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CN101600987B - 液晶显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明的目的在于以低成本提供一种降低波纹和色偏的高画质的反射型和半透过型的液晶显示装置。本发明的液晶显示装置是在多个像素的各个中具备反射区域的液晶显示装置。反射区域包括金属层(56)、半导体层(62)和反射层(63)，在反射层(63)的表面形成有多个凹部(68)和凸部(67)，多个凹部(68)对应金属层(56)的开口部(65)而形成，多个凸部(67)反映半导体层(62)的形状而形成，多个凹部(68)的沿着某个方向相邻的多个对包括凹部(68)的间隔相互不同的2个对，多个凸部(67)的沿着某个方向相邻的多个对包括凸部(67)的间隔相互不同的2个对。

Description

液晶显示装置
技术领域
本发明涉及一种能够利用反射光进行显示的反射型或半透过型的液晶显示装置。
背景技术
液晶显示装置(LCD)包括利用画面背面的背光源作为显示用的光源的透过型液晶显示装置、利用外光的反射光的反射型液晶显示装置以及利用外光的反射光和背光源两者的半透过型液晶显示装置(反射/透过型液晶显示装置)。反射型液晶显示装置和半透过型液晶显示装置与透过型液晶显示装置相比，具有耗电量小、在明亮的环境下容易看到画面的特征，半透过型液晶显示装置与反射型液晶显示装置相比，具有即使在暗的环境下也容易看到画面的特征。
图10是表示现有反射型液晶显示装置(例如，专利文献1)中的有源矩阵基板100的截面图。
如该图所示，该有源矩阵基板100具有绝缘性基板101、以及叠层在绝缘性基板101上的栅极层102、栅极绝缘层104、半导体层106、金属层108和反射层110。将栅极层102、栅极绝缘层104、半导体层106和金属层108叠层在绝缘性基板101上后，使用一个掩膜进行蚀刻，形成为具有岛状的叠层结构。然后，在该叠层结构上形成反射层110，由此形成具有凹凸的反射面112。另外，在有源矩阵基板100的上部，虽然没有图示，但叠层有透明电极、液晶层、彩色滤光片基板(CF基板)等。
图11是现有半透过型液晶显示装置(例如，专利文献2)的截面图。
如该图所示，在现有半透过型液晶显示装置中，开关元件(TFT)203的漏极电极222上形成有层间绝缘膜204，在层间绝缘膜204上叠层有电蚀防止膜205、反射防止膜206和非晶质透明电极膜218。形成有反射电极膜206的区域是半透过型液晶显示装置的反射区域。反射区域中的层间绝缘膜204的上部形成有凹凸，反映其凹凸，在电蚀刻防止膜205、反射电极膜206和非晶质透明电极膜218也形成有凹凸。
另外，在反射层上以均等的间隔反复配置凹凸的情况下，由光的干涉，在反射光中可能产生衍射条纹(波纹)和色偏。在专利文献3中记载了为了抑制该衍射条纹等的产生而不规则配置凹凸的一部分的液晶显示装置。
专利文献1：特开平9-54318号公报
专利文献2：特开2005-277402号公报
专利文献3：特开2002-14211号公报
发明内容
在专利文献1记载的有源矩阵基板100中，发射层110的一部分形成为，在没有形成栅极层102等的部分(岛间的部分，以下称为“间隙部”)到达绝缘性基板101。因此，在间隙部，反射面112的表面向绝缘性基板101的方向凹陷，成为具有深的洼陷(或者凹部)的面。
在反射型液晶显示装置或半透过型液晶显示装置中，为了遍及广的视野角进行明亮的显示，需要使入射到显示装置的入射光不向一个方向镜面反射，而是利用反射面112在整个显示面上更均匀有效地进行反射。因此，反射面112优选不是完全的平面，而具有适度的凹凸。
但是，上述有源矩阵基板100的反射面112具有深的洼陷。因此，光难以到达位于洼陷的下部的反射面，另外即使光到达了，该反射光也难以反射到液晶层侧，因此存在反射光不能有效地用于显示的问题。另外，反射面112的大部分相对于液晶显示装置的显示面具有大的角度，因此存在来自该部分的反射光不能有效用于显示的问题。
图12是表示反射面112的倾斜和反射光的出射角的关系的图。图12(a)表示光从具有折射率Na的介质a入射到具有折射率Nb的介质b时的入射角α和出射角β的关系。此时，根据斯涅耳定律，以下关系成立。
Na×sinα＝Nb×sinβ
图12(b)是表示垂直入射到液晶显示装置的显示面的入射光由相对显示面(或基板)只倾斜θ的反射面所反射时的入射光和反射光的关系的图。如图所示，垂直入射到显示面的入射光由相对显示面只倾斜角度θ的反射面进行反射，向出射角φ的方向射出。
根据斯涅耳定律，对反射面的每个角度θ计算出射角φ的结果表示在表1中。
[表1]
  θ   φ   90-φ
0 0 90
  2   6.006121   83.99388
  4   12.04967   77.95033
  6   18.17181   71.82819
  8   24.42212   65.57788
  10   30.86588   59.13412
  12   37.59709   52.40291
  14   44.76554   45.23446
  16   52.64382   37.35618
  18   61.84543   28.15457
  20   74.61857   15.38143
  20.5   79.76542   10.23458
  20.6   81.12757   8.872432
  20.7   82.73315   7.266848
  20.8   84.80311   5.19888
  20.9   88.85036   1.149637
  20.905   89.79914   0.200856
该表中的值是将空气(air)的折射率设为1.0，将玻璃基板和液晶层的折射率设为1.5计算得到的。如表1所示，反射率的角度θ超过20度时，出射角φ变得非常大(90-φ变得非常小)，出射光的大部分未到达利用者。因此，即使在反射层的反射面设置凹凸，为了有效利用反射光，也需要在反射面的更多部分使角度θ为20度以下。
上述有源矩阵基板100的反射面112有很多部分大于20度，因此反射光不能有效地利用于显示。为了解决该问题，考虑在反射层110下形成绝缘层，在该绝缘层上形成反射层110。但是，该情况下，需要有形成绝缘层的工序以及在绝缘层上形成用于连接反射层110和TFT的漏极的接触孔的工序，这样就会产生材料和工序数增加的问题。
另外，专利文献2的半透过型液晶显示装置中，需要在漏极电极222上叠层层间绝缘膜204后，在其上部形成凹凸的工序，还需要在其上叠层电蚀防止膜205、反射电极膜206和非晶质透明电极膜218的工序。这样，在现有的半透过型液晶显示装置中，也存在为了形成反射区域而使材料和工序数增加的问题。
另外，在现有的半透过型液晶显示装置中，在连接于液晶层211的非晶质透明电极膜218的表面形成凹凸，因此在液晶层211形成的电场不会均匀，难以在期望的方向上均匀地控制反射区域的液晶的取向。另外，在非晶质透明电极膜218的端部形成反映层间绝缘膜204的端部形状的斜面，但由于该斜面，也存在反射区域的端部附近的液晶取向变得混乱的问题。
在专利文献3的液晶显示装置中，利用光刻法在形成于开关元件上的感光性树脂层上形成凹凸，其后在凹凸上形成反射层。因此，在该液晶显示装置中，也会发生与上述专利文献2的半透过型液晶显示装置相同的问题。
本发明是鉴于上述课题而进行的发明，其目的在于以低成本提供减少了因反射光的干涉等引起的波纹和色偏的高画质的反射型和半透过型的液晶显示装置。
本发明的液晶显示装置是具有多个像素，并在上述多个像素的各个中具备使入射光向着显示面反射的反射区域的液晶显示装置，上述反射区域包括金属层、形成在上述金属层上的半导体层、形成在上述半导体层上的反射层，在上述反射层的表面形成有多个第一凹部或凸部、和多个第二凹部或凸部，上述多个第一凹部或凸部反映上述金属层的凹部(包括开口部)或凸部的形状而形成，上述多个第二凹部或凸部反映上述半导体层的凹部(包括开口部)或凸部的形状而形成，上述多个第一凹部或凸部具有沿着第一方向相邻的上述第一凹部或凸部的多个第一对，上述多个第一对包括凹部或凸部的间隔相互不同的2个对，或者，上述多个第二凹部或凸部具有沿着第二方向相邻的上述第二凹部或凸部的多个第二对，上述多个第二对包括凹部或凸部的间隔相互不同的2个对。
在某个实施方式中，上述多个第一凹部或凸部具有沿着与上述第一方向不同的第三方向相邻的上述第一凹部或凸部的多个第三对，上述多个第三对包括凹部或凸部的间隔相互不同的2个对。
在某个实施方式中，上述多个第二凹部或凸部具有沿着与上述第二方向不同的第四方向相邻的上述第二凹部或凸部的多个第四对，上述多个第四对包括凹部或凸部的间隔相互不同的2个对。
在某个实施方式中，上述多个第一凹部或凸部具有沿着与上述第一方向不同的第三方向相邻的上述第一凹部或凸部的多个第三对，上述多个第三对包括凹部或凸部的间隔相互不同的2个对，并且，上述多个第二凹部或凸部具有沿着与上述第二方向不同的第四方向相邻的上述第二凹部或凸部的多个第四对，上述多个第四对包括凹部或凸部的间隔相互不同的2个对。
在某个实施方式中，在上述反射层的表面，上述多个第一凹部或凸部和上述多个第二凹部或凸部中的至少一方被随机配置。
在某个实施方式中，在上述反射层的表面，上述多个第一凹部或凸部和上述多个第二凹部或凸部两方均被随机配置。
某个实施方式具备与上述多个像素的各个对应设置的半导体元件，上述金属层、上述半导体层和上述反射层分别利用与上述半导体元件的栅极电极、半导体部分和源极/漏极电极相同的材料形成。
某个实施方式具备液晶层、和配置在上述液晶层与上述反射层之间的层间绝缘层和像素电极，上述像素电极的上述液晶层侧的表面不反映上述反射层的上述第一凹部或凸部和上述第二凹部或凸部的形状，平坦地形成。
根据本发明，能够以低成本提供减少了因反射光的干涉等引起的波纹和色偏的高画质的反射型和半透过型的液晶显示装置。
附图说明
图1是表示实施方式1的液晶显示装置的截面形状的示意图。
图2是表示实施方式1的液晶显示装置的平面图，(a)表示像素区域的结构，(b)表示反射部的结构。
图3是表示实施方式1的TFT部和反射部的结构的截面图，(a)表示反射部的结构，(b)表示TFT部的结构。
图4是用于比较实施方式1和现有液晶显示装置的反射部的结构的示意图，(a)是表示实施方式1的反射部的截面的图，(b)是表示现有液晶显示装置的反射部的截面的图，(c)是表示反射部的角部的表面角度的图。
图5是表示实施方式1的反射部的制造方法的平面图。
图6是表示实施方式1的反射部的制造方法的截面图。
图7是表示实施方式2的液晶显示装置的反射部的平面图。
图8是表示实施方式3的液晶显示装置的反射部的平面图。
图9是表示实施方式4的液晶显示装置的截面图。
图10是表示现有反射型液晶显示装置中的有源矩阵基板的截面图。
图11是现有半透过型液晶显示装置的截面图。
图12是表示液晶显示装置中的反射面的倾斜与反射光的关系的图，(a)是表示光从具有折射率Na的介质a入射具有折射率Nb的介质b时的入射角α和出射角β的关系的图，(b)是表示液晶显示装置的显示面的角度与入射角和反射角的关系的图。
符号说明
10液晶显示装置
12TFT基板
14相对基板
16液晶
18液晶层
22透明基板
26层间绝缘层
28像素电极
30反射部
31层
32TFT部
34相对电极
36CF层
38透明基板
40显示面
42反射区域
44TFT区域
46透过区域
50像素
52源极线
54栅极线
56Cs金属层
58接触孔
61栅极绝缘层
62半导体层
63反射层
65开口部
67凸部
68、69凹部
100有源矩阵基板
101绝缘性基板
102栅极层
104栅极绝缘层
106半导体层
108金属层
110反射层
112反射面
203开关元件
204层间绝缘膜
205电蚀防止膜
206反射电极膜
211液晶层
218非晶质透明电极膜
222漏极电极
具体实施方式
(实施方式1)
以下参照附图，说明本发明的液晶显示装置的第一实施方式。
图1是表示本实施方式的液晶显示装置10的截面形状的示意图。液晶显示装置10是有源矩阵方式的反射透过型液晶显示装置(LCD)。如图1所示，液晶显示装置10具有TFT(薄膜晶体管：Thin FilmTransistor)基板12、例如彩色滤光片基板(CF基板)等相对基板14和含有被封入TFT基板12和相对基板14之间的液晶16的液晶层18。
TFT基板12具有透明基板22、层间绝缘层26和像素电极28，并包括反射部30和TFT部32。另外，在TFT基板12上还形成有后述的栅极线(扫描线)、源极线(信号线)和Cs线(辅助电容电极线)。
相对基板14具有相对电极34、彩色滤光片层(CF层)36和透明基板38。透明基板38的上部的面成为液晶显示装置的显示面40。另外，TFT基板12和相对基板14分别具有取向膜和偏光板，这里省略了图示。
在液晶显示装置10中，将形成有反射部30的区域称为反射区域42，将形成有TFT部32的区域称为TFT区域44。在反射区域中，从显示面40入射的光被反射部30反射，通过液晶层18和相对基板14从显示面40射出。而且，液晶显示装置10具有在反射区域42和TFT区域44以外的区域形成的透过区域46。在透过区域46中，从液晶显示装置10的光源发出的光通过TFT基板12、液晶层18和相对基板14从显示面40射出。
另外，如图1所示，在反射部30的上部的相对基板14侧设置由透过性树脂等形成的层31，由此能够使反射区域42的液晶层18的厚度成为透过区域46的液晶层18的厚度的一半。由此能够使反射区域42和透过区域46的光路长度相同。另外，在图1中，表示的是层31形成在相对电极34和CF层36之间，但层31也可以形成在相对电极34的液晶层18侧的面上。
图2是更具体表示液晶显示装置10中的像素区域和反射部30的结构的平面图。
图2(a)是从显示面40上看液晶显示装置10的一部分时的平面图。如图所示，在液晶显示装置10中，多个像素50配置成矩阵状。在各像素50形成有上述的反射部30和TFT部32，在TFT部32形成有TFT。
在像素50的分界部分源极线52沿着列方向(图的上下方向)延伸，栅极线(栅极金属层)54沿着行方向(图的左右方向)延伸。另外，在像素50的中央部分Cs线(Cs金属层或金属层)56沿着行方向延伸。在反射区域30的层间绝缘层26上形成有用于连接像素电极28和TFT的漏极电极的接触孔58。
图2(b)是示意地表示Cs金属层56上部的反射部30的结构的平面图。另外，在该图中，接触孔58省略了图示。反射部30如后面利用图3所示，具有在Cs金属层56上形成的栅极绝缘层61、在栅极绝缘层61上形成的半导体层62和在半导体层62上形成的反射层63。
如图所示，在反射层63的表面形成有多个凸部67和凹部68。另外，在这里，为了容易辨别结构，图示了18个凹部68和11个凸部67，但实际上能够形成更多的凹部68。多个凹部68反映Cs金属层56的开口部(或凹部)65的形状而形成，凸部67反映形成为岛状的半导体层62的形状而形成。
也可以将Cs金属层56形成岛状，反映其形状，形成凸部代替开口部(或凹部)65，也可以在覆盖反射部30而形成的半导体层62上形成开口部(或凹部)，通过反映其形状，形成凹部代替凸部67。在本说明书中，将凹部68或代替其的凸部称为第一凹部或凸部，将凸部67或代替其的凹部称为第二凹部或凸部。
凹部68(或第一凹部或凸部)和凸部67(或第二凹部或凸部)都是随机配置的。但凸部67和凹部68可以不是完全随机配置的，可以在反射部63的表面的一部分进行随机配置。另外，可以采用不具有对称性的配置或具有各向异性的配置。
总之，沿着某个方向(第一方向)相邻的凹部68的多个对(第一对)包括凹部68的间隔相互不同的2个对。另外，沿着某个方向(第二方向)相邻的凸部67的多个对(第二对)包括凸部67的间隔相互不同的2个对。
另外，沿着与第一方向不同的方向(第三方向)相邻的凹部68的多个对(第三对)可以包括凹部68的间隔相互不同的2个对，沿着与第二方向不同的方向(第四方向)相邻的凸部67的多个对(第四对)可以包括凸部67的间隔相互不同的2个对。通过这些配置方法，能够减少因反射光的干涉引起的波纹和色偏的发生。
接着，参考图3更详细地说明反射部30和TFT部32的结构。
图3(a)表示反射部30的截面(在图2(b)用箭头B表示的部分的截面)。如图所示，在反射部30上叠层有Cs金属层(金属层)56、栅极绝缘层(绝缘层)61、半导体层62和反射层63。半导体层62例如由本征非晶硅层(Si(i)层)和掺杂磷的n+非晶硅层(Si(n+)层)构成。
Cs金属层56具有开口部65，形成为岛状的半导体层62的一部分位于开口部65的内侧。在开口部65的上部的反射层63的表面形成有凹部68，在半导体层62的上部的反射层63的表面形成有凸部67。另外，反射层63的表面的在下部没有形成半导体层62的部分成为凹部69。在凹部68的内侧的半导体层62上的反射层63形成有台阶。
凹部68在Cs金属层56的开口部65上形成有栅极绝缘层61、半导体层62和反射层63，由此反射层63凹陷地形成。另外，凸部67在半导体层62上形成有反射层63，由此反射层63突出地形成。另外，在Cs金属层56上也可以形成凹部(洼陷)代替开口部65。此时，凹部68对应Cs金属层的该凹部而形成。
也可以在Cs金属层56的开口部65的侧面形成台阶，而在凹部68的斜面加上台阶。另外，也可以在半导体层62的侧面形成台阶，而在凸部67的斜面加上台阶。
图3(b)是表示TFT部32中的栅极金属层(金属层)54、栅极绝缘层61、半导体层62和反射层63的结构的图，是图2(a)的箭头A的部分的截面图。TFT部32的栅极金属层54与反射部30的Cs金属层56同时由相同的部件形成。同样，TFT部32的栅极绝缘层61、半导体层62和反射层63分别与反射部30的栅极绝缘层61、半导体层62和反射层63同时由相同部件形成。反射层63与TFT的漏极电极连接。
图4是比较实施方式1的反射部30与图10所示的现有液晶显示装置的反射部的结构的截面图。图4(a)示意地表示实施方式1的反射部30的结构，图4(b)示意地表示现有液晶显示装置的反射部的结构。另外，在这些图中，为了简单化，将反射部30的各层的斜面和现有液晶显示装置的各层的斜面表示成垂直面，另外，各台阶的角部(图中用虚线圆表示的部分)表示成弯曲成直角。
如这些图所示，在实施方式1的反射部30中的反射层63的表面，由1个凹部68和1个凸部67形成共计8个角部。另一方面，在现有液晶显示装置中，在反射部的1个凹部只形成4个角部。
在图4中，这些角部表示成直角，但实际的角部如图4(c)所示，连续地形成具有由平行于基板的面(角度0度)到相对基板大于20度的角度(在该图中，作为例子表示成30度)的面。因此，如果在反射部形成更多的凹部，则在反射层的表面能够形成更多的相对基板的角度为20度以下的面(有效反射面)。
另外，在角部形成的有效反射面具有相互不同的各种倾斜角，因此反射光不是只向着一定方向。由此，通过形成更多的凹部，能够得到更多的在广范围内扩展的反射光。另外，如果增加凹部的数量、并且使凹部的侧面的倾斜角度为20度以下，则能够得到更多的在广范围内扩展的反射光。
如图4(a)和(b)所示，在实施方式1的反射部30形成比现有液晶显示装置更多的凹部和凸部。因此，角部也形成得更多，由此能够在反射层63的表面形成更多的有效反射面，能够使更多的光在广范围内向着显示面反射。另外，凹部68和凸部67对应Cs金属层56和半导体层62的整形形状而形成。由此，在Cs金属层56和半导体层62的整形时，能够容易调节这些凹部、凸部的形状、深度和斜面倾斜角。
另外，在实施方式1中位于凹部68的内侧的反射层63形成在栅极绝缘层61上或栅极绝缘层61和半导体层62上。另一方面，在现有液晶显示装置中，凹部的内侧的反射层不隔着栅极绝缘层、也不隔着半导体层，直接形成在玻璃基板上。因此，实施方式1中的凹部68的底面形成得比现有液晶显示装置中的凹部的底面浅，能够使入射光在广范围内更有效地反射。
在现有液晶显示装置中，凹部的底面形成在深的位置，因此凹部内面的倾斜角变大，难以在凹部内形成多个倾斜20度以下的有效反射面。另外，该凹部通过在形成栅极层102、栅极绝缘层104、半导体层106之后，一起除去这些层而形成，因此，也难以控制凹部内面的倾斜角、增加有效反射面。
另外，在本实施方式的显示装置中，对应Cs金属层56和半导体层62的形状，形成凹部68和凸部67，因此在叠层这些层时能够调整凹部68和凸部67的位置、大小和形状。由此，能够控制凹部68和凸部67的斜面的倾斜，形成更多的倾斜为20度以下的有效反射面，使更多的光反射到显示面侧。
另外，在本实施方式的液晶显示装置中，如图1所示，层间绝缘层26和像素电极28的液晶层18侧的面不反映反射层63的凹部68和凸部67的形状，与相对电极34的液晶层18侧的面相同地平坦形成。因此，与图11所示的现有透过型液晶显示装置相比，在液晶层18形成的电场变得更均匀，能够在期望的方向上均匀地控制反射区域42的液晶的取向。
另外，因为在反射部30的端部附近的像素电极28上没有形成台阶，所以液晶的取向也不会混乱。因此，根据本实施方式，能够提供一种透过率高、视野角特性优异、并且显示不均少的液晶显示装置。
接着，利用图5和图6说明TFT基板12的制造方法。图5是表示反射区域42的TFT基板12的制造过程的平面图。图6是表示反射区域42的TFT基板12(图2(b)的用箭头B表示的部分)的制造过程的截面图。
如图5(a)和图6(b)所示，首先通过溅射等方法在洗净的透明基板22上形成由Al(铝)构成的金属薄膜。该金属薄膜也可以使用Al以外的Ti(钛)、Cr(铬)、Mo(钼)、Ta(钽)、W(钨)或者这些的合金等而形成，也可以通过由这些材料形成的层和氮化膜的叠层物而形成。
然后，在金属薄膜上形成抗蚀剂膜，通过曝光·显影工序制作抗蚀剂图案后，实施干蚀刻或湿蚀刻，形成具有开口部65的Cs金属层(金属层)56。Cs金属层56的厚度例如为50～1000nm。另外，在Cs金属层56上形成有开口部65，但也可以使用遮光部和透过部反转的抗蚀剂图案，在开口部的位置形成凸状的Cs金属层56(或岛状的层)。在该工序中，图2(a)所示的栅极线(栅极金属层)54和图3(a)所示的TFT部32的栅极金属层54也利用相同的金属同时形成。
接着，如图5(b)和图6(b)所示，通过P-CVD法，使用SiH4、NH3、N2的混合气体，在基板整个面上形成由SiN(氮化硅)构成的栅极绝缘层61。栅极绝缘层61可以通过SiO2(氧化硅)、Ta2O5(氧化钽)、Al2O3(氧化铝)等形成。栅极绝缘层61的厚度为100～600nm。另外，在该工序中，图3(b)所示的TFT部32的栅极绝缘层61也同时形成。
接着，在栅极绝缘层61上形成非晶硅(a-Si)膜和在非晶硅中掺杂磷(P)的n+a-Si膜。a-Si膜的厚度为30～300nm。另外，n+a-Si膜的厚度为20～100nm。然后，通过光刻法对这些膜进行整形，由此半导体层62形成为岛状。也可以使用遮光部和透过部反转的抗蚀剂图案，在半导体层62上形成凹部(洼陷)或开口部。在该工序中，也同时形成图3(b)所示的TFT部32的半导体层62。
接着，如图5(c)和图6(c)所示，通过溅射法等在基板整个面上形成由Al等形成的金属薄膜，形成反射层63。另外，金属薄膜可以使用上述列举的材料作为Cs金属层56的材料。反射层63的厚度为30～100nm以下。
此时，在Cs金属层56的开口部65上部的反射层63的表面形成凹部68，在半导体层62上部的反射层63的表面形成凸部67。另外，在该工序中，图3(b)所示的TFT部32的反射层63也同时形成，但在TFT部32中，反射层63形成TFT的源极电极和漏极电极。而此时，图2(a)中的源极线52也可以作为反射层63的一部分形成。
接着，如图5(d)和图6(d)所示，通过旋转涂布，涂布感光性丙烯酸树脂，形成层间绝缘层(层间树脂层)26。层间绝缘层26的厚度为0.3～5μm以下。另外，在反射层63和层间绝缘层26之间可以通过P-CVD法形成SiNx、SiO2等的薄膜作为保护膜，但在这里省略了图示。保护膜的厚度为50～1000nm以下。层间绝缘层26和保护膜形成在不只包括反射区域42、还包括TFT区域44的透明基板22的上部整个面上。然后，使用曝光装置进行显影处理，由此在反射部30的中心附近形成接触孔58。
接着，如果5(e)和图6(e)所示，在层间绝缘层26上通过溅射法等形成由ITO或IZO等构成的透明电极膜，通过光刻法对该透明电极膜进行图案整形，由此形成像素电极28。像素电极28形成在不只包括反射区域42、也包括TFT区域44的像素的上部整个面上。
在反射区域42中，像素电极28形成在层间绝缘层26和接触孔58上，像素电极28的金属部件通过接触孔58与反射层63连接。因此，TFT部32中的TFT的漏极电极通过接触孔58与像素电极28电连接。在上述工序中，层间绝缘层26的上面和像素电极28的面不反映反射层63的凹部68和凸部67的形状而平坦地形成。
另外，凹部68和凸部67优选在反射层63更多地形成。因此，优选在制造工序中的掩膜和光学曝光的界限内，使Cs金属层56的开口部和岛状的半导体层62在反射面上形成得尽量多。Cs金属层56的开口部和半导体层62的优选最大宽度为2～17μm。
根据本实施方式，能够提供有效利用反射光、并且减少了因反射光的干涉引起的波纹和色偏的能够进行高亮度高品质显示的液晶显示装置。
(实施方式2)
以下说明本发明的液晶显示装置的第二实施方式。与实施方式1的结构要素相同的结构要素用相同的参照符号表示，省略其说明。
本实施方式的液晶显示装置具有与上述实施方式1的液晶显示装置10基本相同的结构，只是在反射部30形成的凹部68和凸部67的配置不同。由此，以下主要说明凹部68和凸部67的配置，省略其他部分的说明。
图7是示意地表示实施方式2的液晶显示装置的反射部30的平面图，与表示实施方式1的反射部30的图2(b)对应。如图所示，在反射部30中的反射层63的表面形成有多个凸部67和凹部68。与实施例1同样，可以将Cs金属层56形成为岛状，反映其形状，形成凸部代替开口部(或凹部)65，也可以在半导体层62形成开口部(或凹部)，反映其形状，形成凹部代替凸部67。
如图所示，凹部68(或者第一凹部或凸部)在纵向和横向上等间隔地配置，凸部67(或者第二凹部或凸部)与实施方式1同样随机配置。另外，凸部67也可以不完全随机配置，在反射层63的表面的一部分随机配置即可。另外，也可以采用不具有对称性的配置或具有各向异性的配置。
总之，沿着某个方向(第二方向)相邻的凸部67的多个对(第二对)包括凸部67的间隔相互不同的2个对。另外，沿着与第二方向不同的方向(第四方向)相邻的凸部67的多个对(第四对)也包括凸部67的间隔相互不同的2个对。利用这些配置方法，能够减少因反射光的干涉引起的波纹和色偏的发生。
(实施方式3)
以下说明本发明的液晶显示装置的第三实施方式。与实施方式1的结构要素相同的结构要素用相同的参考符号表示，省略其说明。
本实施方式的液晶显示装置具有与上述实施方式1的液晶显示装置10基本相同的结构，只是在反射部30形成的凹部68和凸部67的配置不同。由此，以下主要说明凹部68和凸部67的配置，省略其他部分的说明。
图8是示意地表示实施方式3的液晶显示装置的反射部30的平面图。与表示实施方式1的反射部30的图2(b)对应。如图所示，在反射部30中的反射层63的表面形成有多个凸部67和凹部68。与实施例1同样，可以将Cs金属层56形成为岛状，反映其形状，形成凸部代替开口部(或凹部)65，也可以在半导体层62形成开口部(或凹部)，反映其形状，形成凹部代替凸部67。
如图所示，凹部68(或者第一凹部或凸部)与实施方式1同样随机配置，凸部67(或者第二凹部或凸部)在纵向和横向上等间隔地配置。另外，凹部68也可以不完全随机配置，可以在反射层63的表面的一部分随机配置。另外，也可以采用不具有对称性的配置或具有各向异性的配置。
总之，沿着某个方向(第一方向)相邻的凹部68的多个对(第一对)包括凹部68的间隔相互不同的2个对。另外，沿着与第一方向不同的方向(第三方向)相邻的凹部68的多个对(第三对)也包括凹部68的间隔相互不同的2个对。利用这些配置方法，能够减少因反射光的干涉引起的波纹和色偏的发生。
(实施方式4)
以下参照附图说明本发明的液晶显示装置的第四实施方式。与实施方式1～3的结构要素相同的结构要素用相同的参考符号表示，省略其说明。
图9是表示本实施方式的液晶显示装置的截面形状的示意图。该液晶显示装置是从实施方式1～3的液晶显示装置除去层间绝缘层26的装置，除以下所述点以外，与实施方式1～3的液晶显示装置相同。另外，在图9中，省略了相对基板14的详细结构和TFT部32的图示。
如图所示，在实施方式4中，不形成层间绝缘层26，因此像素电极28隔着没有图示的绝缘膜形成在反射部30和TFT部32的反射层63上。反射部30和TFT部32的结构和制造方法除层间绝缘层26被除去这一点以外，与实施方式1中说明的相同。另外，显示装置中的像素配置和配线结构也与图2(a)所示的相同。利用该结构，与实施方式1～3同样，反射层63的有效反射面的面积广，能够使更多的光反射到显示面上。
在实施方式1～4中，Cs金属层56的开口部65、半导体层62、凸部67和凹部68形成为圆形，但也可以使这些形成为椭圆形、三角形、四角形等多角形、凹部或凸部的边缘为锯齿状的形状、或者组合这些形状等的各种形状。
本发明的液晶显示装置，如上述实施方式所示，反射层的表面具有多个台阶和角部，倾斜角度为20度以下的斜面也多，因此能够得到有效反射面广、并且散射特性优异的反射区域。另外，反射层表面的形状难以呈现对称性，因此能够降低或防止因反射光的干涉引起的波纹和色偏的发生。因此，能够提供具有高的明亮度的可清晰显示的液晶显示装置。
另外，反射面的台阶和角部对应Cs金属层和半导体层的整形时的形状而形成，因此不增加制造工序，能够容易地得到具有优异反射特性的反射区域。另外，本发明的液晶显示装置利用上述制造方法形成，因此能够利用与透过型的液晶显示装置相同的材料和工序进行制造。由此能够低价地提供高品质的液晶显示装置。
进一步根据本发明，像素电极的液晶层侧的面与相对电极的面同样平坦地形成，反射部的端部附近的像素电极也没有形成台阶，因此能够在期望的方向上均匀地控制液晶取向。由此，能够提供透过率高、视野角特性优异的显示不均少的液晶显示装置。
本发明的液晶显示装置还包括利用液晶面板的显示器装置、电视机、便携式电话等。本实施方式以半透过型的液晶显示装置为例进行了说明，但具有与上述反射部相同的形态的反射型液晶显示装置等也包括在本发明的一个方式中。
产业上的可利用性
根据本发明，能够低价地提供高画质的半透过型液晶显示装置和反射型液晶显示装置。本发明的液晶显示装置适用于各种液晶显示装置，例如适合用于便携式电话、汽车导航等车载显示装置、ATM和自动售货机等的显示装置、携带式显示装置、笔记本型PC等利用反射光进行显示的半透过型和反射型的液晶显示装置。

Claims (10)

1.一种液晶显示装置，其具有多个像素，并在所述多个像素的各个中具备有使入射光向着显示面反射的反射区域，其特征在于：
所述反射区域包括金属层、形成在所述金属层上的半导体层、形成在所述半导体层上的反射层，
在所述反射层的表面形成有多个第一凹部或凸部、和多个第二凹部或凸部，
所述多个第一凹部或凸部反映所述金属层的凹部或凸部的形状而形成，所述多个第二凹部或凸部反映所述半导体层的凹部或凸部的形状而形成，
所述多个第一凹部或凸部具有沿着第一方向相邻的所述第一凹部或凸部的多个第一对，所述多个第一对包括凹部或凸部的间隔相互不同的2个对，或者，
所述多个第二凹部或凸部具有沿着第二方向相邻的所述第二凹部或凸部的多个第二对，所述多个第二对包括凹部或凸部的间隔相互不同的2个对，
所述半导体层的一部分位于所述第一凹部或凸部的内侧，在其上的反射层形成有台阶。
2.如权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于：
所述多个第一凹部或凸部具有沿着与所述第一方向不同的第三方向相邻的所述第一凹部或凸部的多个第三对，所述多个第三对包括凹部或凸部的间隔相互不同的2个对。
3.如权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于：
所述多个第二凹部或凸部具有沿着与所述第二方向不同的第四方向相邻的所述第二凹部或凸部的多个第四对，所述多个第四对包括凹部或凸部的间隔相互不同的2个对。
4.如权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于：
所述多个第一凹部或凸部具有沿着与所述第一方向不同的第三方向相邻的所述第一凹部或凸部的多个第三对，所述多个第三对包括凹部或凸部的间隔相互不同的2个对，并且，
所述多个第二凹部或凸部具有沿着与所述第二方向不同的第四方向相邻的所述第二凹部或凸部的多个第四对，所述多个第四对包括凹部或凸部的间隔相互不同的2个对。
5.如权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于：
在所述反射层的表面，所述多个第一凹部或凸部和所述多个第二凹部或凸部中的至少一方被随机配置。
6.如权利要求5所述的液晶显示装置，其特征在于：
在所述反射层的表面，所述多个第一凹部或凸部和所述多个第二凹部或凸部两方均被随机配置。
7.如权利要求1～6中任一项所述的液晶显示装置，其特征在于：
其具备与所述多个像素的各个对应设置的半导体元件，
所述金属层、所述半导体层和所述反射层分别利用与所述半导体元件的栅极电极、半导体部分和源极/漏极电极相同的材料形成。
8.如权利要求1～6中任一项所述的液晶显示装置，其特征在于，
其具备液晶层、和配置在所述液晶层与所述反射层之间的层间绝缘层和像素电极，所述像素电极的所述液晶层侧的表面不反映所述反射层的所述第一凹部或凸部和所述第二凹部或凸部的形状，平坦地形成。
9.如权利要求1～6中任一项所述的液晶显示装置，其特征在于，
在所述金属层的开口的内侧配置的所述半导体层的上部的所述反射层的表面形成有台阶。
10.如权利要求1～6中任一项所述的液晶显示装置，其特征在于，
所述反射层的所述第一凹部或凸部和所述第二凹部或凸部的斜面的倾斜角度为20度以下。
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Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101238408B (zh) * 2005-08-03 2011-06-01 夏普株式会社 液晶显示装置和具有该液晶显示装置的电子设备
WO2007108268A1 (ja) * 2006-03-23 2007-09-27 Sharp Kabushiki Kaisha 液晶表示装置
US20090195741A1 (en) * 2006-06-30 2009-08-06 Yoshihito Hara Liquid crystal display and method for manufacturing liquid crystal display
US8111356B2 (en) 2006-09-12 2012-02-07 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display panel provided with microlens array, method for manufacturing the liquid crystal display panel, and liquid crystal display device
JPWO2008047517A1 (ja) * 2006-10-18 2010-02-18 シャープ株式会社 液晶表示装置および液晶表示装置の製造方法
WO2008047788A1 (fr) * 2006-10-18 2008-04-24 Sharp Kabushiki Kaisha Écran à cristaux liquides et procédé de fabrication associé
WO2008072423A1 (ja) * 2006-12-14 2008-06-19 Sharp Kabushiki Kaisha 液晶表示装置および液晶表示装置の製造方法
US8289461B2 (en) * 2007-01-24 2012-10-16 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device
US8384860B2 (en) * 2007-06-26 2013-02-26 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device and method of manufacturing liquid crystal display device
WO2009139104A1 (ja) * 2008-05-13 2009-11-19 シャープ株式会社 液晶表示装置、及び液晶表示装置の製造方法
JP2016186424A (ja) * 2015-03-27 2016-10-27 パイオニア株式会社 情報取得装置及び固定具
CN109524422B (zh) * 2019-01-07 2024-09-06 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制作方法、反射式显示面板和显示装置
JP7407683B2 (ja) * 2019-02-22 2024-01-04 パイオニア株式会社 情報取得装置
JP2019074542A (ja) * 2019-02-22 2019-05-16 パイオニア株式会社 取得装置
CN210605272U (zh) * 2019-11-29 2020-05-22 北京京东方光电科技有限公司 显示面板及显示装置
JP2022163125A (ja) * 2020-09-29 2022-10-25 パイオニア株式会社 取得装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1609689A (zh) * 2003-10-16 2005-04-27 三菱电机株式会社 反射型和半透过型液晶显示装置以及它们的制造方法
CN1677203A (zh) * 2004-04-02 2005-10-05 统宝光电股份有限公司 液晶显示器的制造方法
JP2005345757A (ja) * 2004-06-03 2005-12-15 Fujitsu Display Technologies Corp 液晶表示装置及びその製造方法

Family Cites Families (54)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5691277A (en) * 1979-12-25 1981-07-24 Citizen Watch Co Ltd Liquiddcrystal display panel
JPS58125084A (ja) * 1982-01-21 1983-07-25 株式会社東芝 液晶表示装置およびその製造方法
DE69220643T2 (de) * 1991-09-10 1998-01-22 Sharp Kk Flüssigkristall-Anzeigegerät vom Reflexionstyp und Verfahren zu dessen Herstellung
TW540747U (en) * 1992-02-19 2003-07-01 Sharp Kk A reflective substrate and a liquid crystal display device using the same
JPH06258637A (ja) * 1993-03-04 1994-09-16 Sony Corp 液晶表示装置
JP2990046B2 (ja) * 1995-08-16 1999-12-13 日本電気株式会社 反射型液晶表示装置及びその製造方法
JPH0964366A (ja) * 1995-08-23 1997-03-07 Toshiba Corp 薄膜トランジスタ
JP3149793B2 (ja) * 1996-07-22 2001-03-26 日本電気株式会社 反射型液晶表示装置及びその製造方法
JP3666181B2 (ja) * 1997-03-21 2005-06-29 ソニー株式会社 反射型兼透過型表示装置
DE69839892D1 (de) * 1997-06-12 2008-09-25 Sharp Kk Anzeigevorrichtung mit vertikal ausgerichtetem Flüssigkristall
US6330047B1 (en) * 1997-07-28 2001-12-11 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device and method for fabricating the same
US6333518B1 (en) * 1997-08-26 2001-12-25 Lg Electronics Inc. Thin-film transistor and method of making same
JPH11133399A (ja) * 1997-10-27 1999-05-21 Hitachi Ltd 反射型液晶表示装置とその製造方法
JP3019831B2 (ja) * 1998-03-11 2000-03-13 日本電気株式会社 反射型液晶表示装置及びその製造方法
US6839108B1 (en) * 1998-05-16 2005-01-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and method of manufacturing the same
JP2000047200A (ja) * 1998-07-31 2000-02-18 Hitachi Ltd 拡散反射板とそれを用いた液晶表示装置およびその製法
US6992718B1 (en) * 1998-08-31 2006-01-31 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Illuminating apparatus, display panel, view finder, video display apparatus, and video camera mounting the elements
US6287899B1 (en) * 1998-12-31 2001-09-11 Samsung Electronics Co., Ltd. Thin film transistor array panels for a liquid crystal display and a method for manufacturing the same
KR100407413B1 (ko) * 1999-07-19 2003-11-28 마쯔시다덴기산교 가부시키가이샤 반사판 및 그 제조방법, 및 반사판을 구비한 반사형표시소자 및 그 제조방법
US6909481B2 (en) * 2000-11-07 2005-06-21 Seiko Epson Corporation Liquid crystal display and electronic appliance
TW578028B (en) * 1999-12-16 2004-03-01 Sharp Kk Liquid crystal display and manufacturing method thereof
JP2001281698A (ja) * 2000-03-30 2001-10-10 Advanced Display Inc 電気光学素子の製法
CN1170174C (zh) * 2000-04-17 2004-10-06 松下电器产业株式会社 反射板、反射型液晶显示器件及其制造方法、光学部件、显示装置、照明装置、显示板和波动部件
JP2002014211A (ja) 2000-04-24 2002-01-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd 反射板、反射型液晶表示装置及びその製造方法、光学部材、表示装置、照明装置、表示板、並びに波動部材
US6747289B2 (en) * 2000-04-27 2004-06-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of fabricating thereof
JP4785229B2 (ja) * 2000-05-09 2011-10-05 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP3712637B2 (ja) * 2000-08-11 2005-11-02 シャープ株式会社 液晶表示装置およびその欠陥修正方法
JP2002062665A (ja) * 2000-08-16 2002-02-28 Koninkl Philips Electronics Nv 金属膜の製造方法、該金属膜を有する薄膜デバイス、及び該薄膜デバイスを備えた液晶表示装置
JP3904828B2 (ja) * 2000-12-07 2007-04-11 株式会社日立製作所 液晶表示装置
TW571165B (en) * 2000-12-15 2004-01-11 Nec Lcd Technologies Ltd Liquid crystal display device
JP2002184908A (ja) * 2000-12-19 2002-06-28 Sony Corp 電子回路装置
JP3875125B2 (ja) * 2001-04-11 2007-01-31 シャープ株式会社 液晶表示装置
JP2002323705A (ja) * 2001-04-25 2002-11-08 Seiko Epson Corp 電気光学装置および電子機器
JP4111785B2 (ja) * 2001-09-18 2008-07-02 シャープ株式会社 液晶表示装置
TW517393B (en) * 2001-11-09 2003-01-11 Prime View Int Co Ltd TFT LCD structure with protrusion structure and its manufacturing method
JP2003222854A (ja) * 2002-01-31 2003-08-08 Casio Comput Co Ltd 液晶表示装置およびその製造方法
JP3900975B2 (ja) * 2002-03-06 2007-04-04 オムロン株式会社 反射板、反射型表示装置および電子機器並びに光反射方法および画像表示方法
JP4004835B2 (ja) * 2002-04-02 2007-11-07 株式会社アドバンスト・ディスプレイ 薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法
JP4029663B2 (ja) * 2002-05-22 2008-01-09 セイコーエプソン株式会社 半透過反射型液晶装置、およびそれを用いた電子機器
JP4133088B2 (ja) * 2002-08-01 2008-08-13 Ｎｅｃ液晶テクノロジー株式会社 液晶表示装置
JP2005173037A (ja) * 2003-12-09 2005-06-30 Fujitsu Display Technologies Corp 液晶表示装置及びその製造方法
JP4338511B2 (ja) * 2003-12-24 2009-10-07 シャープ株式会社 液晶表示装置
SG114747A1 (en) * 2004-02-25 2005-09-28 Mitsubishi Gas Chemical Co Etching composition for laminated film including reflective electrode and method for forming laminated wiring structure
JP2005277402A (ja) 2004-02-25 2005-10-06 Mitsubishi Gas Chem Co Inc 反射電極膜を含む積層膜のエッチング組成物および積層配線構造の形成方法
JP4606822B2 (ja) * 2004-09-10 2011-01-05 シャープ株式会社 半透過型液晶表示装置の製造方法
JP4578958B2 (ja) * 2004-12-16 2010-11-10 シャープ株式会社 液晶表示装置
KR100648223B1 (ko) * 2005-05-11 2006-11-24 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 반투과형 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치
CN101322066B (zh) * 2005-12-05 2011-12-14 株式会社半导体能源研究所 液晶显示器
CN101432656B (zh) * 2006-05-01 2011-07-13 夏普株式会社 液晶显示装置和液晶显示装置的制造方法
US8294854B2 (en) * 2006-05-01 2012-10-23 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display comprising a reflection region having first, second and third recesses and method for manufacturing the same
US7847904B2 (en) * 2006-06-02 2010-12-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and electronic appliance
JPWO2008047517A1 (ja) * 2006-10-18 2010-02-18 シャープ株式会社 液晶表示装置および液晶表示装置の製造方法
WO2008129748A1 (ja) * 2007-04-13 2008-10-30 Sharp Kabushiki Kaisha 液晶表示装置、及び液晶表示装置の製造方法
US8384860B2 (en) * 2007-06-26 2013-02-26 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device and method of manufacturing liquid crystal display device

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1609689A (zh) * 2003-10-16 2005-04-27 三菱电机株式会社 反射型和半透过型液晶显示装置以及它们的制造方法
CN1677203A (zh) * 2004-04-02 2005-10-05 统宝光电股份有限公司 液晶显示器的制造方法
JP2005345757A (ja) * 2004-06-03 2005-12-15 Fujitsu Display Technologies Corp 液晶表示装置及びその製造方法

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