Nothing Special   »   [go: up one dir, main page]

CN101454872B - 光刻胶剥离剂组合物和用该光刻胶剥离剂组合物剥离光刻胶的方法 - Google Patents

光刻胶剥离剂组合物和用该光刻胶剥离剂组合物剥离光刻胶的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN101454872B
CN101454872B CN2007800191632A CN200780019163A CN101454872B CN 101454872 B CN101454872 B CN 101454872B CN 2007800191632 A CN2007800191632 A CN 2007800191632A CN 200780019163 A CN200780019163 A CN 200780019163A CN 101454872 B CN101454872 B CN 101454872B
Authority
CN
China
Prior art keywords
aluminium
copper
substrate
photoresist
contain
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN2007800191632A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101454872A (zh
Inventor
韩�熙
朴珉春
金璟晙
徐圣佑
权赫俊
安庆昊
崔棅圭
闵盛晙
黄智泳
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
LG Corp
Original Assignee
LG Chemical Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by LG Chemical Co Ltd filed Critical LG Chemical Co Ltd
Publication of CN101454872A publication Critical patent/CN101454872A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101454872B publication Critical patent/CN101454872B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/42—Stripping or agents therefor
    • G03F7/422—Stripping or agents therefor using liquids only
    • G03F7/425—Stripping or agents therefor using liquids only containing mineral alkaline compounds; containing organic basic compounds, e.g. quaternary ammonium compounds; containing heterocyclic basic compounds containing nitrogen
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/42—Stripping or agents therefor
    • G03F7/422—Stripping or agents therefor using liquids only
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0272—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers for lift-off processes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H01L21/0274—Photolithographic processes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/30604—Chemical etching
    • H01L21/30608—Anisotropic liquid etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/30604—Chemical etching
    • H01L21/30612—Etching of AIIIBV compounds
    • H01L21/30617—Anisotropic liquid etching

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

本发明涉及一种光刻胶剥离剂组合物、用该光刻胶剥离剂组合物剥离光刻胶的方法以及制备液晶显示器或半导体器件的方法。在剥离工艺和剥离光刻剂的已知步骤中，该光刻胶剥离剂组合物能够在短时间内在低温下彻底剥离由于过度的光刻工艺造成的变性的光刻胶膜，即使仅通过水而非异丙醇作为中间冲洗溶液进行冲洗也不破坏光刻胶下部的导电膜或绝缘膜，并且其对光刻胶下部的导电金属膜或绝缘膜具有极佳的缓蚀能力。

Description

光刻胶剥离剂组合物和用该光刻胶剥离剂组合物剥离光刻胶的方法
技术领域
本发明涉及一种光刻胶剥离剂组合物、用该光刻胶剥离剂组合物剥离光刻胶的方法以及制备液晶显示器或半导体器件的方法。 
本申请要求于2006年5月26日在KIPO提交的第10-2006-0047668号韩国专利申请的优先权，以引用方式将其全部内容并入本申请。 
背景技术
制备半导体集成电路或液晶显示器的精细电路的方法包括：在形成于基板上的由铝、铝合金、铜或铜合金制成的导电金属膜上或者在如二氧化硅膜或氮化硅膜的绝缘膜上均匀地涂覆光刻胶，选择性地对光刻胶曝光并使其显影以形成光刻胶图案，通过采用图案化的光刻胶膜作为掩膜对导电金属膜或绝缘膜进行湿法蚀刻或干法蚀刻以将精细电路图案转移到光刻胶的下层，并且采用剥离剂除去不需要的光刻胶层。 
当使用剥离剂除去用于制备半导体器件和液晶显示器的光刻胶时，需要考虑下列性能。 
需要能在短时间内在低温下剥离光刻胶，并且需要极佳的剥离能力从而防止冲洗后光刻胶的剩余物质残留在基板上。此外，需要低的腐蚀性以防止对光刻胶下层的金属膜或绝缘膜的破坏。如果构成剥离剂的溶剂间发生相互作用，该剥离剂的储存稳定性可能会下降并且其物理性能可能会根据制备剥离剂过程中的混合顺序而改变。因此，需要彼此混合时彼此间不反应的溶剂同时即使在高温下也确保稳定性。此外，就毒性而言，当考虑到废物处理时，剥离剂应该对操作者无害并且是环保的。当在高温下进行光刻胶的剥离时，如果出现大量的挥 发，则组分的比例迅速改变，降低了剥离剂的稳定性和操作的重复性。因此，应该使剥离剂的挥发性最小化。此外，应该采用少量的剥离剂来处理多种基板，应该以低成本容易地供给构成剥离剂的组分，并且应该重复利用过量的剥离剂以确保经济效率。 
为了满足上述要求，已经开发出了多种类型的用于光刻胶的剥离剂组合物，其实例如下所述。 
在JP-A-51-72503中公开了最开始开发的光刻胶剥离剂组合物的实例，其中，该剥离剂组合物含有具有10～20个碳原子的烷基苯磺酸和沸点为150℃或更高的非卤化芳香烃。JP-A-57-84456公开了含有二甲亚砜或二乙基亚砜以及有机砜化合物的剥离剂组合物。此外，第4,256,294号美国专利公开了含有烷基芳基磺酸、具有6～9个碳原子的亲水芳香磺酸和沸点为150℃或更高的非卤化芳香烃的剥离剂组合物。然而，上述组合物由于对由铝、铝合金、铜或铜合金制成的导电金属膜的强腐蚀性、强毒性和环境污染而难以应用。 
为了避免上述问题，考虑到了包含多种类型的有机溶剂的剥离剂组合物，该有机溶剂含有彼此混合的水溶性链烷醇胺作为必需组分，该剥离剂组合物的实例如下所述。 
第4,617,251号美国专利公开了基于两种组分的剥离剂组合物，其包含如单乙醇胺(MEA)和2-(2-氨基乙氧基)-1-乙醇(AEE)的有机胺化合物以及如二甲基甲酰胺(DMF)、二甲基乙酰胺(DMAc)、N-甲基吡咯烷二酮(NMP)、二甲亚砜(DMSO)、二甘醇一乙醚乙酸酯和丙二醇单甲醚乙酸酯(PGMEA)的极性溶剂。第4,770,713号美国专利公开了基于两种组分的剥离剂组合物，其包含有机胺化合物以及如N-甲基乙酰胺、二甲基甲酰胺(DMF)、二甲基乙酰胺(DMAc)、N-甲基-N-乙基丙酰胺、二乙基乙酰胺(DEAc)、二丙基乙酰胺(DPAc)、N，N-二甲基丙酰胺和N，N- 二甲基丁酰胺的酰胺溶剂。JP-A-62-49355公开了含有亚烷基聚胺砜化合物(alkylene polyamine sulfone compound)的剥离剂组合物，其中提供了为链烷醇胺和乙二胺和乙二醇一烷基醚(glycol monoalkyl ether)的环氧乙烷。JP-A-63-208043公开了含有水溶性链烷醇胺和1，3-二甲基-2-咪唑啉酮(DMI)的剥离剂组合物。JP-A-63-231343公开了正型光刻胶剥离剂组合物，其含有胺化合物、极性溶剂和表面活性剂。JP-A-64-42653公开了一种剥离剂组合物，其含有50wt％或更多的二甲亚砜(DMSO)，1～50wt％的选自二甘醇一烷基醚、二甘醇二烷基醚、γ-丁内酯和1，3-二甲基-2-咪唑啉酮(DMI)中的一种或多种溶剂，以及如单乙醇胺(MEA)的含氮有机羟基化合物。JP-A-4-124668公开了一种剥离剂组合物，其含有20～90wt％的有机胺，0.1～20wt％的磷酸酯表面活性剂，0.1～20wt％的2-丁炔-1，4-二醇、二甘醇二烷基醚和无质子极性溶剂。就此而言，加入2-丁炔-1，4-二醇和磷酸酯表面活性剂是为了在不降低剥离能力的同时防止金属层被腐蚀。然而，由于该用于剥离光刻胶的组合物对铝和铝合金膜具有差的缓蚀强度，其问题在于在剥离步骤中出现明显的腐蚀并且在为后处理的沉积栅极绝缘膜的过程中形成有缺陷的部分。 
此外，JP-A-4-350660公开了一种剥离剂组合物，其含有1，3-二甲基-2-咪唑啉酮(DMI)、二甲亚砜(DMSO)和水溶性有机胺，并且JP-A-5-281753公开了一种剥离剂组合物，其含有链烷醇胺、砜化合物或亚砜化合物和(C6H6)n(OH)n(n为1、2或3的整数)的羟基化合物。JP-A-8-87118公开了一种剥离剂组合物，其含有50～90wt％的N-烷基链烷醇胺和50～10wt％的二甲亚砜(DMSO)或二甲基甲酰胺(DMF)。然而，在制备液晶显示器和半导体器件的新近方法中，由于加工条件极端，例如在120℃或更高的高温下处理玻璃基板和硅晶片基板，光刻胶 经常要在高温下经受后烘(postbake)。因此，其问题在于：由于明显的固化，通过采用上述剥离剂组合物来进行去除并不理想。 
提出了将含有水和/或羟基胺化合物的光刻胶剥离剂组合物作为用于彻底除去通过采用高温步骤固化的光刻胶的组合物。例如，JP-A-4-289866公开了含有羟基胺、链烷醇胺和水的剥离剂组合物。JP-A-6-266119公开了含有羟基胺、链烷醇胺、水和缓蚀剂的剥离剂组合物。此外，JP-A-7-69618公开了一种剥离剂组合物，其包含按预定比例的如γ-丁内酯(GBL)、二甲基甲酰胺(DMF)、二甲基乙酰胺(DMAc)和N-甲基吡咯烷二酮(NMP)的极性无质子溶剂，含有2-甲基氨基乙醇(N-MAE)的氨基醇以及水。此外，JP-A-8-123043公开了含有氨基醇、水和如二甘醇一丁醚(BDG)的乙二醇烷基醚的剥离剂组合物。JP-A-8-262746公开了含有链烷醇胺、烷氧基烷基胺、乙二醇一烷基醚、糖化合物、季铵碱和水的剥离剂组合物，并且JP-A-9-152721公开了含有链烷醇胺、羟基胺、二甘醇一烷基醚、用作缓蚀剂的如山梨糖醇的糖化合物和水的剥离剂组合物。JP-A-9-96911公开了一种剥离剂组合物，其含有羟基胺、水、酸解离常数(pKa)为7.5～13的胺、水溶性极性有机溶剂和缓蚀剂。然而，由于超高温处理、干法蚀刻、灰化和离子注入步骤而使上述剥离剂组合物劣化。就对交联的光刻胶膜以及在蚀刻步骤中通过与金属副产物反应形成的光刻胶蚀刻残留物的剥离能力，以及对为光刻胶的下部导电膜的铝或铝合金膜的缓蚀能力而言，上述剥离剂组合物是不理想的。此外，存在羟基胺化合物在高温下不稳定经过一段时候后分解的问题。 
上述剥离剂组合物根据组分以及与光刻胶的剥离性能、对金属的腐蚀性、剥离后冲洗步骤的类型、操作的重复性、储存稳定性和经济效率相关的组分的比例而相互之间明显不同，并且仍需要开发一种低 成本的在多种类型的加工条件下具有最佳性能的剥离剂组合物。 
同时，液晶显示器的尺寸已经增大了，并且液晶显示器是大规模生产的。因此，通常采用单晶片处理装置进行光刻胶的剥离，其中，一次处理一个晶片而不是使用大量的剥离剂的浸渍法，并使用对该装置有用的剥离剂组合物。 
例如，公开号为2000-8103的韩国专利特许公开公开了一种剥离剂组合物，其含有5～15wt％的链烷醇胺，35～55wt％的亚砜或砜化合物以及35～55wt％的乙二醇醚。公开号为2000-8553的韩国专利特许公开公开了一种剥离剂组合物，其含有10～30wt％的水溶性胺化合物以及70～90wt％的二甘醇一烷基醚和N-烷基吡咯烷二酮或羟基烷基吡咯烷二酮。然而，上述组合物的缺点在于：尽管对金属的腐蚀性低但在低温下剥离能力差。 
而且，在剥离步骤中，将光刻胶涂覆在整个表面并形成所需图案后，于其上沉积金属膜或如二氧化硅膜或氮化硅膜的绝缘膜，接着除去光刻胶。因此，其优点在于省去了用于对薄膜进行图案化的蚀刻步骤。然而，由于不是对全部光刻胶曝光，因此需要长时间来进行对光刻胶的剥离步骤。 
此外，上述所有组合物的缺点在于：在剥离过程中对光刻胶的剥离时间为10分钟或更长并且在涂覆该组合物的铝或铜线路处出现腐蚀。 
发明内容
技术问题 
本发明人对能够在短时间内剥离光刻胶并且在剥离步骤以及剥离光刻胶的已知步骤中对金属膜或绝缘膜具有低腐蚀性的光刻胶剥离剂组合物进行了研究，结果发现：含有预定比例的水溶性有机胺化合物 和缓蚀剂的光刻胶剥离剂组合物在剥离步骤过程中能够在短时间内在低温下彻底剥离由于过度光刻处理造成的变性的光刻胶膜，即使仅采用水而非异丙醇为中间冲洗溶液进行清洗也不会破坏光刻胶下部的导电膜和绝缘膜，并且具有对在光刻胶下部的导电金属膜或绝缘膜的极佳的缓蚀能力，从而完成了本发明。 
因此，本发明的一个目的为提供一种光刻胶剥离剂组合物，其具有对光刻胶极佳的剥离能力以及对导电膜和绝缘膜高度的防破坏能力或缓蚀能力。 
本发明的另一个目的为提供一种通过采用光刻胶剥离剂组合物来剥离光刻胶的方法。 
本发明的另一个目的为提供一种制备液晶显示器或半导体器件的方法，该方法包括剥离光刻胶的方法。 
技术方案 
本发明提供了一种用于含铝、铜或者铝和铜的基板的光刻胶剥离剂组合物。该光刻胶剥离剂组合物包含：1)缓蚀剂，其包括选自由化学式1、2和3表示的化合物组成的组中的至少一种；2)水溶性有机胺化合物，其重量为所述缓蚀剂重量的2～50倍；以及3)极性溶剂： 
[化学式1] 
Figure G2007800191632D00061
其中，R1和R2彼此相同或不同，并且各自独立地为氢或羟基，以及 
R3为氢、叔丁基、羧酸基(-COOH)、甲酯基(-COOCH3)、乙酯基(-COOC2H5)或丙酯基(-COOC3H7)，
[化学式2] 
其中，R4为氢或含有1～4个碳原子的烷基，以及 
R5和R6彼此相同或不同，并且各自独立地为含有1～4个碳原子的羟烷基， 
[化学式3] 
此外，根据本发明的剥离剂组合物可进一步包含水溶性非离子表面活性剂。 
而且，根据本发明的光刻胶剥离剂组合物可进一步包含非极性溶剂。 
有益效果 
在剥离步骤以及已知的剥离光刻胶的步骤中，根据本发明的光刻胶剥离剂组合物能够在短时间内在低温下彻底剥离由于过度的光刻处理造成的变性的光刻胶膜，即使不使用为中间冲洗溶液的异丙醇也不会破坏光刻胶下部的由铝或铝合金制成的导电膜和绝缘膜，其对在光刻胶下部的如铜或铜合金膜的导电金属膜或绝缘膜具有极佳的缓蚀能力，并且无论光刻胶处理的类型都可将其涂覆在含铝、铜或者铝和铜的基板上。 
附图说明
图1为显示剥离液晶显示器的光刻胶的步骤的剖视图。
图2为显示采用剥离工艺剥离光刻胶的步骤的剖视图。 
具体实施方式
下文中将详细描述构成根据本发明的光刻胶剥离剂组合物的组分。 
在根据本发明的光刻胶剥离剂组合物中，优选将不破坏光刻胶下层的导电金属膜或绝缘膜的化合物用作缓蚀剂1)。即使仅采用水而非异丙醇为中间冲洗溶液进行冲洗，本发明的缓蚀剂也防止了如铝或铝合金膜的导电膜或者绝缘膜被腐蚀。 
通常，当仅采用水而非异丙醇为中间冲洗溶液进行冲洗时，剥离剂中的胺成分与水混合产生具有强腐蚀性的碱的氢氧离子，因此促使金属被腐蚀。然而，在本发明中，即使在碱性环境中缓蚀剂也被用于与铝形成配合物，这样该配合物吸附在铝的表面形成保护膜，从而防止由氢氧离子造成的腐蚀。 
在根据本发明的光刻胶剥离剂组合物中，与被广泛用作已知的铜膜的缓蚀剂的苯并三唑和甲苯基三唑相比，由化学式1、2或3表示的缓蚀剂具有显著提高的缓蚀能力。因此，即使仅加入少量的缓蚀剂，光刻胶下层的如铜或铜合金膜的导电膜也不会腐蚀并且所述缓蚀剂对于除去固化的光刻胶的剩余物质非常有效。 
由化学式1、2或3表示的缓蚀剂的缓蚀机理如下所述。对由化学式1表示的缓蚀剂而言，通过采用碱性溶液使直接加到苯环上的羟基与铝吸附在一起来控制对金属的腐蚀。对由化学式2或3表示的缓蚀剂而言，三唑环富含的氮原子的未共享电子对与铜电子结合(electronically bonded)来控制对金属的腐蚀。 
在根据本发明的光刻胶剥离剂组合物中，所述缓蚀剂可为由化学式1表示的化合物与由化学式2或3表示的化合物的混合物。
在根据本发明的光刻胶剥离剂组合物中，基于所述组合物的总重量，所述缓蚀剂的含量优选为0.01～5wt％并且更优选为0.1～1wt％。如果缓蚀剂的含量低于0.01wt％，当要进行剥离的基板与剥离剂长时间接触后，金属线路可能被部分腐蚀。当其含量大于5wt％时，粘度会增加而降低了剥离能力，并且由于组合物的价格增加，其性价比就不令人满意。 
在根据本发明的光刻胶剥离剂组合物中，水溶性有机胺化合物2)优选为选自由伯氨基醇化合物、仲氨基醇化合物和叔氨基醇化合物组成的组中的至少一种。 
所述氨基醇化合物优选为选自由单乙醇胺(MEA)、1-氨基异丙醇(AIP)、2-氨基-1-丙醇、N-甲基氨基乙醇(N-MAE)、3-氨基-1-丙醇、4-氨基-1-丁醇、2-(2-氨基乙氧基)-1-乙醇(AEE)、2-(2-氨基乙基氨基)-1-乙醇、二乙醇胺(DEA)、三乙醇胺(TEA)和羟乙基哌嗪(HEP)组成的组中的至少一种。考虑到剥离能力、缓蚀能力和经济效率，更优选使用2-(2-氨基乙氧基)-1-乙醇(AEE)。 
水溶性有机胺化合物的含量可为缓蚀剂含量的2～50倍，并且基于所述组合物的总重量，优选为1～60wt％且更优选为3～30wt％。如果水溶性有机胺化合物的含量低于1wt％，对变性的光刻胶的剥离能力不理想。如果其含量超过60wt％，由于粘度增加减少了剥离工艺中渗入到光刻胶中的量，因此增加了剥离时间。此外，增加了不希望出现的对光刻胶下层的导电金属膜的腐蚀。 
在根据本发明的光刻胶剥离剂组合物中，当缓蚀剂1)为两种或更多种组分的混合物时，水溶性有机胺化合物2)优选为伯氨基醇化合物，并且更优选为2-(2-氨基乙氧基)-1-乙醇(AEE)。 
在根据本发明的光刻胶剥离剂组合物中，极性溶剂3)对水非常相 容且为有机化合物并起到溶解光刻胶的溶剂的作用。此外，极性溶剂降低了剥离剂的表面张力从而改善了对光刻胶膜的湿润性能。 
所述极性溶剂优选具有1cP或更低的粘度以及150℃或更高的沸点。所述极性溶剂的具体实例包括：N-甲基吡咯烷酮(NMP)、1，3-二甲基-2-咪唑啉酮(DMI)、二甲亚砜(DMSO)、二甲基乙酰胺(DMAc)、二甲基甲酰胺(DMF)、N-甲基甲酰胺(NMF)、环丁砜或其混合物。 
基于所述组合物的总重量，所述极性溶剂的含量优选为1～95wt％，更优选为35～95wt％，并且最优选为50～95wt％。如果极性无质子溶剂的含量为1wt％或更低，则剥离剂的粘度增加，这降低了剥离剂的剥离能力。因此，优选尽可能多地增加极性溶剂的重量。 
此外，根据本发明的光刻胶剥离剂组合物可进一步包含水溶性非离子表面活性剂。 
而且，根据本发明的光刻胶剥离剂组合物可进一步包含非极性溶剂。 
所述非极性溶剂的实例可包括：BDG(丁基二甘醇)、EDG(乙基二甘醇)、MDG(甲基二甘醇)、TEG(三甘醇)和DEM(二甘醇一乙醚)。 
基于所述组合物的总重量，所述非极性溶剂的含量优选为0～40wt％。优选尽可能低地设定非极性溶剂的含量。当非极性溶剂的量增加时，剥离能力降低产生杂质，并且随着处理的光刻胶的增加产率不利地减少。 
根据本发明的光刻胶剥离剂组合物不破坏光刻胶下部的导电膜和绝缘膜并且具有对光刻胶下部的导电金属膜或绝缘膜极佳的缓蚀能力。 
所述导电金属膜或绝缘膜可为含铝、铜或其合金的单膜或者具有两层或更多层的多层膜，或者为含铝、铜或其合金和钕、钼或其合金 的单膜或者具有两层或更多层的多层膜。 
通常，在制备半导体器件和液晶显示器的过程中，进行一次或多次光刻胶处理。此外，在基板上形成的导电金属膜或绝缘膜可为含铝和/或铜的单膜或者具有两层或更多层的多层膜。在相关技术中，在光刻胶处理过程中将不同的光刻胶剥离剂用于其上形成含铝的导电金属膜或绝缘膜的基板上以及在光刻胶处理过程中将其用于其上形成含铜的导电金属膜或绝缘膜的基板上。 
然而，根据本发明的光刻胶剥离剂组合物对其上形成含铝、铜或者铝和铜的导电金属膜或者绝缘膜的基板具有极佳的剥离和缓蚀能力。换言之，根据本发明的多用途光刻胶剥离剂组合物含有预定比例的水溶性有机胺化合物和缓蚀剂，从而能将其用于任何含铝和/或铜的基板上。 
此外，本发明提供了一种从含铝、铜或者铝和铜的基板上剥离光刻胶的方法。所述方法包括：1)将光刻胶涂覆在形成于基板上的导电金属膜或绝缘膜上，2)在该基板上形成光刻胶图案，3)采用图案化的光刻胶膜作为掩膜来蚀刻导电金属膜或绝缘膜，以及4)采用根据本发明的光刻胶剥离剂组合物剥离光刻胶层。 
另外，本发明提供了一种从含铝、铜或者铝和铜的基板上剥离光刻胶的方法。所述方法包括：1)在整个基板表面涂覆光刻胶，2)在基板上形成光刻胶图案，3)在图案化的基板上沉积导电金属膜或绝缘膜，以及4)采用根据本发明的光刻胶剥离剂组合物剥离光刻胶。 
在剥离光刻胶的方法中，导电金属膜或绝缘膜可为含铝、铜或其合金的单膜或者具有两层或更多层的多层膜，或者为含铝、铜或其合金和钕、钼或其合金的单膜或者具有两层或更多层的多层膜。具体而言，优选Al-Nd/Mo双层膜或Cu/MoX。
在采用根据本发明的光刻胶剥离剂组合物从其上形成精细电路图案的基板上剥离光刻胶的方法中，既可以使用浸渍法也可以使用单晶片处理法，在浸渍法中将要进行剥离的基板同时浸入大量剥离剂中，而在单晶片处理法中将剥离剂逐一喷洒在基板上以除去光刻胶。 
采用根据本发明的光刻胶剥离剂组合物能剥离的光刻胶的实例包括：正型光刻胶、负型光刻胶和正/负双型的光刻胶。能用的光刻胶的实例包括含有光敏化合物的光刻胶，该光敏化合物含有基于酚醛清漆的酚树脂(novolac based phenolresin)和重氮萘醌(diazonaphthoquinone)，但不限制其组分。 
此外，本发明提供了一种制备液晶显示器或半导体器件的方法。该方法包括剥离光刻胶的方法。 
当采用根据本发明的制备方法制备液晶显示器和半导体器件时，当光刻胶被剥离时，具有精细图案的基板既未被腐蚀也未被破坏，并且残留的光刻胶的量少。 
本发明提供了一种光刻胶剥离剂组合物，其能够在短时间内在高温和低温下容易地除去在光刻工艺过程中变性的光刻胶膜，即使仅采用水而非异丙醇为中间冲洗溶液进行冲洗，其也不腐蚀光刻胶下部的由铝、铝合金、铜或铜合金制成的导电膜和绝缘膜。 
尤其是，在本发明中，在剥离光刻胶的剥离工艺中能够在短时间内在低温下彻底剥离由于过度光刻工艺造成的变性的光刻胶膜。 
实施例 
参照下述为解释说明而列出的实施例可以更好地理解本发明，但这些实施例不是为了限制本发明。在下列实施例和比较实施例中，除非特别指明，组合物的组分比例为重量比。 
<实施例1～33>
使用在下表1中描述的组分和构成比例，在常温下搅拌2小时并过滤得到的物质以获得大小为0.1μm的颗粒。从而，制得剥离剂溶液。 
<比较实施例1～6> 
采用如下表1中描述的组分和构成比例使用与实施例1相同的步骤制备剥离剂溶液。 
表1 
Figure G2007800191632D00131
Figure G2007800191632D00141
※AEE：2-(2-氨基乙氧基)-1-乙醇， 
NM[F：N-甲基甲酰胺， 
NMP：N-甲基吡咯烷酮， 
DMAc：二甲基乙酰胺，
MEA：单乙醇胺， 
NMAE：N-甲基氨基乙醇， 
BDG：二甘醇一丁醚， 
EDG：二甘醇一乙醚， 
MDG：甲基二甘醇， 
C1：下化学式5的化合物： 
[化学式5] 
Figure G2007800191632D00151
C2：下化学式6的化合物： 
[化学式6] 
Figure G2007800191632D00152
<试验实施例>评价用于剥离的剥离能力和腐蚀性 
采用下列方法评价在实施例1～33和比较实施例1～6中制备的剥离剂组合物的剥离能力和腐蚀性。 
就用于试验的样品而言，使用了下列两种样品。采用剥离工艺制备像素层玻璃，在经过栅极处理的玻璃上形成2,000
Figure G2007800191632D0015091943QIETU
的Al-Nd层，并在制备LCD的TFT电路的过程中于其上形成200
Figure 2007800191632100002G2007800191632D0015091943QIETU
的Mo层，涂覆含有酚醛清漆树脂(novolac resin)和PAC的正型光刻胶并将其干燥，采用光刻工艺形成图案，并进行湿法蚀刻来制备一种样品。在经过栅极处理的玻璃基板上形成300
Figure 2007800191632100002G2007800191632D0015091943QIETU
的钼合金后于其上形成2,000
Figure 2007800191632100002G2007800191632D0015091943QIETU
的Cu层，涂 覆含有酚醛清漆树脂和PAC的正型光刻胶并将其干燥，采用光刻工艺形成图案，并进行湿法蚀刻来制备另一种样品。 
1.评价剥离能力 
将样品浸入剥离剂溶液中在70℃和50℃下保持1分钟，用去离子水冲洗30秒，并用氮气干燥。干燥完成后，采用光学显微镜以1,000×的放大倍率和电子显微镜(FE-SEM)以5,000～10,000×的放大倍率观察样品以评价对光刻胶的剥离。采用下列标准评价剥离性能。 
※◎：极佳的剥离性能， 
○：可接受的剥离性能， 
△：不可接受的剥离性能， 
×：差的剥离性能。 
2.评价第一腐蚀状态 
进行第一腐蚀状态的评价以评价剥离后在采用去离子水进行冲洗的步骤中的腐蚀状态。将要进行评价的样品浸入丙酮溶液中在40℃下保持10分钟然后用异丙醇冲洗30秒并用去离子水冲洗30秒以待评价。将用于评价的样品浸入50g剥离剂溶液和950g水的溶液混合物中在常温下持续3分钟，用去离子水冲洗30秒，并用氮气干燥。利用电子显微镜(FE-SEM)以50,000～10,000×的放大倍率观察样品的表面、侧面和截面来评价腐蚀状态。 
采用下列标准评价腐蚀状态。 
※◎：Al-Nd和Mo线路的表面和侧面未被腐蚀， 
○：Al-Nd和Mo线路的表面和侧面被轻度腐蚀， 
△：Al-Nd和Mo线路的表面和侧面被部分腐蚀， 
×：Al-Nd和Mo线路的表面和侧面被严重腐蚀。 
3.评价第二腐蚀状态
将样品浸入剥离剂溶液中在70℃下保持10分钟，用去离子水冲洗30秒，然后用氮气干燥。连续重复3次剥离试验后，利用电子显微镜(FE-SEM)以50,000～10,000×的放大倍率观察样品的表面、侧面和截面以评价腐蚀状态。 
采用下列标准评价腐蚀状态。 
※◎：Cu线路的表面和侧面未被腐蚀， 
○：Cu线路的表面和侧面被轻度腐蚀， 
△：Cu线路的表面和侧面被部分腐蚀， 
×：Cu线路的表面和侧面被严重腐蚀。 
评价剥离能力和腐蚀状态，并在下表2中描述结果。 
表2 
Figure G2007800191632D00181
Figure G2007800191632D00191
如表2中所示，所有根据本发明的剥离剂组合物具有极佳的剥离和缓蚀能力。

Claims (23)

1.一种用于含铝、铜或者铝和铜的基板的光刻胶剥离剂组合物，其包含：
1)缓蚀剂，其包括选自由化学式1、2和3表示的化合物组成的组中的至少一种；
2)水溶性有机胺化合物，其重量为所述缓蚀剂重量的2～50倍；以及
3)极性溶剂；
[化学式1]
Figure FSB00000177050500011
其中，R1和R2彼此相同或不同，并且各自独立地为氢或羟基，以及
R3为氢、叔丁基、羧酸基、甲酯基、乙酯基或丙酯基，
[化学式2]
Figure FSB00000177050500021
其中，R4为氢或含有1～4个碳原子的烷基，以及
R5和R6彼此相同或不同，并且各自独立地为含有1～4个碳原子的羟烷基，
[化学式3]
2.根据权利要求1所述的用于含铝、铜或者铝和铜的基板的光刻胶剥离剂组合物，其中，所述极性溶剂3)具有1cP或更低的粘度以及150℃或更高的沸点。
3.根据权利要求1所述的用于含铝、铜或者铝和铜的基板的光刻胶剥离剂组合物，其中，所述缓蚀剂1)为由化学式1表示的化合物与由化学式2或3表示的化合物的混合物。
4.根据权利要求1所述的用于含铝、铜或者铝和铜的基板的光刻胶剥离剂组合物，其中，基于所述组合物的总重量，所述缓蚀剂1)的含量为0.01～5wt％。
5.根据权利要求1所述的用于含铝、铜或者铝和铜的基板的光刻胶剥离剂组合物，其中，所述水溶性有机胺化合物2)包括选自由伯氨基醇化合物、仲氨基醇化合物和叔氨基醇化合物组成的组中的至少一种。
6.根据权利要求1所述的用于含铝、铜或者铝和铜的基板的光刻胶剥离剂组合物，其中，所述水溶性有机胺化合物2)包括选自由单乙醇胺、1-氨基异丙醇、2-氨基-1-丙醇、N-甲基氨基乙醇、3-氨基-1-丙醇、4-氨基-1-丁醇、2-(2-氨基乙氧基)-1-乙醇、2-(2-氨基乙基氨基)-1-乙醇、二乙醇胺、三乙醇胺和羟乙基哌嗪组成的组中的至少一种。
7.根据权利要求1所述的用于含铝、铜或者铝和铜的基板的光刻胶剥离剂组合物，其中，基于所述组合物的总重量，所述水溶性有机胺化合物2)的含量为1～60wt％。
8.根据权利要求1所述的用于含铝、铜或者铝和铜的基板的光刻胶剥离剂组合物，其中，所述缓蚀剂1)为由化学式1表示的化合物与由化学式2或3表示的化合物的混合物，并且所述水溶性有机胺化合物2)为2-(2-氨基乙氧基)-1-乙醇。
9.根据权利要求1所述的用于含铝、铜或者铝和铜的基板的光刻胶剥离剂组合物，其中，所述极性溶剂3)包括选自由N-甲基吡咯烷酮、1，3-二甲基-2-咪唑啉酮、二甲亚砜、二甲基乙酰胺、二甲基甲酰胺、N-甲基甲酰胺和环丁砜组成的组中的至少一种。
10.根据权利要求1所述的用于含铝、铜或者铝和铜的基板的光刻胶剥离剂组合物，其中，基于所述组合物的总重量，所述极性溶剂3)的含量为1～95wt％。
11.根据权利要求1所述的用于含铝、铜或者铝和铜的基板的光刻胶剥离剂组合物，其中，基于所述组合物的总重量，所述极性溶剂3)的含量为50～95wt％。
12.根据权利要求1所述的用于含铝、铜或者铝和铜的基板的光刻胶剥离剂组合物，其另外含有水溶性非离子表面活性剂。
13.根据权利要求1所述的用于含铝、铜或者铝和铜的基板的光刻胶剥离剂组合物，其另外含有非极性溶剂。
14.根据权利要求13所述的用于含铝、铜或者铝和铜的基板的光刻胶剥离剂组合物，其中，所述非极性溶剂包括选自由丁基二甘醇、乙基二甘醇、甲基二甘醇、三甘醇和二甘醇一乙醚组成的组中的至少一种。
15.根据权利要求13所述的用于含铝、铜或者铝和铜的基板的光刻胶剥离剂组合物，其中，基于所述组合物的总重量，所述非极性溶剂的含量为大于0wt％且小于40wt％。
16.一种从含铝、铜或者铝和铜的基板上剥离光刻胶的方法，其包括下列步骤：
1)在形成于基板上的导电金属膜或绝缘膜上涂覆光刻胶；
2)在该基板上形成光刻胶图案；
3)通过采用图案化的光刻胶膜作为掩膜来蚀刻上述导电金属膜或绝缘膜；以及
4)通过采用根据权利要求1～15中任一项所述的光刻胶剥离剂组合物来剥离光刻胶层。
17.根据权利要求16所述的从含铝、铜或者铝和铜的基板上剥离光刻胶的方法，其中，所述导电膜或绝缘膜为含铝、铜或铝铜合金的单膜或者具有两层或更多层的多层膜，或者为含铝、铜、铝铜合金和钕、钼或钕钼合金的单膜或者具有两层或更多层的多层膜。
18.一种制备液晶显示器的方法，其包括权利要求16所述的方法。
19.一种制备半导体器件的方法，其包括权利要求16所述的方法。
20.一种从含铝、铜或者铝和铜的基板上剥离光刻胶的方法，其包括下列步骤：
1)在基板的整个表面涂覆光刻胶；
2)在该基板上形成光刻胶图案；
3)在图案化的基板上沉积导电金属膜或绝缘膜；以及
4)通过采用根据权利要求1～15中任一项所述的光刻胶剥离剂组合物剥离光刻胶层。
21.根据权利要求20所述从含铝、铜或者铝和铜的基板上剥离光刻胶的方法，其中，所述导电膜或绝缘膜为含铝、铜或铝铜合金的单膜或者具有两层或更多层的多层膜，或者为含铝、铜、铝铜合金和钕、钼或钕钼合金的单膜或者具有两层或更多层的多层膜。
22.一种制备液晶显示器的方法，其包括权利要求20所述的方法。
23.一种制备半导体器件的方法，其包括权利要求20所述的方法。
CN2007800191632A 2006-05-26 2007-05-25 光刻胶剥离剂组合物和用该光刻胶剥离剂组合物剥离光刻胶的方法 Active CN101454872B (zh)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2006-0047668 2006-05-26
KR20060047668 2006-05-26
KR1020060047668 2006-05-26
PCT/KR2007/002542 WO2007139315A1 (en) 2006-05-26 2007-05-25 Stripper composition for photoresist

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101454872A CN101454872A (zh) 2009-06-10
CN101454872B true CN101454872B (zh) 2011-04-06

Family

ID=38778797

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2007800191632A Active CN101454872B (zh) 2006-05-26 2007-05-25 光刻胶剥离剂组合物和用该光刻胶剥离剂组合物剥离光刻胶的方法

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JP4773562B2 (zh)
KR (2) KR20070114038A (zh)
CN (1) CN101454872B (zh)
TW (1) TWI362571B (zh)
WO (1) WO2007139315A1 (zh)

Families Citing this family (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101141987B1 (ko) * 2008-08-20 2012-05-17 엔엘티 테크놀로지 가부시키가이샤 용해 변형용 약액 및 용해 변형 처리 방법
US8163655B2 (en) * 2008-09-15 2012-04-24 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method for forming a sacrificial sandwich structure
TWI467349B (zh) * 2008-11-19 2015-01-01 Toagosei Co Ltd 具有經圖案化的導電性高分子膜之基板的製造方法及具有經圖案化的導電性高分子膜之基板
WO2010073887A1 (ja) * 2008-12-25 2010-07-01 ナガセケムテックス株式会社 フォトレジスト剥離剤組成物、積層金属配線基板のフォトレジスト剥離方法及び製造方法
WO2010118916A1 (en) 2009-04-16 2010-10-21 Basf Se Organic photoresist stripper composition
WO2011065603A1 (ko) * 2009-11-26 2011-06-03 주식회사 엘지화학 포토레지스트 스트리퍼 조성물 및 이를 이용한 포토레지스트 박리방법
TWI405053B (zh) * 2009-11-27 2013-08-11 Lg Chemical Ltd 光阻剝離組成物及剝離光阻之方法
KR101169332B1 (ko) * 2010-05-12 2012-07-30 주식회사 이엔에프테크놀로지 포토레지스트 박리액 조성물
KR101721262B1 (ko) * 2010-09-01 2017-03-29 동우 화인켐 주식회사 레지스트 박리액 조성물 및 그를 이용한 박리방법
CN102012645A (zh) * 2010-12-24 2011-04-13 东莞市智高化学原料有限公司 一种光刻胶剥离液
CN102436153B (zh) * 2011-10-28 2013-06-19 绍兴文理学院 印花网版感光胶剥离剂
KR101880308B1 (ko) * 2012-05-24 2018-07-19 동우 화인켐 주식회사 Ｔｆｔ 제조용 레지스트 박리제 조성물 및 이를 이용한 ｔｆｔ의 제조방법
JP6144468B2 (ja) * 2012-08-22 2017-06-07 富士フイルム株式会社 レジスト剥離方法および半導体基板製品の製造方法
KR101946379B1 (ko) * 2012-11-20 2019-02-11 주식회사 동진쎄미켐 포토레지스트 박리액 조성물 및 포토레지스트의 박리방법
KR101668063B1 (ko) * 2013-05-07 2016-10-20 주식회사 엘지화학 포토레지스트 제거용 스트리퍼 조성물 및 이를 사용한 포토레지스트의 박리방법
KR102298038B1 (ko) * 2013-06-26 2021-09-02 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 금속 합금 막을 증착하는 방법들
EP3060642B1 (en) 2013-10-21 2019-11-06 FujiFilm Electronic Materials USA, Inc. Cleaning formulations for removing residues on surfaces
JP5977727B2 (ja) * 2013-11-13 2016-08-24 東京エレクトロン株式会社 基板洗浄方法、基板洗浄システムおよび記憶媒体
WO2015084921A1 (en) 2013-12-06 2015-06-11 Fujifilm Electronic Materials U.S.A., Inc. Cleaning formulation for removing residues on surfaces
KR101710170B1 (ko) * 2014-08-20 2017-02-27 주식회사 엘지화학 포토레지스트용 스트리퍼 폐액의 재생 방법
KR101586453B1 (ko) * 2014-08-20 2016-01-21 주식회사 엘지화학 포토레지스트 제거용 스트리퍼 조성물 및 이를 이용한 포토레지스트의 박리방법
CN108535971B (zh) * 2017-03-03 2023-09-12 易案爱富科技有限公司 光致抗蚀剂去除用剥离液组合物
US11175587B2 (en) * 2017-09-29 2021-11-16 Versum Materials Us, Llc Stripper solutions and methods of using stripper solutions
GB2568516A (en) * 2017-11-17 2019-05-22 Flexenable Ltd Organic semiconductor devices
EP3774680A4 (en) 2018-03-28 2021-05-19 FUJIFILM Electronic Materials U.S.A, Inc. CLEANING COMPOSITIONS
TWI646222B (zh) * 2018-04-25 2019-01-01 達興材料股份有限公司 用於蝕刻一含銅或銅合金層及含鉬或鉬合金層的多層薄膜之蝕刻液組成物及利用此蝕刻液組成物之蝕刻方法以及利用該蝕刻方法以製造顯示裝置或含igzo半導體的方法
CN111223756B (zh) * 2018-11-26 2022-03-29 长鑫存储技术有限公司 晶圆清洗方法及半导体器件制作方法
CN111487845A (zh) * 2019-01-29 2020-08-04 山东浪潮华光光电子股份有限公司 一种可以直接剥离的led管芯电极掩模图形的制作方法
CN113614648A (zh) * 2019-03-25 2021-11-05 松下知识产权经营株式会社 抗蚀剂剥离液
CN111880384B (zh) * 2020-08-10 2022-03-29 深圳市创智成功科技有限公司 用于去除晶圆表面光刻胶的环保型去胶剂

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6225034B1 (en) * 1997-10-16 2001-05-01 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Photoresist stripping liquid compositions and a method of stripping photoresists using the same

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7135445B2 (en) * 2001-12-04 2006-11-14 Ekc Technology, Inc. Process for the use of bis-choline and tris-choline in the cleaning of quartz-coated polysilicon and other materials
JP2003177556A (ja) * 2001-12-12 2003-06-27 Sharp Corp フォトレジスト剥離剤組成物および剥離方法
JP3738992B2 (ja) * 2001-12-27 2006-01-25 東京応化工業株式会社 ホトレジスト用剥離液
KR101017738B1 (ko) * 2002-03-12 2011-02-28 미츠비시 가스 가가쿠 가부시키가이샤 포토레지스트 박리제 조성물 및 세정 조성물
KR100544889B1 (ko) * 2003-05-15 2006-01-24 주식회사 엘지화학 포토레지스트용 스트리퍼 조성물
US6951710B2 (en) * 2003-05-23 2005-10-04 Air Products And Chemicals, Inc. Compositions suitable for removing photoresist, photoresist byproducts and etching residue, and use thereof
JP4056442B2 (ja) * 2003-08-20 2008-03-05 株式会社オリンピア 弾球遊技機
KR20050110955A (ko) * 2004-05-20 2005-11-24 금호석유화학 주식회사 포토레지스트용 스트리퍼 조성물 및 이를 포토레지스트박리에 사용하는 방법
JP2006106616A (ja) * 2004-10-08 2006-04-20 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd ホトレジスト除去用処理液および基板の処理方法
US20060094612A1 (en) * 2004-11-04 2006-05-04 Mayumi Kimura Post etch cleaning composition for use with substrates having aluminum

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6225034B1 (en) * 1997-10-16 2001-05-01 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Photoresist stripping liquid compositions and a method of stripping photoresists using the same

Also Published As

Publication number Publication date
TWI362571B (en) 2012-04-21
KR100913048B1 (ko) 2009-08-25
CN101454872A (zh) 2009-06-10
KR20070114037A (ko) 2007-11-29
JP2009538456A (ja) 2009-11-05
JP4773562B2 (ja) 2011-09-14
KR20070114038A (ko) 2007-11-29
TW200801855A (en) 2008-01-01
WO2007139315A1 (en) 2007-12-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101454872B (zh) 光刻胶剥离剂组合物和用该光刻胶剥离剂组合物剥离光刻胶的方法
JP2527268B2 (ja) レジスト用剥離剤組成物
US6379875B2 (en) Stripper pretreatment
JP2002523546A (ja) 非腐食性のストリッピングおよびクリーニング組成物
JP3514435B2 (ja) ホトレジスト用剥離液およびこれを用いたホトレジスト剥離方法
US20080280235A1 (en) Non-Aqueous Photoresist Stripper That Inhibits Galvanic Corrosion
KR100554685B1 (ko) 레지스트박리제 조성물
KR101082515B1 (ko) 포토레지스트 스트리퍼 조성물 및 이를 이용한 포토레지스트 박리방법
KR100846057B1 (ko) 포토레지스트용 스트리퍼 조성물
KR100544889B1 (ko) 포토레지스트용 스트리퍼 조성물
KR100850163B1 (ko) 포토레지스트용 스트리퍼 조성물
KR101213731B1 (ko) 포토레지스트용 스트리퍼 조성물
KR100440484B1 (ko) 포토레지스트용 스트리퍼 조성물
JP2001022095A (ja) ポジ型レジスト用剥離液
KR101511736B1 (ko) 포토레지스트용 스트리퍼 조성물
KR100794465B1 (ko) 포토레지스트용 스트리퍼 조성물
JP2001022096A (ja) ポジ型レジスト用剥離液
JP3233379B2 (ja) レジスト用剥離液組成物
KR100568558B1 (ko) 구리 배선용 포토레지스트 스트리퍼 조성물
KR100544888B1 (ko) 구리 배선용 포토레지스트 스트리퍼 조성물
JP2004205675A (ja) レジスト剥離剤
KR20040088990A (ko) 포토레지스트 박리액 조성물
JP2024531941A (ja) レジスト剥離液組成物及びそれを用いたパターン形成方法
CN118244593A (zh) 光刻胶剥离用组合物
KR20040089429A (ko) 포토레지스트 박리액 조성물

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant