图示的清楚起见，省略了其中的彩色滤光片基板；图2是沿图1中A-A线的局部剖面图，为了图示的清楚起见，省略了在彩色滤光片基板上设置的黑矩阵层和色阻层。参照图1和图2所示，现有的FFS型液晶显示面板包括薄膜晶体管阵列基板100、彩色滤光片基板200以及夹于薄膜晶体管阵列基板100与彩色滤光片基板200之间的液晶层300，其中，薄膜晶体管阵列基板100包括透明基底10以及形成于透明基底10上的多条扫描线101和多条数据线102，多条扫描线101和多条数据线102交叉限定多个像素区域。每个像素区域包括位于下层的第一透明电极11以及位于上层的第二透明电极14，第二透明电极14呈条形设置，其中，第一透明电极11为公共电极11，第二透明电极14为像素电极14，每个像素区域还包括用于控制像素电极14的薄膜晶体管103。像素电极14包括多个条形开槽140以及借由多个条形开槽140形成的并且彼此电性连接的多个条形像素电极部142。像素电极14和公共电极11之间隔有栅极绝缘层12和钝化层13。薄膜晶体管103的栅极为对应扫描线101的一部分或与对应的扫描线101电性连接，薄膜晶体管103的源极与对应的数据线102电性连接，薄膜晶体管103的漏极通过位于钝化层13上的通孔C与像素电极14电性连接。
为了降低FFS型液晶显示面板的驱动电压，提高液晶分子的响应速度，FFS型液晶显示面板中的液晶层300通常采用正介电常数异向性液晶分子，然而，现有的FFS型液晶显示面板中存在穿透率低的缺陷。
该FFS型液晶显示面板利用位于上层的像素电极14的条形像素电极部142与位于下层的公共电极11形成边缘电场，边缘电场在条形像素电极部142边缘处的水平方向电场分量最强，另外，由于正介电常数异向性液晶分子受电场影响时倾向平行于电场方向转向，因此，条形像素电极部142边缘处的液晶分子能够在平行于透明基底10的平面内旋转。条形像素电极部142之间区域的液晶分子受到的垂直方向电场分量相对于条形像素电极部142上方区域的液晶分子来说要弱些，而受到的水平方向电场分量相对较强，此外，再加上液晶分子旋转的弹性作用力，使得液晶分子亦会在平行于透明基底10的平面内旋转，因此，该FFS型液晶显示面板对应于条形像素电极部142之间的区域也有较高的穿透率。然而，该电场在条形像素电极部142上方处具有较强的垂直方向电场分量，而受到的电场的水平方向电场分量几乎相互抵消，因此，条形像素电极部142上方的液晶分子基本不会在平行于透明基底10的平面内旋转，而仅是在垂直于透明基底10的平面内旋转，即发生倾斜站立起来，从而导致像素电极14的条形像素电极部142正上方的穿透率较低。
图3是图2所示的FFS型液晶显示面板的穿透率模拟效果图。如图3所示，像素电极14的条形像素电极部142正上方的区域受到的电场的水平方向电场分量较弱，液晶分子由于处在较弱的该电场的水平方向电场分量作用下，因而具有较小的扭转角度，导致这些区域的穿透率较低，从而影响整个FFS型液晶显示面板的穿透率的提高。
对于位于下层的第一透明电极11为像素电极，位于上层的第二透明电极14为公共电极的情况，同样会存在对应于条形的第二透明电极14正上方区域的穿透率较低的问题。
因此，有必要提出改进以克服现有技术中的以上问题。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种薄膜晶体管阵列基板及具有该薄膜晶体管阵列基板的液晶显示装置，其能够提高穿透率。
为解决上述技术问题，一方面，本发明提供一种薄膜晶体管阵列基板，其包括透明基底以及形成于所述透明基底上的多条扫描线和多条数据线，所述多条扫描线和所述多条数据线交叉限定多个像素区域，每个像素区域包括电性隔离的第一透明电极、第二透明电极以及第三透明电极，所述第二透明电极所在层位于所述第一透明电极和所述第三透明电极所在层之间，所述第二透明电极包括多个彼此电性连接的条形第二电极部，所述第三透明电极包括多个彼此电性连接的条形第三电极部，所述条形第三电极部与所述条形第二电极部的位置相对应且其在基板的法向上重叠设置，并且，所述条形第三电极部的宽度小于所述条形第二电极部的宽度，当薄膜晶体管阵列基板工作时，在第一透明电极与第二透明电极之间形成第一水平电场，在第三透明电极与第二透明电极之间形成第二水平电场。
优选地，所述条形第三电极部与所述条形第二电极部在基板的法向上中心位置重叠。
另一方面，本发明还提供一种液晶显示装置，其包括液晶显示面板以及连接至所述液晶显示面板的驱动电路，所述液晶显示面板包括如上所述的薄膜晶体管阵列基板、对置基板以及夹于所述薄膜晶体管阵列基板与所述对置基板之间的液晶层。
根据本发明，在薄膜晶体管阵列基板上增设呈条形的第三透明电极，第三透明电极的条形第三电极部与第二透明电极的条形第二电极部的位置相对应，并且条形第三电极部的宽度小于条形第二电极部的宽度，从而，当薄膜晶体管阵列基板工作时，可以在第一透明电极与第二透明电极之间形成第一水平电场，并且在第三透明电极与第二透明电极之间形成第二水平电场，液晶层中的液晶分子可以同时受到第一水平电场和第二水平电场的共同作用。由于第二水平电场出现在第一水平电场较弱的区域，增强了该区域的电场强度，减小第二透明电极的条形第二电极部正上方的穿透率较低现象，因此本发明的液晶显示面板减少了传统液晶显示面板穿透率较低的区域。而且，根据本发明，第二透明电极的条形第二电极部之间的水平距离比传统的FFS型液晶显示面板可以设计得更大，因此，本发明的每个像素区域内第二透明电极的条形第二电极部的数目要比传统的液晶显示面板少，液晶显示面板的穿透率在整体上有较大提高。
通过以下参考附图的详细说明，本发明的其它方面和特征变得明显。但是应当知道，该附图仅仅为解释的目的设计，而不是作为本发明的范围的限定，这是因为其应当参考附加的权利要求。还应当知道，除非另外指出，不必要依比例绘制附图，它们仅仅力图概念地说明此处描述的结构和流程。
附图说明
图1是现有的一种FFS型液晶显示面板的局部平面图。
图2是沿图1中A-A线的局部剖面图。
图3是图2所示的FFS型液晶显示面板的穿透率模拟效果图。
图4是本发明第一实施例的液晶显示面板的局部平面图。
图5是沿图4中B-B线的局部剖面图。
图6是图5所示的液晶显示面板的穿透率模拟效果图。
图7是本发明第一实施例的薄膜晶体管阵列基板的制作流程图。
图8是本发明第二实施例的液晶显示面板的局部剖面图。
具体实施方式
在本申请中用到以下术语对本发明进行说明，除非给出了其他说明，否则这些术语都应作如下理解。
用“水平”、“水平方向”表示与基板平面平行的方向，用“垂直方向”及“法向”表示与基板平面垂直的方向。
为使上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。
需要说明的是，为了图示的清楚起见，本发明的附图仅显示了与本发明的创作点相关的结构特征，而对于其他的结构特征则进行了省略。
本发明的液晶显示装置包括液晶显示面板以及连接至液晶显示面板的驱动电路(未图示)。
第一实施例
图4是本发明第一实施例的液晶显示面板的局部平面图，为了图示的清楚起见，省略了其中的对置基板；图5是沿图4中B-B线的局部剖面图。结合参照图4和图5所示，本发明的液晶显示面板包括薄膜晶体管阵列基板100、对置基板(未图示)以及夹于薄膜晶体管阵列基板100与对置基板之间的液晶层300，其中，薄膜晶体管阵列基板100包括透明基底10以及形成于透明基底10上的多条扫描线101、多条数据线102和多条公共电极线104，多条扫描线101和多条数据线102交叉限定多个像素区域。
每个像素区域包括电性隔离的第一透明电极20、第二透明电极40以及第三透明电极60。第二透明电极40所在层位于第一透明电极20和第三透明电极60所在层之间。在本实施方式中，每个像素区域的第一透明电极20在像素区域内整片设置，第二透明电极40和第三透明电极60在像素区域内均呈条形设置，第二透明电极40包括多个彼此电性连接的条形第二电极部42，第三透明电极60包括多个彼此电性连接的条形第三电极部62，条形第三电极部62与条形第二电极部42的位置相对应，即条形第三电极部62与条形第二电极部42在基板的法向上重叠设置，优选地，条形第三电极部62在条形第二电极部42法向上的投影位于条形第二电极部42的中心位置，即条形第三电极部62与条形第二电极部42在基板的法向上中心位置重叠。并且，条形第三电极部62的宽度W3小于条形第二电极部42的宽度W2，例如，条形第三电极部62的宽度W3设置为3μm，条形第二电极部42的宽度W2设置为9μm。
在本实施方式中，优选地，第一透明电极20为第一像素电极20，第二透明电极40为公共电极40，第三透明电极60为第二像素电极60，相应地，条形第二电极部42为条形公共电极部42，条形第三电极部62为条形第二像素电极部62。当然，本发明并不限于此，在本发明的其他实施方式中，第一透明电极20也可以为第一公共电极，第三透明电极60可以为第二公共电极，第二透明电极40可以为像素电极。
第一像素电极20、第二像素电极60以及公共电极40均由透明导电材料形成，例如均由ITO(Indium Tin Oxide，氧化铟锡)或IZO(IndiumZinc Oxide，氧化铟锌)等形成。在第一像素电极20与公共电极40之间隔有栅极绝缘层30，在公共电极40与第二像素电极60之间隔有钝化层50。
每个像素区域还包括用于控制第一像素电极20的第一薄膜晶体管T1以及用于控制第二像素电极60的第二薄膜晶体管T2。在本实施方式中，第一薄膜晶体管T1的源极连接至对应的数据线102，第二薄膜晶体管T2的源极与第一薄膜晶体管T1的漏极电性连接，并且，第二薄膜晶体管T2的沟道宽长比小于第一薄膜晶体管T1的沟道宽长比。当然，本发明并不限于此，在本发明的其他实施方式中，第一薄膜晶体管T1的源极与第二薄膜晶体管T2的源极中的其中一个可以连接至数据线102，另一个可以连接至单独设置的走线(未图示)，同样可以实现本发明的目的，而不脱离本发明的技术方案的实质。
在钝化层50上分别开设有贯穿钝化层50的第一通孔C1、第三通孔C3和第四通孔C4，在钝化层50和栅极绝缘层30上共同开设有同时贯穿钝化层50和栅极绝缘层30的第二通孔C2和第五通孔C5，第一像素电极20通过第一通孔C1和第二通孔C2并借助于第二像素电极60所在层的透明导电连接部与第一薄膜晶体管T1的漏极电性连接，第二像素电极60通过第三通孔C3与第二薄膜晶体管T2的漏极电性连接，公共电极40通过第四通孔C4和第五通孔C5并借助于第二像素电极60所在层的透明导电连接部与公共电极线104电性连接。
如图5所示，在液晶显示面板工作期间，通过驱动电路输入到公共电极线104上的公共电压信号通过第四通孔C4和第五通孔C5施加到公共电极40上，当扫描线101处于高电平时，第一薄膜晶体管T1打开，第一薄膜晶体管T1的源极和漏极导通，通过驱动电路输入到数据线102上的数据电压信号通过第一薄膜晶体管T1的源极施加到其漏极，然后通过第一通孔C1和第二通孔C2施加到第一像素电极20上，同时，由于第二薄膜晶体管T2的源极与第一薄膜晶体管T1的漏极电性连接，第二薄膜晶体管T2也打开，第二薄膜晶体管T2的源极和漏极导通，数据电压信号通过第二薄膜晶体管T2的源极施加到其漏极，然后通过第三通孔C3施加到第二像素电极60上，由于第二薄膜晶体管T2的沟道宽长比小于第一薄膜晶体管T1的沟道宽长比，从而导致第二像素电极60充电不足，因此，第一像素电极20上的电压绝对值大于第二像素电极60上的电压绝对值。对于如图5所示的呈正极性的像素区域来说，第一像素电极20和第二像素电极60上的电压均大于公共电极40上的电压，并且第一像素电极20上的电压大于第二像素电极60上的电压，因此，在第一像素电极20与公共电极40之间形成第一水平电场E1，在第二像素电极60与公共电极40之间形成第二水平电场E2，第一水平电场E1产生的电力线由位于下层的第一像素电极20发出并由位于中间层的公共电极40所接收，第二水平电场E2产生的电力线由位于上层的第二像素电极60发出并由位于中间层的公共电极40所接收，并且，形成的第一水平电场E1的电场强度大于第二水平电场E2的电场强度。类似地，对于呈负极性的像素区域来说，第一像素电极20和第二像素电极60上的电压均小于公共电极40上的电压，并且第一像素电极20上的电压小于第二像素电极60上的电压，因此，在第一像素电极20与公共电极40之间形成第一水平电场E1，在第二像素电极60与公共电极40之间形成第二水平电场E2，第一水平电场E1产生的电力线由位于中间层的公共电极40发出并由位于下层的第一像素电极20所接收，第二水平电场E2产生的电力线由位于中间层的公共电极40发出并由位于上层的第二像素电极60所接收，并且，形成的第一水平电场E1的电场强度大于第二水平电场E2的电场强度。于是液晶层300中的液晶分子在受到第一水平电场E1和第二水平电场E2的共同作用下发生转动，从而控制背光的通过量来实现不同灰阶的显示。
本发明的薄膜晶体管阵列基板100增设呈条形的第三透明电极60，第三透明电极60的条形第三电极部62与第二透明电极40的条形第二电极部42的位置相对应，并且，条形第三电极部62的宽度W3小于条形第二电极部42的宽度W2，也就是说，条形第三电极部62在水平方向上的尺寸比条形第二电极部42小。从而，当薄膜晶体管阵列基板100工作时，可以在第一透明电极20与第二透明电极40之间形成第一水平电场E1，并且，可以在第三透明电极60与第二透明电极40之间形成第二水平电场E2，液晶层300中的液晶分子可以同时受到第一水平电场E1和第二水平电场E2的共同作用。在如图2所示的现有液晶显示面板中，对应于条形的第二透明电极正上方区域的液晶分子基本不受第一透明电极与第二透明电极之间形成的电场的水平方向电场分量的作用，因此，这些区域的液晶分子基本不会在平行于透明基底的平面内旋转，而在本发明的如图5所示的液晶显示面板中，对应于第二透明电极40的条形第二电极部42正上方区域的液晶分子可以受到第二水平电场E2的作用，并且第二水平电场E2在第三透明电极60的条形第三电极部62边缘处的水平方向电场分量最强，因此，对应于第二透明电极40的条形第二电极部42的不与第三透明电极60的条形第三电极部62重叠部分正上方区域的液晶分子能够受到较强的第二水平电场E2的水平方向电场分量作用，因此，这些区域的液晶分子能够在平行于透明基底10的平面内旋转。由于本发明在对应于第二透明电极40的条形第二电极部42位置增设第三透明电极60的条形第三电极部62，从而，相对于图2所示的对应于条形的第二透明电极正上方整个区域的液晶分子基本不受水平方向电场分量的作用来说，在本发明的液晶显示面板对应于第二透明电极40的条形第二电极部42正上方区域中，其中有一部分区域的液晶分子可以受到第二水平电场E2的水平方向电场分量的作用而在平行于透明基底10的平面内旋转，因此，本发明的第二透明电极40的条形第二电极部42之间的距离相对于图2所示的现有液晶显示面板可以设置地较大，因此，从整体上看，本发明的每个像素区域内第二透明电极40的条形第二电极部42的条数要比图2所示的现有液晶显示面板少，因此，本发明的对应于第二透明电极40的条形第二电极部42正上方的穿透率较低的区域也比图2所示的现有液晶显示面板少，从而本发明的液晶显示面板的穿透率在整体上有较大提高。图6是图5所示的本发明第一实施例的液晶显示面板的穿透率模拟效果图。图6与图3是在相同的模拟条件进行的。通过图6与图3相比较可以明显看出，在图3所示的现有液晶显示面板中，其相邻两个穿透率较低的区域之间的间隔P1近似为7～8μm(微米)，而在图6所示的本发明的液晶显示面板中，其相邻两个穿透率较低的区域之间的间隔P2近似为16μm(微米)，因此，本发明的液晶显示面板的相邻两个穿透率较低的区域P2之间的间隔大大增大了，进而本发明的液晶显示面板的穿透率较低的区域大为减少，从而，本发明的液晶显示面板的穿透率相比图3所示的现有液晶显示面板在整体上有较大提高。
如图7所示，本发明一种实施方式的薄膜晶体管阵列基板100可采用如下七道光罩制程来制造。
在步骤S1中，采用第一道光罩制程，形成第一透明导电材料层，并对其进行图案化。
具体地，在透明基底10上依次形成第一透明导电材料层和第一光阻层，以第一道光罩图案对第一光阻层进行曝光显影，从而形成第一光阻层图案，再以第一光阻层图案为遮罩对第一透明导电材料层进行刻蚀以实现图案化，从而由经过图案化的第一透明导电材料层形成第一像素电极20，随后，移除第一光阻层。
在步骤S2中，采用第二道光罩制程，形成第一金属层，并对其进行图案化。
具体地，在具有图案化的第一透明导电材料层的透明基底10上依次形成第一金属层和第二光阻层，以第二道光罩图案对第二光阻层进行曝光显影，从而形成第二光阻层图案，再以第二光阻层图案为遮罩对第一金属层进行刻蚀以实现图案化，从而形成扫描线101、公共电极线104、第一薄膜晶体管T1和第二薄膜晶体管T2的栅极，随后，移除第二光阻层。
在步骤S3中，采用第三道光罩制程，依次形成栅极绝缘层、非晶硅层和掺杂非晶硅层，并对掺杂非晶硅层和非晶硅层进行图案化。
具体地，在形成第二道光罩图案后的透明基底10上依次形成栅极绝缘层30、非晶硅层、掺杂非晶硅层以及第三光阻层，以第三道光罩图案对第三光阻层进行曝光显影，从而形成第三光阻层图案，再以第三光阻层图案为遮罩对掺杂非晶硅层和非晶硅层进行刻蚀以实现图案化，从而形成第一薄膜晶体管T1和第二薄膜晶体管T2的半导体层，随后，移除第三光阻层。
在步骤S4中，采用第四道光罩制程，形成第二金属层，并对其进行图案化。
具体地，在形成第三道光罩图案后的透明基底10上依次形成第二金属层和第四光阻层，以第四道光罩图案对第四光阻层进行曝光显影，从而形成第四光阻层图案，再以第四光阻层图案为遮罩对第二金属层进行刻蚀以实现图案化，从而由经过图案化的第二金属层形成数据线102、第一薄膜晶体管T1与第二薄膜晶体管T2的源极和漏极，随后，移除第四光阻层。
在步骤S5中，采用第五道光罩制程，形成第二透明导电材料层，并对其进行图案化。
具体地，在形成第四道光罩图案后的透明基底10上依次形成第二透明导电材料层和第五光阻层，以第五道光罩图案对第五光阻层进行曝光显影，从而形成第五光阻层图案，再以第五光阻层图案为遮罩对第二透明导电材料层进行刻蚀以实现图案化，从而形成包括多个彼此电性连接的条形公共电极部42的公共电极40，随后，移除第五光阻层。
在步骤S6中，采用第六道光罩制程，形成钝化层，并对其进行图案化。
具体地，在形成第五道光罩图案后的透明基底10上依次形成钝化层50和第六光阻层，以第六道光罩图案对第六光阻层进行曝光显影，从而形成第六光阻层图案，再以第六光阻层图案为遮罩对钝化层50和钝化层50下方的栅极绝缘层30进行刻蚀以实现图案化，从而分别形成第一至第五通孔C1-C5，其中，第一通孔C1仅需要挖通钝化层50，从而使第一薄膜晶体管T1的漏极的一部分暴露出来；第三通孔C3仅需要挖通钝化层50，从而使第二薄膜晶体管T2的漏极的一部分暴露出来；第四通孔C4也仅需要挖通钝化层50，从而使公共电极40的一部分暴露出来；第二通孔C2需要同时挖通钝化层50和栅极绝缘层30，从而使第一像素电极20的一部分暴露出来；第五通孔C5也需要同时挖通钝化层50和栅极绝缘层30，从而使公共电极线104的一部分暴露出来，随后，移除第六光阻层。
在步骤S7中，采用第七道光罩制程，形成第三透明导电材料层，并对其进行图案化。
具体地，在形成第六道光罩图案后的透明基底10上依次形成第三透明导电材料层和第七光阻层，以第七道光罩图案对第七光阻层进行曝光显影，从而形成第七光阻层图案，再以第七光阻层图案为遮罩对第三透明导电材料层进行刻蚀以实现图案化，从而形成包括多个彼此电性连接的条形第二像素电极部62的第二像素电极60，并且，同时形成第一通孔C1和第二通孔C2之间的透明导电连接部、以及第四通孔C4和第五通孔C5之间的透明导电连接部，其中，第二像素电极60覆盖第三通孔C3并通过第三通孔C3与第二薄膜晶体管T2的漏极电性连接；第一像素电极20通过第一通孔C1、第二通孔C2、以及第一通孔C1和第二通孔C2之间的透明导电连接部与第一薄膜晶体管T1的漏极电性连接；公共电极40通过第四通孔C4、第五通孔C5、以及第四通孔C4和第五通孔C5之间的透明导电连接部与公共电极线104电性连接。
经过以上步骤S1-S7，形成了本发明的薄膜晶体管阵列基板100。
在以上的薄膜晶体管阵列基板的七道光罩制程中，第一道光罩制程和第二道光罩制程也可以互换进行，即可以先形成第一金属层图案，而后再形成第一透明导电材料层图案。同样地，第四道光罩制程和第五道光罩制程也可以互换进行，即可以先形成第二透明导电材料层图案，而后再形成第二金属层图案。其制作方法与上述类似，故，在此不再赘述。
第二实施例
如图8所示，第二实施例与第一实施例的相同之处在此不再赘述，其不同之处在于，第二实施例中的第一像素电极20在像素区域内不是整片设置，而是呈条形设置，每个像素区域的第一透明电极20在对应于第二透明电极40的条形第二电极部42的位置设置有条形开槽21，第一透明电极20包括借由开槽21形成的多个彼此电性连接的条形第一电极部22。优选地，开槽21位于条形第二电极部42的正下方，即开槽21与条形第二电极部42在基板的法向上中心位置重叠，并且，优选地，条形开槽201的宽度W1小于条形第二电极部42的宽度W2。
第二实施例同样可以产生与第一实施例相似的第一水平电场E1和第二水平电场E2，液晶分子300在受到第一水平电场E1和第二水平电场E2的共同作用下发生转动，从而控制背光的通过量来实现不同灰阶的显示。第二实施例具有与第一实施例相似的有益技术效果。
以上对本发明所提供的薄膜晶体管阵列基板及液晶显示装置，进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施方式的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制，本发明的保护范围应当以所附权利要求所限定的范围为准。
Claims (16)
1.薄膜晶体管阵列基板，其包括透明基底以及形成于所述透明基底上的多条扫描线和多条数据线，所述多条扫描线和所述多条数据线交叉限定多个像素区域，每个像素区域包括电性隔离的第一透明电极、第二透明电极以及第三透明电极，所述第二透明电极所在层位于所述第一透明电极和所述第三透明电极所在层之间，所述第二透明电极包括多个彼此电性连接的条形第二电极部，所述第三透明电极包括多个彼此电性连接的条形第三电极部，所述条形第三电极部与所述条形第二电极部的位置相对应且其在基板的法向上重叠设置，其特征在于，所述条形第三电极部的宽度小于所述条形第二电极部的宽度，当薄膜晶体管阵列基板工作时，在第一透明电极与第二透明电极之间形成第一水平电场，在第三透明电极与第二透明电极之间形成第二水平电场。
2.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其中，所述条形第三电极部与所述条形第二电极部在基板的法向上中心位置重叠。
3.如权利要求2所述的薄膜晶体管阵列基板，其中，所述第一透明电极为第一像素电极，所述第二透明电极为公共电极，所述第三透明电极为第二像素电极。
4.如权利要求2所述的薄膜晶体管阵列基板，其中，每个像素区域的所述第一透明电极在像素区域内整片设置。
5.如权利要求2所述的薄膜晶体管阵列基板，其中，每个像素区域的所述第一透明电极在对应于所述条形第二电极部的位置设置有开槽，所述第一透明电极包括借由所述开槽形成的多个彼此电性连接的条形第一电极部，从而使得所述第一透明电极在像素区域内呈条形设置。
6.如权利要求5所述的薄膜晶体管阵列基板，其中，所述第一透明电极上设置的所述开槽与所述条形第二电极部在基板的法向上中心位置重叠。
7.如权利要求3所述的薄膜晶体管阵列基板，其中，每个像素区域还包括用于控制所述第一像素电极的第一薄膜晶体管以及用于控制所述第二像素电极的第二薄膜晶体管。
8.如权利要求7所述的薄膜晶体管阵列基板，其中，所述第一薄膜晶体管的源极连接至所述数据线，所述第二薄膜晶体管的源极与所述第一薄膜晶体管的漏极电性连接，并且所述第二薄膜晶体管的沟道宽长比小于所述第一薄膜晶体管的沟道宽长比。
9.如权利要求7所述的薄膜晶体管阵列基板，其中，所述第一薄膜晶体管的源极与所述第二薄膜晶体管的源极中的其中一个连接至所述数据线，另一个连接至单独设置的走线。
10.如权利要求8所述的薄膜晶体管阵列基板，其中，所述第二透明电极所在层位于所述第一透明电极和所述第三透明电极所在层之间，所述第一透明电极与所述第二透明电极之间隔有栅极绝缘层，所述第二透明电极与所述第三透明电极之间隔有钝化层。
11.如权利要求10所述的薄膜晶体管阵列基板，其中，在所述钝化层上开设有第一通孔，在所述钝化层和所述栅极绝缘层上共同开设有第二通孔，所述第一像素电极通过所述第一通孔和所述第二通孔与所述第一薄膜晶体管的漏极电性连接。
12.如权利要求11所述的薄膜晶体管阵列基板，其中，在所述钝化层上开设有第三通孔，所述第二像素电极通过所述第三通孔与所述第二薄膜晶体管的漏极电性连接。
13.如权利要求12所述的薄膜晶体管阵列基板，其中，在所述透明基底上还形成有公共电极线，在所述钝化层上开设有第四通孔，在所述钝化层和所述栅极绝缘层上共同开设有第五通孔，所述公共电极通过所述第四通孔和所述第五通孔与所述公共电极线电性连接。
14.液晶显示装置，其包括液晶显示面板以及连接至所述液晶显示面板的驱动电路，其特征在于，所述液晶显示面板包括如权利要求1至13中任一项所述的薄膜晶体管阵列基板、对置基板以及夹于所述薄膜晶体管阵列基板与所述对置基板之间的液晶层。
15.如权利要求14所述的液晶显示装置，其中，形成的第一水平电场的电场强度大于第二水平电场的电场强度。
16.如权利要求15所述的液晶显示装置，其中，当液晶显示装置工作时，对于正极性的像素区域，所述第一透明电极和所述第三透明电极上的电压均大于所述第二透明电极上的电压，并且，所述第一透明电极上的电压大于所述第三透明电极上的电压；对于负极性的像素区域，所述第一透明电极和所述第三透明电极上的电压均小于所述第二透明电极上的电压，并且，所述第一透明电极上的电压小于所述第三透明电极上的电压。
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