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CN109790136B - 含呋喃交联基团的聚合物及其应用 - Google Patents

含呋喃交联基团的聚合物及其应用 Download PDF

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Abstract

一种含呋喃交联基团的聚合物及其在有机电子器件中的应用。一种含呋喃交联基团的聚合物,具有如下通式(I):其中,x和y分别表示重复单元,且x和y均是正整数;分别独立选自含有5个‑40个环原子的芳基及含有5个‑40个环原子的杂芳基中的一种;是连接基团,选自烷基、烷氧基、氨基、烯基、炔基、芳烷基及杂烷基中的一种;R2、R3及R4分别独立选自H、D、F、CN、烷基、氟代烷基、芳基、杂芳基、氨基、Si、甲锗基、烷氧基、芳氧基、氟代烷氧基、硅氧烷、甲硅烷氧基、氘代烷基、氘代氟代的烷基、氘代芳基、氘代杂芳基、氘代氨基、氘代硅基、氘代甲锗基、氘代烷氧基、氘代芳氧基、氘代氟代烷氧基、氘代硅氧烷及氘代甲硅烷氧基的一种。

Description

含呋喃交联基团的聚合物及其应用
技术领域
本发明涉及有机光电材料领域,尤其涉及含呋喃交联基团的聚合物及其应用。
背景技术
按照使用有机发光材料的不同,有机发光二极管(OLEDs)可分为两种不同的类型:一种是以有机染料和颜料等为发光材料的小分子有机发光二极管;另一种是以共轭高分子为发光材料的聚合物有机发光二极管(PLEDs),自有机发光二极管发明以来,由于有机小分子和聚合物半导体材料在合成上具有多样性、制造成本相对较低廉和优良的光学与电学性能,有机发光二极管在光电器件(例如平板显示器和照明)的应用方面具有很大的潜力。
为了实现高效的有机电致发光器件,除了开发高性能的发光材料外,电子和空穴分别从阴极和阳极高效的注入也是其中的关键。因此,很多高效的聚合物电致发光器件往往采用多层器件结构,即除了发光层外,还含有至少一层空穴传输/空穴注入层或电子传输/电子注入层。
对小分子真空蒸镀的有机发光二极管而言,很容易通过真空蒸镀方法获得多层、复杂的高效有机电致发光器件,但是由于真空蒸镀方法具有价格昂贵、耗时、浪费材料、难以实现大面积应用等缺点。与之对应的溶液加工型有机发光二极管,由于能够通过低廉的喷墨打印、Roll-to-Roll(“卷对卷”)等溶液加工方法制备大面积、柔性器件等优点,具有广泛的应用前景和商业价值。但由于一般商业化聚合物光电材料具有相似的溶解性,即聚合物发光材料、空穴注入/传输材料、电子注入/传输材料在甲苯、氯仿、氯苯、邻二氯苯、邻二甲苯、四氢呋喃等溶剂中具有良好的溶解性,因此在溶液加工方法制备多层、复杂的聚合物发光二极管时,存在界面混溶、界面侵蚀等问题。例如溶液加工聚合物发光层时,所使用的溶剂会溶解下面的空穴传输层,造成界面混溶、界面侵蚀等问题。
发明内容
基于此,有必要针对采用溶液加工方法制备复杂多层的聚合物发光二极管时存在界面混溶、界面侵蚀的问题,提供一种含呋喃交联基团的聚合物及其在有机电子器件中的应用。
一种含呋喃交联基团的聚合物,所述含呋喃交联基团的聚合物具有如下通式(I):
其中,x和y分别表示重复单元,且x和y均是正整数;
别独立选自含有5个-40个环原子的芳基及含有5个-40个环原子的杂芳基中的一种;
是连接基团,选自烷基、烷氧基、氨基、烯基、炔基、芳烷基及杂烷基中的一种;
R2、R3及R4分别独立选自H、D、F、CN、烷基、氟代烷基、芳基、杂芳基、氨基、Si、甲锗基、烷氧基、芳氧基、氟代烷氧基、硅氧烷、甲硅烷氧基、氘代烷基、氘代氟代的烷基、氘代芳基、氘代杂芳基、氘代氨基、氘代硅基、氘代甲锗基、氘代烷氧基、氘代芳氧基、氘代氟代烷氧基、氘代硅氧烷、氘代甲硅烷氧基及可交联基团中的一种,并且相邻的R2、R3、R4之间可以彼此或与所述基团键合的环形成单环或多环的脂族或芳族环系。
上述含呋喃交联基团的聚合物为共轭高聚物,上述含呋喃交联基团的聚合物的共轭的主链结构赋予聚合物具有如光致发光、电致发光、光伏效应等丰富的光学性能、如半导体特性、载流子传输特性等电学性能,适于制作复杂的多层有机电子器件。上述含呋喃交联基团的聚合物的呋喃交联基团还具有可交联的功能。在酸引发、加热条件下,上述含呋喃交联基团的聚合物发生化学反应可形成三维的不溶不熔的互穿网络聚合物薄膜,具有优异的抗溶剂性能。在制备复杂多层光电器件时即可利用共轭聚合物的溶液加工特性,通过喷墨打印、丝网印刷、旋涂等溶液加工工艺可制备聚合物光电器件,也可利用交联的方式使之形成不溶不熔的三维互穿网络聚合物薄膜,此不溶不熔的三维互穿网络聚合物薄膜具有优异的抗溶剂性能,有利于进行多层聚合物光电器件的溶液加工。
一种混合物,包括上述的含呋喃交联基团的聚合物,及有机功能材料,所述的有机功能材料选自空穴注入材料、空穴传输材料、电子传输材料、电子注入材料、电子阻挡材料、空穴阻挡材料、发光材料及主体材料中的至少一种。
一种组合物,包括上述的含呋喃交联基团的聚合物,及至少一种有机溶剂。
一种有机电子器件,包括上述的含呋喃交联基团的聚合物。具有优良的发光强度及发光效率。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为一个实施例中含呋喃交联基团的聚合物经加热交联处理、未经加热交联处理的膜经甲苯溶液洗脱前后的吸光度曲线变化图;
图2为一个实施例中吲哚芴的1H NMR;
图3为一个实施例中2,7-二溴-6,6,12,12-四辛基吲哚芴的1H NMR。
具体实施方式
本发明提供一种含呋喃交联基团的聚合物及其在有机电子器件中的应用,为使本发明的目的、技术方案及效果更加清楚、明确,以下对本发明进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明,并不用于限定本发明。
本实施方式涉及小分子材料或聚合物材料。
本文中所定义的术语“小分子”是指不是聚合物、低聚物、树枝状聚合物或共混物的分子。小分子中没有重复结构。
高聚物,即Polymer,包括均聚物(homopolymer)、共聚物(copolymer)及镶嵌共聚物(block copolymer),另外在本实施方式中,高聚物也包括树状物(dendrimer)。有关树状物的合成及应用请参见Dendrimers and Dendrons,Wiley-VCH Verlag GmbH&Co.KGaA,2002,Ed.George R.Newkome,Charles N.Moorefield,Fritz Vogtle.。
共轭高聚物(conjugatedpolymer)是一种高聚物,它的主链(backbone)主要是由C原子的sp2杂化轨道构成,如聚乙炔(polyacetylene)和聚苯乙炔(phenylene vinylene),共轭高聚物主链上的C原子的也可以被其他非C原子取代,而且当主链上的sp2杂化被一些自然的缺陷打断时,仍然被认为是共轭高聚物。另外在本实施方式中的共轭高聚物的主链上可选地包含杂环芳烃(heteroaromatic),如芳基胺(aryl amine)及芳基磷化氢(arylphosphine),也可选地包含有机金属络合物(organometallic complexes)。
一种含呋喃交联基团的聚合物,其特征在于,所述含呋喃交联基团的聚合物具有如下通式I:
其中,x和y分别表示重复单元,且x和y均是正整数。
分别独立为含有5个-40个环原子的芳基或含有5个-40个环原子的杂芳基。
是连接基团,选自烷基、烷氧基、氨基、烯基、炔基、芳烷基及杂烷基中的一种。
R2、R3及R4分别独立选自H、D、F、CN、烷基、氟代烷基、芳基、杂芳基、氨基、硅基、甲锗基、烷氧基、芳氧基、氟代烷氧基、硅氧烷、甲硅烷氧基、氘代烷基、氘代氟代的烷基、氘代芳基、氘代杂芳基、氘代氨基、氘代硅基、氘代甲锗基、氘代烷氧基、氘代芳氧基、氘代氟代烷氧基、氘代硅氧烷、氘代甲硅烷氧基及可交联基团中的一种;并且相邻的R2、R3、R4之间可以彼此或与所述基团键合的环形成单环或多环的脂族或芳族环系。
进一步地,分别独立为含有5个~35个环原子的芳香基或含有5个~35个环原子的杂芳基。
进一步地,分别独立为含有5个~30个环原子的芳香基或含有5个~30个环原子的杂芳基。
进一步地,分别独立为含有5个~20个环原子的芳香基或含有5个~20个环原子的杂芳基。
进一步地,分别独立为含有6个~10个环原子的芳香基或含有6个~10个环原子的杂芳基。
进一步地,分别独立为6个~20个环原子的芳香基。
进一步地,分别独立为6个~15个环原子的芳香基。
进一步地,分别独立为6个~10个环原子的芳香基。
进一步地,的芳香基的环系中包括5个~15个碳原子。
进一步地,的芳香基的环系中包括5个~10个碳原子。
进一步地,的杂芳基的环系中包括2个~15个碳原子。
进一步地,的杂芳基的环系中包括2个~10个碳原子,和至少一个杂原子,条件是碳原子和杂原子的总数至少为4。
进一步地,的杂芳基的杂原子选自Si、N、P、O、S及Ge中的至少一种。
进一步地,的杂芳基的杂原子选自Si、N、P、O及S中的至少一种。
进一步地,的杂芳基的杂原子选自N、O或S。
芳香基或芳香环系是指至少包含一个芳环的烃基,包括单环基团和多环的环系统。杂芳环系或杂芳基团是指包含至少一个芳杂环的烃基(含有杂原子),包括单环基团和多环的环系统。这些多环的环数为两个及以上,多环的环系统中两个碳原子被两个相邻的环共用,即稠环。多环的这些环中,至少一个环是芳族的或杂芳族的。对于本实施方式中,芳香族或芳杂族环系不仅包括芳香基或杂芳基的体系,而且,其中多个芳基或多个杂芳基也可以被短的被原子数占比小于10%的非芳族单元间断。进一步地,多个芳基或多个杂芳基被原子数占比小于5%的非H原子间断。非H原子包括C、N及O中的至少一种。
进一步地,芳香基来自下述化合物的一种:9,9′-螺二芴、9,9-二芳基芴。
进一步地,杂芳香基来自下述化合物一种:三芳胺、二芳基醚。
进一步地,芳香基团选自苯、苯的衍生物、萘、萘的衍生物、蒽、蒽的衍生物、菲、菲的衍生物、二萘嵌苯、二萘嵌苯的衍生物、并四苯、并四苯的衍生物、芘、芘的衍生物、苯并芘、苯并芘的衍生物、三亚苯、三亚苯的衍生物、苊、苊的衍生物、芴及芴的衍生物中的一种。
进一步地,杂芳香选自呋喃、呋喃的衍生物、苯并呋喃、苯并呋喃的衍生物、噻吩、噻吩的衍生物、苯并噻吩、苯并噻吩的衍生物、吡咯、吡咯的衍生物、吡唑、吡唑的衍生物、三唑、三唑的衍生物、咪唑、咪唑的衍生物、噁唑、噁唑的衍生物、噁二唑、噁二唑的衍生物、噻唑、噻唑的衍生物、四唑、四唑的衍生物、吲哚、吲哚的衍生物、咔唑、咔唑的衍生物、吡咯并咪唑、吡咯并咪唑的衍生物、吡咯并吡咯、吡咯并吡咯的衍生物、噻吩并吡咯、噻吩并吡咯的衍生物、噻吩并噻吩、噻吩并噻吩的衍生物、呋喃并吡咯、呋喃并吡咯的衍生物、呋喃并呋喃、呋喃并呋喃的衍生物、噻吩并呋喃、噻吩并呋喃的衍生物、苯并异噁唑、苯并异噁唑的衍生物、苯并异噻唑、苯并异噻唑的衍生物、苯并咪唑、苯并咪唑的衍生物、吡啶、吡啶的衍生物、吡嗪、吡嗪的衍生物、哒嗪、哒嗪的衍生物、嘧啶、嘧啶的衍生物、三嗪、三嗪的衍生物、喹啉、喹啉的衍生物、异喹啉、异喹啉的衍生物、邻二氮萘、邻二氮萘的衍生物、喹喔啉、喹喔啉的衍生物、菲啶、菲啶的衍生物、伯啶、伯啶的衍生物、喹唑啉、喹唑啉的衍生物、喹唑啉酮及喹唑啉酮的衍生物中的一种。
进一步地,分别独立选自如下结构基团中的一种:
其中,A1、A2、A3、A4、A5、A6、A7及A8分别独立为CR5或N;
Y1选自CR6R7、SiR8R9、NR10、C(=O)、S及O中的一种;
R5~R10分别独立选自H、D、具有1个~20个C原子的直链烷基、具有1个~20个C原子的烷氧基、具有1个~20个C原子的硫代烷氧基、具有3个~20个C原子的支链烷基、具有3个~20个C原子的环状烷基、具有3个~20个C原子的烷氧基、具有3个~20个C原子的硫代烷氧基、具有3个~20个C原子的甲硅烷基、具有1个~20个C原子的取代的酮基、具有2个~20个C原子的烷氧基羰基、具有7个~20个C原子的芳氧基羰基、氰基(-CN)、氨基甲酰基(-C(=O)NH2)、卤甲酰基(-C(=O)-X其中X代表卤素原子)、甲酰基(-C(=O)-H)、异氰基、异氰酸酯基、硫氰酸酯基、异硫氰酸酯基、羟基、硝基、CF3、Cl、Br、F、可交联的基团、具有5个~40个环原子的芳基、具有5个~40个环原子的杂芳族基、具有5个~40个环原子的芳氧基、具有5个~40个环原子的杂芳氧基中的一种,其中一个或多个基团R5~R10可以彼此或与所述基团键合的环形成单环或多环的脂族或芳族环。
进一步地,分别独立选自如下结构基团中的一种:
进一步地,分别独立为环芳香基团。
进一步地,分别独立选自苯、联苯、菲、苯并菲、芴、吲哚芴及上述化合物的衍生物形成的基团中的一种。
进一步地,分别独立选自三苯胺、二苯并噻吩、二苯并呋喃、二苯并硒吩、呋喃、噻吩、苯并呋喃、苯并噻吩、苯并硒吩、咔唑、吲哚咔唑-吡啶吲哚、吡咯并双吡啶(pyrrolodipyridine)、吡唑、咪唑、三唑类、恶唑、噻唑、恶二唑、恶三唑、二恶唑、噻二唑、吡啶、哒嗪、嘧啶、吡嗪、三嗪类、恶嗪,恶噻嗪、噁二嗪(oxadiazines)、吲哚、苯并咪唑、吲唑、吲哚吖嗪(indoxazine)、二苯并恶唑(bisbenzoxazoles)、异恶唑、苯并噻唑、喹啉、异喹啉、噌啉(cinnoline)、喹唑啉、喹喔啉、萘、酞、蝶啶、氧杂蒽、吖啶、吩嗪、吩噻嗪、吩噁嗪(phenoxazines)、苯并呋喃并吡啶(benzofuropyridine)、呋喃联吡啶(furodipyridine)、苯并噻吩并吡啶(benzothienopyridine)、噻吩并吡啶(thienodipyridine)、苯并硒基羟基喹啉(benzoselenophenopyridine)及硒基羟基喹啉(selenophenodipyridine)形成的基团中的一种。
进一步地,分别独立具有如下结构基团中的一种:
其中u是1~4的整数。
进一步地,中所指的芳香基和杂芳基团可以进一步被取代,取代基可选自氢、氘,烷基、烷氧基、氨基、烯基、炔基、芳烷基、杂烷基、芳基及杂芳基中的一种。
一般地,共轭聚合物包含有至少一个主链结构单元。主链结构单元一般具有较大的能隙的π-共轭结构单元,也称骨干单元(Backbone Unit)。骨干单元可选自单环芳基、多环芳基、单环杂芳基及多环杂芳基中的至少一种。本实施方式中,共轭聚合物包括至少两个主链结构单元。
进一步地,主链结构单元的摩尔百分含量是≥40%。
进一步地,主链结构单元的摩尔百分含量是≥50%。
进一步地,主链结构单元的摩尔百分含量是≥55mol%。
进一步地,主链结构单元的摩尔百分含量是≥60mol%。
在有支链(侧链)结构的高分子链中,链节数最多的链或者重复单元数最多的链,称为聚合物主链。
进一步地,是高聚物主链结构单元,选自苯、联苯、三苯基、苯并、芴、吲哚芴、咔唑、吲哚咔唑、二苯并噻咯、二噻吩并环戊二烯、二噻吩并噻咯、噻吩、蒽、萘、苯并二噻吩、苯并呋喃、苯并噻吩、苯并硒吩及上述化合物的衍生物形成的基团中的一种。
在某些实施例中,本实施方式的聚合物具有空穴传输特性。
进一步地,为具有空穴传输特性的基团。
进一步地,为具有空穴传输特性的基团,选自芳香胺、三苯胺、萘胺、噻吩、咔唑、二苯并噻吩、二噻吩并环戊二烯、二噻吩并噻咯、二苯并硒吩、呋喃、噻吩、苯并呋喃、苯并噻吩、苯并硒吩、咔唑、吲哚咔唑及及上述化合物的衍生物形成的基团中的一种。
进一步地,具有化学式1表示的结构:
其中Ar1、Ar2及Ar3在多次出现时可独立选择相同的形式,也可以独立的选自不同的形式。
-Ar1-为单键、单核芳基、多核芳基、单核杂芳基或多核杂芳基,此芳基或杂芳基可以被其他侧链取代的。
Ar2为单核芳基、多核芳基、单核杂芳基或多核杂芳基,此芳基或杂芳基可以是被其他侧链取代的。
Ar3为单核芳基、多核芳基、单核杂芳基或多核杂芳基。此芳基或杂芳基可以是被其他侧链取代的。
进一步地,Ar3也可以通过桥接基团与化学式1中的其他部分相联接。
n为1~5的整数。
进一步地,化学式1所表示的结构单元为下述化学式2(a)及化学式2(b)中的一种:
其中,Ar4、Ar6、Ar7、Ar10、Ar11、Ar13及Ar14分别为单核芳基、多核芳基、单核杂芳基或多核杂芳基,此芳基或杂芳基可以是被其他侧链取代的。
Ar5、Ar8、Ar9及Ar12分别为单核芳基、多核芳基、单核杂芳基或多核杂芳基,此芳基或杂芳基可以是被其他侧链取代的。
进一步地,Ar5、Ar8、Ar9及Ar12也可选地,分别通过桥接基团与化学式2中的其他部分相联接。
进一步地,化学式1和化学式2中的Ar1~Ar14分别独立选自苯(phenylene)、萘(naphthalene)、蒽(anthracene)、芴(fluorene)、螺双芴(spirobifluorene)、吲哚芴(indenofuorene)、菲(phenanthrene)、噻吩(thiophene)、吡咯(pyrrole)、咔唑(carbazole)、联萘(binaphthalene)及脱氢菲(dehydrophenanthrene)中的一种。
进一步地,化学式1和化学式2分别独立具有如下结构中的一种:
R的是取代基。
进一步地,具有化学式3表示的结构
其中,D1和D2分别独立选自如下化合物形成的基团中的一种:噻吩(thiophene)、硒酚(selenophene)、噻吩酮[2,3b]噻吩(thieno[2,3b]thiophene)、噻吩酮[3,2b]噻吩(thieno[3,2b]thiophene)、二噻吩并噻吩(dithienothiophene)、吡咯(pyrrole)和苯胺(aniline)。可以理解的是上述化合物都可非强制性的被如下基团取代:卤素、-CN、-NC、NCO-、NCS-、-OCN、-SCN、-C(=O)NR0R00、-C(=O)X、-C(=O)R0、-NH2、-NR0R00、-SH、-SR0、-SO3H、-SO2R0、-OH、-NO2、-CF3、-SF5、具有1个-40个C原子的甲硅烷基(silyl)、具有1个-40个C原子的二价碳基(carbyl)及具有1个-40个C原子的烃基(hydrocarbyl),其中R0、R00分别为取代基。
Ar15和Ar16分别独立选自单核芳基、多核芳基、单核杂芳基或多核杂芳基。它们可非强制性地稠合到各自临近的D1和D2
进一步地,Ar15和Ar16分别独立选自苯(phenylene)、萘(naphthalene)、蒽(anthracene)、芴(fluorene)、螺双芴(spirobifluorene)、吲哚芴(indenofuorene)、菲(phenanthrene)、噻吩(thiophene)、吡咯(pyrrole)、咔唑(carbazole)、联萘(binaphthalene)及脱氢菲(dehydrophenanthrene)中的一种。
n1~n4分别独立选择0到4的整数。
进一步的合适的有空穴传输特性的单元对应于小分子空穴传输材料(HTM)。合适的HTM材料包括具有如下结构单元的化合物中的至少一种:酞菁(phthlocyanine)、卟啉(porphyrine)、胺(amine)、噻吩(thiophene)、并噻吩(fused thiophene)(如二噻吩并噻吩(dithienothiophene)和并噻吩(dibenzothiphene))、吡咯(pyrrole)、苯胺(aniline)、咔唑(carbazole)、氮茚并氮芴(indolocarbazole)、酞菁的衍生物、卟啉的衍生物、胺的衍生物、噻吩的衍生物、并噻吩的衍生物(如二噻吩并噻吩的衍生物和并噻吩的衍生物)、吡咯的衍生物、咔唑的衍生物及氮茚并氮芴的衍生物。
进一步地,可用作HTM的环芳香胺衍生化合物包如下结构中的至少一种:
其中,Ar1~Ar9分别独立为环芳香烃基团或芳香杂环基团。
进一步地,Ar1~Ar9分别独立选自苯基、联苯基、三苯基、苯并基、萘基、蒽基、亚苯基、菲基、芴基、芘基、屈基、苝基及薁基中的一种。
进一步地,Ar1~Ar9分别独立选自如下化合物形成的基团中的一种:二苯并噻吩、二苯并呋喃、呋喃、噻吩、苯并呋喃、苯并噻吩、咔唑、吡唑、咪唑、三氮唑、异恶唑、噻唑、恶二唑、oxatriazole、二恶唑、噻二唑、吡啶、哒嗪、嘧啶、吡嗪、三嗪、恶嗪、oxathiazine、噁二嗪(oxadiazines)、吲哚、苯并咪唑、吲唑、、吲哚吖嗪(indoxazine)、苯并恶唑、benzisoxazole、苯并噻唑、喹啉、异喹啉、邻二氮(杂)萘、喹唑啉、喹喔啉、萘、酞、蝶啶、氧杂蒽、吖啶、吩嗪、吩噻嗪、吩恶嗪、二苯硒吩(dibenzoselenophene)、苯硒吩(benzoselenophene)、呋喃联吡啶(benzofuropyridine)、吲哚并咔唑(indolocarbazole)、吡啶吲哚(pyridylindole)、吡咯并双吡啶(pyrrolodipyridine)、呋喃联吡啶(furodipyridine)、苯并噻吩并吡啶(benzothienopyridine)、噻吩并吡啶(thienodipyridine)、苯并硒基羟基喹啉(benzoselenophenopyridine)及硒基羟基喹啉(selenophenodipyridine);包含有2至10环结构的基团,它们可以是相同或不同类型的环芳香烃基团或芳香杂环基团,并彼此直接或通过至少一个以下的基团连结在一起:氧原子、氮原子、硫原子、硅原子、磷原子、硼原子、链结构单元和脂肪环基团。其中,每个Ar1~Ar9可以进一步被取代,取代基选自氢、烷基、烷氧基、氨基、烯基、炔基、芳烷基、杂烷基、芳基和杂芳基中的一种。
在其中的一个实施例中,Ar1~Ar9分别独立包括如下基团中的至少一种:
其中,n5为1~20的整数。X1~X8是CH或N。
进一步地,可用作HTM的环芳香胺衍生化合物选自US3567450、US4720432、US5061569、US3615404及US5061569中的一种。
进一步地,HTM选自如下化合物形成的基团中的一种:
以上所述HTM都可以以空穴传输结构单元结合到本实施方式的聚合物中。
在某些实施例中,本实施方式的聚合物具有电子传输特性。
进一步地,选于具有电子传输特性的单元。
进一步地,选自吡唑、咪唑、三唑类、恶唑、噻唑、恶二唑、恶三唑、二恶唑、噻二唑、吡啶、哒嗪、嘧啶、吡嗪、三嗪类、恶嗪,恶噻嗪、噁二嗪(oxadiazines、)吲哚、苯并咪唑、吲唑、吲哚吖嗪(indoxazine)、二苯并恶唑(bisbenzoxazoles)、异恶唑、苯并噻唑、喹啉、异喹啉、噌啉(cinnoline)、喹唑啉、喹喔啉、萘、酞、蝶啶、氧杂蒽、吖啶、吩嗪、吩噻嗪、吩噁嗪(phenoxazines)、苯并呋喃并吡啶(benzofuropyridine)、呋喃联吡啶(furodipyridine)、苯并噻吩并吡啶(benzothienopyridine)、噻吩并吡啶(thienodipyridine)、苯并硒基羟基喹啉(benzoselenophenopyridine)及硒基羟基喹啉(selenophenodipyridine)形成的基团中的一种。
具有电子传输特性的单元对应为电子传输材料ETM。ETM有时也称n型有机半导体材料。原则上,合适的ETM材料的例子并不受特别的限制,任何金属络合物或有机化合物都可能被用作为ETM,只要它们可以传输电子。
进一步地,ETM材料可选自三(8-羟基喹啉)铝(AlQ3)、吩嗪(Phenazine)、菲罗啉(Phenanthroline)、蒽(Anthracene)、菲(Phenanthrene)、芴(Fluorene)、二芴(Bifluorene)、螺二芴(Spiro-bifluorene)、对苯乙炔(Phenylene-vinylene)、三嗪(triazine)、三唑(triazole)、咪唑(imidazole)、芘(Pyrene)、苝(Perylene)、反茚并芴(trans-Indenofluorene)、顺茚并(cis-Indenonfluorene)、二苯并-茚并芴(Dibenzol-indenofluorene)、茚并萘(Indenonaphthalene)、苯并蒽(benzanthracene)及上述化合物的衍生物。
进一步地,可用作ETM的化合物至少包括如下基团中的一种:
其中,R1选自氢、烷基、烷氧基、氨基、烯基、炔基、芳烷基、杂烷基、芳基和杂芳基中的一种。当它们是芳基或杂芳基时,它们与上述HTM中的Ar1意义相同,Ar1~Ar5与在HTM中所描述的Ar1意义相同。X1~X8分别独立为CR1或N。
进一步地,ETM选自如下化合物中的一种:
以上所述的ETM都可以电子传输结构单元结合到本实施方式的聚合物中。
进一步地,上述含呋喃交联基团的聚合物具有如下通式(II):
其中,a、b及c分别为mol%,且大于0,a+b+c=1,的含义相同。
进一步地,选自于不同的光电功能基团。
光电功能基团可参照相应的有机功能材料,有机功能材料包括空穴注入或空穴传输材料(HIM/HTM)、空穴阻挡材料(HBM)、电子注入或电子传输材料(EIM/ETM)、电子阻挡材料(EBM)、有机主体材料(Host)、单重态发光体(荧光发光体)及三重态发光体(磷光发光体)。进一步的,光电功能基团为发光有机金属络合物。例如在WO2010135519A1、US20090134784A1和WO 2011110277A1中对各种有机功能材料有详细的描述。
光电功能基团可选自具有如下功能的基团中的一种:空穴(也称电洞)注入功能基团或空穴传输功能基团,空穴阻挡功能基团,电子注入功能基团或电子传输功能基团,电子阻挡功能基团,有机主体功能基团,单重态发光功能基团,三重态发光功能基团及热激发延迟荧光功能基团。
进一步地,选自具有单重态发光功能、三重态发光功能及热激发延迟荧光功能的基团中的一种。
进一步地,c为1%-30%。更进一步地,c为2%-20%,再进一步地,c为3%-15%。
通式(I)中,一个连接基团。
进一步地,为具有2个~30个碳原子的烷基、烷氧基、氨基、烯基、炔基、芳烷基、杂烷基、芳基和杂芳基。
进一步地,为烷基、烷氧基、氨基、烯基、炔基、芳烷基或杂烷基。
进一步地,为具有1个~30个碳原子的烷基、具有1个~30个碳原子的烷氧基、苯、联苯、三苯基、苯并、噻吩、蒽、萘、苯并二噻吩、芳香胺、二苯并噻吩、二噻吩并环戊二烯、二噻吩并噻咯、二苯并硒吩、苯并呋喃、苯并噻吩、苯并硒吩、咔唑或呋喃。
进一步地,为含有5个~60个环原子的芳基或含有5个~60个环原子的杂芳基团。
进一步地,通式(I)中,R2、R3及R4分别独立选自D、卤素杂原子(例如,包括F、Cl、Br及I)、腈基、硝基、羟甲基、醛基、胺基、C1-C30的烷基、C1-C30的烷氧基、苯基、联苯基、三苯基、苯并基、噻吩、蒽、萘、苯并二噻吩、芳香胺、三苯胺、萘胺、咔唑、二苯并噻吩、二噻吩并环戊二烯、二噻吩并噻咯、二苯并硒吩、苯并呋喃、苯并噻吩、苯并硒吩及呋喃中的一种。
进一步地,与呋喃交联基团构筑的侧链单元选自如下一种:
具体地,呋喃交联基团选自如下化合物形成的基团中的一种:
进一步地,呋喃交联基团的摩尔百分含量y≤50%,更进一步地,呋喃交联基团的摩尔百分含量y≤40mol%,更进一步地,呋喃交联基团的摩尔百分含量y≤30%,更进一步地,呋喃交联基团的摩尔百分含量y≤20%。
进一步地,为了便于对本实施方式涉及的含呋喃交联基团的共轭聚合物的理解,以下列举含呋喃交联基团的共轭聚合物的例子:
上述含呋喃交联基团的聚合物合成时,先合成带有功能化的含呋喃交联基团的共轭有机单体,再通过聚合反应合成含呋喃交联基团的聚合物。
根据含呋喃交联基团的聚合物的结构及取代基的不同,合成方法会有所不同,以下根据含呋喃交联基团的聚合物的结构做进一步详细阐述。
进一步地,聚合反应包括过渡金属催化偶联(Suzuki Polymerization,HeckPolymerization,Sonogashira Polymerization,Still Polymerization)、Witting反应。
可以理解的是,通过控制反应时间、反应温度、单体配比、反应压强、溶度、催化剂用量、配体比例、相转移催化剂等参数可以控制聚合物的分子量以及分散系数。
具体地,含呋喃交联基团的聚合物的合成路线如下:
当合成多元(三元或者三元以上)的含呋喃基团的共轭聚合物时,其合成方法是先合成含呋喃交联基团的有机共轭单体,然后将包括含呋喃交联基团的有机共轭单体的多种(三种或者三种以上)单体聚合反应方法得到上述的含呋喃交联基团的聚合物。当然,可以通过控制反应时间、反应温度、单体配比、反应压强、溶度、催化剂用量、配体比例、相转移催化剂等参数来控制聚合物的分子量以及分散系数。
具体地,多元(三元或者三元以上)的含呋喃基团的共轭聚合物的合成路线如下:
当R1为芳香基或者杂芳基环时,含呋喃交联基团的共轭有机单体的合成路线如下:
初始原料A(商业化化学试剂)通过亲电取代反应(如氯化、溴化、碘化等卤化反应)得到化合物B,化合物B在Pd-Cu共催化剂的作用下,发生交叉偶联反应,得到目标化合物。化合物B中的X为Cl、Br或I。
进一步地,交叉偶联反应包括CSuzuki、Stile、格氏反应、Heck、Sonogashira。交叉偶联反应中的试剂还包括M,M选自呋喃硼酸、呋喃锡试剂、格氏试剂、呋喃乙炔基、呋喃乙烯及上述化合物的衍生物中的一种。
当R1为烷基或者烷氧基时,含呋喃交联基团的共轭有机单体的合成路线如下:
初始原料D(商业化化学试剂或者通过化学方法合成)通过亲核取代反应(如williamson成醚反应)得到化合物E,化合物E与呋喃衍生物通过williamson成醚反应或格氏反应得到目标化合物F。呋喃衍生物中的Y为羟基、羟甲基或格氏试剂形成的基团。化合物E中的X为Cl、Br或I。
当然,含呋喃交联基团的共轭有机单体的合成路线不局限于采用上述的路线。
一种混合物,包括上述含呋喃交联基团的聚合物,及至少另一种有机功能材料。该有机功能材料包括空穴(也称电洞)注入或传输材料(HIM/HTM),空穴阻挡材料(HBM),电子注入或传输材料(EIM/ETM),电子阻挡材料(EBM),有机基质材料(Host),单重态发光体(荧光发光体),重态发光体(磷光发光体),特别是发光有机金属络合物。
进一步地,在WO2010135519A1,US20090134784A1和WO 2011110277A1中对各种有机功能材料有详细的描述。可以理解的是,有机功能材料可以是小分子材料,也可以是高聚物材料。
混合物还包括荧光发光体(或单重态发光体)。其中,上述含呋喃交联基团的聚合物作为主体,荧光发光体的重量百分比≤15wt%。进一步地,荧光发光体的重量百分比≤12wt%,进一步地,荧光发光体的重量百分比≤9wt%。进一步地,荧光发光体的重量百分比≤8wt%,更进一步地,荧光发光体的重量百分比≤7wt%。
单重态发光体具有较长的共轭π电子系统。例如在JP2913116B和WO2001021729A1中公开的苯乙烯胺及其衍生物,在WO2008/006449和WO2007/140847中公开的茚并芴及其衍生物。
进一步地,单重态发光体选自一元苯乙烯胺,二元苯乙烯胺,三元苯乙烯胺,四元苯乙烯胺,苯乙烯膦,苯乙烯醚和芳胺中一种。
一元苯乙烯胺是指包括一个苯乙烯基及至少一个胺基的化合物。进一步地,一元苯乙烯胺为芳香胺。
二元苯乙烯胺是指包括两个苯乙烯基及至少一个胺基的化合物。进一步地,二元苯乙烯胺为芳香胺。
三元苯乙烯胺是指包括三个苯乙烯基及至少一个胺基的化合物。进一步地,三元苯乙烯胺为芳香胺。
四元苯乙烯胺是包括四个苯乙烯基及至少一个胺基的化合物。进一步地,四元苯乙烯胺为芳香胺。
更进一步地,苯乙烯是二苯乙烯。
芳基胺或芳香胺是指包含三个直接联接氮的芳香环或杂环的化合物。进一步地,这些芳香环或杂环的环系统中包括稠环,更进一步地,芳香胺至少14个碳原子。
进一步地,芳香胺选自芳香蒽胺,芳香蒽二胺,芳香芘胺,芳香芘二胺,芳香屈胺和芳香屈二胺中的一种。
芳香蒽胺是二元芳基胺基团直接联到蒽上的化合物。
进一步地,二元芳基胺基团直接联到蒽的9位置上。
芳香蒽二胺是二个二元芳基胺基团直接联到蒽上的化合物。
进一步地,二元芳基胺基团直接联到蒽的碳9和碳10的位置上。
芳香芘胺、芳香芘二胺、芳香屈胺和芳香屈二胺的定义与芳香蒽胺的定义类似。
进一步地,其中二元芳基胺基团联到芘的碳1,或者碳1和碳6位置上。
基于乙烯胺及芳胺的单重态发光体与下述专利文件中的单重态发光体相同:WO2006/000388、WO 2006/058737、WO 2006/000389、WO 2007/065549、WO 2007/115610、US7250532 B2、DE 102005058557 A1、CN 1583691 A、JP 08053397 A、US 6251531 B1、US2006/210830 A、EP 1957606 A1和US 2008/0113101 A1。
基于均二苯乙烯及其衍生物的单重态发光体的专利有US 5121029。
进一步地,单重态发光体可单重态发光体为茚并芴-胺、茚并芴-二胺,苯并茚并芴-胺、苯并茚并芴-二胺、二苯并茚并芴-胺或二苯并茚并芴-二胺。
进一步地,单重态发光体为多环芳烃化合物。
进一步地,单重态发光体选自于蒽、萘、四苯、氧杂蒽、菲、芘、茚并芘、苯撑、二茚并芘、十环烯、六苯并苯、芴、螺二芴、芳基芘、亚芳香基乙烯、环戊二烯、红荧烯、香豆素、若丹明、喹吖啶酮、吡喃、噻喃、双(吖嗪基)亚胺硼、双(吖嗪基)亚甲基、carbostyryl、噁嗪酮、苯并恶唑、苯并噻唑、苯并咪唑及吡咯并吡咯二酮的衍生物中的一种。
进一步地,单重态发光体选自蒽、萘、四苯、氧杂蒽、菲、芘、茚并芘、苯撑、二茚并芘、十环烯、六苯并苯、芴、螺二芴、芳基芘、亚芳香基乙烯、环戊二烯、红荧烯、香豆素、若丹明、喹吖啶酮、吡喃、噻喃、双(吖嗪基)亚胺硼化合物、双(吖嗪基)亚甲基化合物、carbostyryl化合物、噁嗪酮、苯并恶唑、苯并噻唑、苯并咪唑及吡咯并吡咯二酮的衍生物中的一种。
更进一步地,单重态发光体选自9,10-二(2-萘并蒽)、2,5,8,11-四-t-丁基苝、4,4’-双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1’-联苯及4(二氰基亚甲基)-6-(4-对二甲氨基苯乙烯基-2-甲基)-4H-吡喃(DCM)的衍生物中的一种。
进一步地,单重态发光体选自下述专利文件中的至少一种:US20070252517 A1、US4769292、US6020078、US2007/0252517 A1及US2007/0252517 A1。
具体地,单重态发光体为如下结构中的一种:
进一步地,混合物包括上述含呋喃交联基团的聚合物和热激发延迟荧光(TADF)材料。
传统有机荧光材料只能利用电激发形成的25%单线态激子发光,器件的内量子效率较低,最高效率为25%。尽管磷光材料由于重原子中心强的自旋-轨道耦合增强了系间穿越,可以有效利用电激发形成的单线态激子和三线态激子发光,使器件的内量子效率达到100%。但磷光材料昂贵,材料稳定性差,器件效率滚降严重等问题限制了其在有机发光二极管(OLED)中的应用。热激活延迟荧光发光材料是继有机荧光材料和有机磷光材料之后发展的第三代有机发光材料。该类材料一般具有小的单线态-三线态能级差(ΔEst),三线态激子可以通过反系间穿越转变成单线态激子发光。这可以充分利用电激发下形成的单线态激子和三线态激子。器件内量子效率可达到100%。同时材料结构可控,性质稳定,价格便宜无需要贵金属,在OLED领域的应用前景广阔。
TADF材料需要具有较小的单线态-三线态能级差,进一步地,ΔEst<0.3eV,更进一步地,ΔEst<0.2eV,在更进一步地,ΔEst<0.1eV。
进一步地,TADF材料与下述专利文件相同:CN103483332(A)、TW201309696(A)、TW201309778(A)、TW201343874(A)、TW201350558(A)、US20120217869(A1)、WO2013133359(A1)、WO2013154064(A1)、Adachi,et.al.Adv.Mater.,21,2009,4802、Adachi,et.a1.Appl.Phys.Lett.,98,2011,083302、Adachi,et.al.Appl.Phys.Lett.,101,2012,093306、Adachi,et.al.Chem.Commun.,48,2012,11392、Adachi,et.al.Nature Photonics,6,2012,253、Adachi,et.al.Nature,492,2012,234、Adachi,et.al.J.Am.Chem.Soc,134,2012,14706、Adachi,et.al.Angew.Chem.Int.Ed,51,2012,11311、Adachi,et.al.Chem.Commun.,48,2012,9580、Adachi,et.al.Chem.Commun.,48,2013,10385、Adachi,et.al.Adv.Mater.,25,2013,3319、Adachi,et.al.Adv.Mater.,25,2013,3707、Adachi,et.al.Chem.Mater.,25,2013,3038、Adachi,et.al.Chem.Mater.,25,2013,3766、Adachi,et.al.J.Mater.Chem.C.,1,2013,4599或Adachi,et.al.J.Phys.Chem.A.,117,2013,5607。
具体地,TADF材料为下述化合物中的一种:
进一步地,混合物包括上述含呋喃交联基团的聚合物和磷光发光体(或三重态发光体)。其中,上述含呋喃交联基团的聚合物作为主体,磷光发光体的重量百分比≤30wt%,进一步地,磷光发光体的重量百分比≤25wt%,进一步地,磷光发光体的重量百分比≤20wt%,更进一步地,磷光发光体的重量百分比≤18wt%。
三重态发光体也称磷光发光体。
进一步地,三重态发光体具有通式M(L)w的金属络合物,其中M是金属原子,L是有机配体,有机配体L通过位置键接或配位连接到金属原子M上,w是一个大于1的整数进一步地,w是1~6的整数。金属络合物M(L)w通过位置键联到上述含呋喃交联基团的聚合物上,更进一步地,金属络合物M(L)w通过有机配体键联到上述含呋喃交联基团的聚合物上。
进一步地,金属原子M为过渡金属元素,更进一步地,金属原子M为镧系元素或锕系元素,更进一步地,金属原子M为Ir、Pt、Pd、Au、Rh、Ru、Os、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Re、Cu或Ag,再更进一步地,金属原子M为Os、Ir、Ru、Rh、Re、Pd或Pt。
进一步地,三重态发光体包含有螯合配体,即配体,通过至少两个结合点与金属配位。螯合配体有利于提高金属络合物的稳定性。
更进一步地,三重态发光体包含有两个配体的双齿配体,其中,该两个配体可以是相同的配体,也可以是不同的配体。
更进一步地,三重态发光体包含有三个配体的多齿配体,其中,该三个配体可以是相同的配体,也可以是不相同的配体。
进一步地,有机配体L选自苯基吡啶衍生物、7,8-苯并喹啉衍生物、2(2-噻吩基)吡啶衍生物、2(1-萘基)吡啶衍生物或2苯基喹啉衍生物。当然,所有这些有机配体都可能被取代,例如被含氟或三氟甲基取代。辅助配体为乙酸丙酮或苦味酸。
进一步地,三重态发光体的金属络合物有如下形式:
其中M是金属原子,M为过渡金属原子,进一步为镧系原子或锕系原子。
Ar11是环状基团,其中至少包含有一个施主原子,即有一孤对电子的原子,如氮或磷,Ar11通过它环状基团与金属配位连接。Ar21是一个环状基团,其中至少包含有一个C原子,Ar11通它环状基团与金属连接。
Ar11和Ar21由共价键联接在一起,可选地,Ar11和Ar21各自携带取代基团,Ar11和Ar21也可通过取代基团联接在一起。
L是辅助配体,进一步地,辅助配体为双齿螯合配体,更进一步地,辅助配体为单阴离子双齿螯合配体。
进一步地,q是1、2或3。进一步地,q是2或3。更进一步地,q是3。
进一步地,p是0、1或2。进一步地,p是0或1。更进一步地,p是0。
进一步地,三重态发光体及其应用与下述专利文件和文献中相同:WO 200070655、WO 200141512、WO 200202714、WO 200215645、EP 1191613、EP 1191612、EP 1191614、WO2005033244、WO 2005019373、US 2005/0258742、WO 2009146770、WO 2010015307、WO2010031485、WO 2010054731、WO 2010054728、WO 2010086089、WO 2010099852、WO2010102709、US 20070087219 A1、US 20090061681 A1、US 20010053462 A1、Baldo,Thompson et al.Nature 403,(2000),750-753、US 20090061681 A1、US 20090061681 A1、Adachi et al.Appl.Phys.Lett.78(2001),1622-1624,J.Kido et al.Appl.Phys.Lett.65(1994),2124,Kido et al.Chem.Lett.657,1990、US 2007/0252517 A1、Johnson et al.,JACS 105,1983,1795,Wrighton,JACS 96,1974,998,Ma et al.,Synth.Metals 94,1998,245,US 6824895、US 7029766、US 6835469、US 6830828、US 20010053462 A1、WO2007095118 A1、US 2012004407A1、WO 2012007088A1、WO2012007087A1、WO 2012007086A1、US 2008027220A1、WO 2011157339A1、CN 102282150A或WO 2009118087A1。
具体地,三重态发光体选自如下结构中的一种:
进一步地,混合物包括上述含呋喃交联基团的聚合物和HTM。
进一步地,上述含呋喃交联基团的聚合物的相对分子质量≥100kg/mol。
更进一步地,上述含呋喃交联基团的聚合物的相对分子质量≥150kg/mol。
更进一步地,上述含呋喃交联基团的聚合物的相对分子质量≥180kg/mol,再更进一步地,上述含呋喃交联基团的聚合物的相对分子质量≥200kg/mol。
进一步地,在25℃,上述含呋喃交联基团的聚合物在甲苯中的溶解度≥5mg/ml,更进一步地,在甲苯中的溶解度≥7mg/ml,再进一步地,在甲苯中的溶解度≥10mg/ml。
一种组合物,用于印刷OLED时可作为油墨,包括上述含呋喃交联基团的聚合物,及至少一种有机溶剂。
用于印刷工艺时,油墨的粘度,表面张力是重要的参数。合适的油墨的表面张力参数适合于特定的基板和特定的印刷方法。
进一步地,上述组合物在工作温度或在25℃下的表面张力为19dyne/cm~50dyne/cm进一步为22dyne/cm~35dyne/cm,更进一步为25dyne/cm~33dyne/cm。
进一步地,上述组合物在工作温度或25℃下的粘度为1cps~100cps,再进一步为1cps~50cps,更进一步为1.5cps~20cps,再更进一步为4.0cps~20cps。
如此配制的组合物将适合于喷墨印刷。
粘度可以通过不同的方法调节,如通过合适的溶剂选取和油墨中功能材料的浓度。按照包含有所述的聚合物的油墨可方便人们将印刷油墨按照所用的印刷方法在适当的范围调节。一般地,油墨包含的功能材料的重量比为0.3%~30wt%,再进一步为0.5%~20wt%,再进一步为0.5%~15wt%,更进一步为0.5%~10wt%,在更进一步为1%~5wt%。
进一步地,组合物中的有机溶为芳族溶剂或杂芳族溶剂。
更进一步地,有机溶剂选自脂肪族链芳族溶剂、环取代的芳族溶剂、酮溶剂、酯溶剂及醚溶剂中的至少一种。
具体地,芳族溶剂或杂芳族溶剂选自对二异丙基苯、戊苯、四氢萘、环己基苯、氯萘、1,4-二甲基萘、3-异丙基联苯、对甲基异丙苯、二戊苯、三戊苯、戊基甲苯、邻二甲苯、间二甲苯、对二甲苯、邻二乙苯、间二乙苯、对二乙苯、1,2,3,4-四甲苯、1,2,3,5-四甲苯、1,2,4,5-四甲苯、丁苯、十二烷基苯、二己基苯、二丁基苯、对二异丙基苯、1-甲氧基萘、环己基苯、二甲基萘、3-异丙基联苯、对甲基异丙苯、1-甲基萘、1,2,4-三氯苯、1,3-二丙氧基苯、4,4-二氟二苯甲烷、1,2-二甲氧基-4-(1-丙烯基)苯、二苯甲烷、2-苯基吡啶、3-苯基吡啶、N-甲基二苯胺、4-异丙基联苯、α,o-二氯二苯甲烷、4-(3-苯基丙基)吡啶、苯甲酸苄酯、1,1-双(3,4-二甲基苯基)乙烷、2-异丙基萘及二苄醚中的一种。
具体地,酮族的有机溶剂选自1-四氢萘酮,2-四氢萘酮,2-(苯基环氧)四氢萘酮,6-(甲氧基)四氢萘酮,苯乙酮、苯丙酮、二苯甲酮、4-甲基苯乙酮、3-甲基苯乙酮、2-甲基苯乙酮、4-甲基苯丙酮、3-甲基苯丙酮、2-甲基苯丙酮,异佛尔酮、2,6,8-三甲基-4-壬酮、葑酮、2-壬酮、3-壬酮、5-壬酮、2-癸酮、2,5-己二酮、佛尔酮及二正戊基酮中的一种。
具体地,醚溶剂选自3-苯氧基甲苯、丁氧基苯、苄基丁基苯、对茴香醛二甲基乙缩醛、四氢-2-苯氧基-2H-吡喃、1,2-二甲氧基-4-(1-丙烯基)苯、1,4-苯并二噁烷、1,3-二丙基苯、2,5-二甲氧基甲苯、4-乙基本乙醚、1,2,4-三甲氧基苯、4-(1-丙烯基)-1,2-二甲氧基苯、1,3-二甲氧基苯、缩水甘油基苯基醚、二苄基醚、4-叔丁基茴香醚、反式-对丙烯基茴香醚、1,2-二甲氧基苯、1-甲氧基萘、二苯醚、2-苯氧基甲醚、2-苯氧基四氢呋喃、乙基-2-萘基醚、戊醚c己醚、二辛醚、乙二醇二丁醚、二乙二醇二乙醚、二乙二醇丁基甲醚、二乙二醇二丁醚、三乙二醇二甲醚、三乙二醇乙基甲醚、三乙二醇丁基甲醚、三丙二醇二甲醚及四乙二醇二甲醚
酯溶剂:辛酸烷酯、癸二酸烷酯、硬脂酸烷酯、苯甲酸烷酯、苯乙酸烷酯、肉桂酸烷酯、草酸烷酯、马来酸烷酯、烷内酯和油酸烷酯中的至少一种。
更进一步地,有机溶剂选自脂肪族酮酮剂,具体地,脂肪族酮溶剂选自2-壬酮、3-壬酮、5-壬酮、2-癸酮、2,5-己二酮、2,6,8-三甲基-4-壬酮、佛尔酮、二正戊基酮等;或脂肪族醚,例如,戊醚、己醚、二辛醚、乙二醇二丁醚、二乙二醇二乙醚、二乙二醇丁基甲醚、二乙二醇二丁醚、三乙二醇二甲醚、三乙二醇乙基甲醚、三乙二醇丁基甲醚、三丙二醇二甲醚、四乙二醇二甲醚中的至少一种。
进一步地,组合物的还包括至少一种下述有机溶剂:甲醇、乙醇、2-甲氧基乙醇、二氯甲烷、三氯甲烷、氯苯、邻二氯苯、四氢呋喃、苯甲醚、吗啉、甲苯、邻二甲苯、间二甲苯、对二甲苯、1,4二氧杂环己烷、丙酮、甲基乙基酮、1,2二氯乙烷、3-苯氧基甲苯、1,1,1-三氯乙烷、1,1,2,2-四氯乙烷、醋酸乙酯、醋酸丁酯、二甲基甲酰胺、二甲基乙酰胺、二甲基亚砜、四氢萘、萘烷及茚。
进一步地,上述组合物为溶液。
进一步地,上述组合物为悬浮液。
溶液或悬浮液可以另外包含其他组份,例如表面活性化合物,进一步为润滑剂、润湿剂、分散剂、疏水剂及粘接剂。用于调节粘度,成膜性能,提高附着性等。有关打印技术,及其对有关溶液的相关要求,如溶剂及浓度,粘度等,的详细信息请参见Helmut Kipphan主编的《印刷媒体手册:技术和生产方法》(Handbook of Print Media:Technologies andProduction Methods),ISBN 3-540-67326-1。
上述组合物在制备有机电子器件时的应用,更进一步地,有机电子器件是通过组合物打印或涂布的制备方法。
具体地,打印或涂布技术包括喷墨打印、喷印(Nozzle Printing)、活版印刷、丝网印刷、浸涂、旋转涂布、刮刀涂布、辊筒印花、扭转辊印刷、平版印刷、柔版印刷、轮转印刷、喷涂、刷涂或移印、喷印刷(Nozzle printing)及狭缝型挤压式涂布。
更进一步地,打印或涂布技术包括喷墨印刷、狭缝型挤压式涂布、喷印刷及凹版印刷。
一种三维网状交联聚合物的制备方法,包括将含呋喃交联基团的聚合物在酸引发和加热的条件下(或在附加光照的条件下),使得呋喃基团发生化学反应,形成交联的三维网状聚合物薄膜。
呋喃环在酸的作用下,环中的共轭双键打开,相互发生化学反应,实现交联。在酸作用下固化的不溶和不熔的三维网状聚合物,具有优异的耐热性、耐水性和耐化学腐蚀性,对酸、碱、盐和有机溶液都有优良的抵抗力,是优良的防腐剂。
进一步地,交联过程使用的酸选自硫酸、盐酸、硝酸、醋酸、草酸(乙二酸)、顺丁烯二酸、亚硫酸、磷酸、丙酮酸、丙二酸、氯乙酸、邻苯二甲酸、水杨酸、酒石酸、亚硝酸、反丁烯二酸,柠檬酸、氢氟酸、苹果酸、葡萄糖酸、甲酸、乳酸、苯甲酸、丙烯酸、甲基丙烯酸、丁烯酸、丙酸、油酸、硬脂酸、苯磺酸、磺酸衍生物、磺酸类聚合物、聚苯乙烯磺酸、光酸产生剂、并五苯N-亚磺酰基-氨基甲酸叔丁酯、全氟丁基磺酸三苯基锍盐、二苯基碘鎓六氟磷酸盐、三苯基硫三氟甲烷磺酸盐、三(4-叔丁基苯基)锍全氟-1-丁烷磺酸、N-羟基萘酰亚胺三氟甲磺酸、N-羟基-5-降冰片烯-2,3-二酰胺九氟丁烷磺酸、2,4-双(三氯甲基)-6-对甲氧基苯乙烯基-S-三嗪及2,4-双(三氯甲基)-6-对甲氧基苯乙烯基-S-三中的一种。
将呋喃交联基团通过化学键链接于聚合物上,从而获得兼有载流子传输特性、发光特性、交联特性等多功能聚合物光电材料。这些材料不仅具有可调的能级结构、优异的载流子传输性能,而且在光照、酸引发、加热等条件下呋喃基团可相互反应形成三维互穿网络结构,具有优异的抗溶剂性能和形貌热稳定性,从而使得溶液法制备高效多层的有机电致发光器件成为可能,更有利于以印刷的方式实现有机电致发光器件。
上述含呋喃交联基团的聚合物在有机电子器件的应用。
进一步地,有机电子器件为有机发光二极管(OLED)、有机光伏电池(OPV)、有机发光电池(OLEEC)、有机场效应管(OFET)、有机发光场效应管、有机激光器、有机自旋电子器件、量子点发光二极管、钙钛矿电池、有机传感器及有机等离激元发射二极管(OrganicPlasmon Emitting Diode)。更进一步为OLED。
进一步地,有机电子器件,包括上述含呋喃交联基团的聚合物。
进一步地,有机电子器件,还包括至少一个功能层。
进一步地,上述含呋喃交联基团的聚合物用于有机电子器件的空穴传输层、空穴注入层或发光层。
一种有机电子器件,包括阴极、阳极及位于阴极和阳极之间的一个功能层。其中,功能层中包括上述含呋喃交联基团的聚合物。
进一步地,有机电子器件是电致发光器件,包括括基片、阳极、发光层及阴极。
基片可以是不透明的,也可以是透明。透明的基板可以用来制造一个透明的发光元器件。例如可参见Bulovic等Nature 1996,380,p29,和Gu等,Appl.Phys.Lett.1996,68,p2606。基片可以是刚性的,也可以是弹性的。
基片为塑料、金属、半导体晶片或玻璃。
进一步地,基片具有平滑的表面。
进一步地,基片是柔性的,更进一步为聚合物薄膜或塑料。再进一步地,基片为有聚(对苯二甲酸乙二醇酯)(PET)和聚乙二醇(2,6-萘)(PEN)。
基片玻璃转化温度Tg为150℃以上,进一步为超过200℃,更进一步为超过250℃,在更进一步为超过300℃。
阳极的材料为导电金属、金属氧化物及导电聚合物中的至少一种。阳极可以容易地注入空穴到空穴注入层(HIL)或空穴传输层(HTL)或发光层中。
进一步地,阳极的功函数和发光层中的发光体或作为HIL或HTL或电子阻挡层(EBL)的p型半导体材料的HOMO能级或价带能级的差的绝对值小于0.5eV。进一步为小于0.3eV,更进一步小于0.2eV。
具体地,阳极的材料的选自Al、Cu、Au、Ag、Mg、Fe、Co、Ni、Mn、Pd、Pt、ITO及铝掺杂氧化锌(AZO)中的至少一种。当然,其他合适的阳极材料是已知的及本领域普通技术人员可容易地选择使用的材料也适用于本实施方式。
阳极的材料可以使用任何合适的技术沉积,例如,物理气相沉积法,包括射频磁控溅射,真空热蒸发,电子束(e-beam)等。
进一步地,阳极是图案结构化的。图案化的ITO导电基板可购得,可以用来制备有机电子器件。
阴极的材料为导电金属或金属氧化物。阴极可以容易地注入电子到EIL或ETL或直接到发光层中。
进一步地,阴极的功函数和发光层中发光体或作为电子注入层(EIL)或电子传输层(ETL)或空穴阻挡层(HBL)的n型半导体材料的LUMO能级或导带能级的差的绝对值小于0.5eV,更进一步为小于0.3eV,再更进一步为小于0.2eV。原则上,所有可用作OLED的阴极的材料都可能作为本实施方式的器件的阴极材料。
具体地,阴极的材料的选自Al、Au、Ag、Ca、Ba、Mg、LiF/Al、MgAg合金、BaF2/Al、Cu、Fe、Co、Ni、Mn、Pd、Pt及ITO中的至少一种。
阴极材料可以使用任何合适的技术沉积,例如物理气相沉积法,包括射频磁控溅射,真空热蒸发,电子束(e-beam)等。
具体地,电致发光器件,还可以包括空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、电子阻挡层(EBL)、电子注入层(EIL)、电子传输层(ETL)、空穴阻挡层(HBL)中的至少一种。适合用于这些功能层中的材料在WO2010135519A1、US20090134784A1和WO2011110277A1中有详细的描述。
进一步地,空穴注入层(HIL)或空穴传输层(HTL)是通过打印上述组合物制备而成。
进一步地,空穴传输层(HTL)包括上述含呋喃交联基团的聚合物,其发光层(104)包括小分子主体材料和小分子发光材料。小分子发光材料为荧光发光材料或磷光发光材料。
更进一步地,发光层包含高分子发光材料。再进一步地,发光层是通过打印上述组合物制备而成。
上述的电致发光器件的发光波长为300nm~1000nm,进一步为350nm~900nm,更进一步为400nm~800nm。
上述有机电子器件在各种电子设备中的应用,包括在显示设备、照明设备、光源、传感器中的应用。
一种包括上述有机电子器件的电子设备,例如显示设备、照明设备、光源、传感器,等等。
下面将结合实施例对本发明进行说明,但本发明并不局限于下述实施例,应当理解,所附权利要求概括了本发明的范围在本发明构思的引导下本领域的技术人员应意识到,对本发明的各实施例所进行的一定的改变,都将被本发明的权利要求书的精神和范围所覆盖。
具体实施例
实施例1:聚合物P1的合成
合成路线:
2,5一二苯基对二甲苯(化合物3)的合成:
在250ml三口圆底烧瓶中加入26.40g(0.1mol)2,5-二溴对二甲苯和24.39g(0.2mmol)苯硼酸,加入250ml甲苯,搅拌使其溶解,再依次加入50ml水和21.2g Na2CO3(0.2mol),搅拌至固体全部溶解,加入0.5ml Aliquat 336和75mg三苯基膦四合钯催化剂(o)(PPh3)4Pd,通氮气保护10min后加热至回流(92-100℃),回流20min后关闭氮气保持系统密封,回流反应过夜,得反应液,冷却后用甲苯萃取反应液(50mlx4),合并有机相,依次用NaCl饱和溶液和水洗涤,蒸除溶剂,干燥得白色晶体(即2,5一二苯基对二甲苯)22.48g,理论值25.84g,产率为87%。M.P.180-181℃(lit.180℃),1H NMR(CDCl3,400MHz,ppm):δ7.44-7.30(m,10H),7.14(s,2H),2.26(s,6H)。
2,5-二苯基对二甲酸(化合物4)的合成:
在250ml三口圆底烧瓶中加机械搅拌,并加入12.92g(0.05mol)2,5-二苯基对二甲苯及250ml吡啶,搅拌使其溶解,再依次加入30ml水和39.51g高锰酸钾(KMnO4)(0.25mol),加热回流(105℃-110℃)反应2h后,每回流30min后冷却加入60ml水和15.59高锰酸钾(KMnO4)(0.1mol),共重复四次。再每回流6h后冷却加入60ml水,重复四次。反应完毕趁热过滤,滤饼用开水冲洗(1000mlx4),合并滤液,蒸除溶剂至100ml时加入50ml浓盐酸,冷却过滤,冷水洗涤,真空干燥得白色固体(即2,5-二苯基对二甲酸)9.21g,理论值15.92g,产率为57.9%。M.P.281-282℃(lit.282℃),1H NMR(DMSO-d6,400MHz,ppm):δ7.67(s,2H),7.46-7.38(m,10H)。
6,12-吲哚芴二酮(化合物5)的合成
向500ml三口圆底烧瓶中加入100ml浓硫酸,搅拌下缓慢加入3.18g 2,5-二苯基对二甲酸(0.01mol),室温反应0.5h后加入5滴-10滴发烟硫酸,反应6h后将反应液倒入冰水混合液中,同时用玻璃棒搅拌,得混合液。抽滤混合液,大量水洗涤,干燥得暗红色固体(即6,12-吲哚芴二酮)1.95g,理论值2.82g,产率69%。M.P.>300℃(lit.>300℃),1H NMR(CDCl3,400MHz,ppm):δ7.79(s,2H),7.68(d,J=7.36Hz,2H),7.57-7.51(m,4H),7.37-7.29(m,2H)。
吲哚芴(化合物6)的合成
向500ml三口圆底烧瓶中加入5.64g 6,22-吲哚芴二酮(0.02mol),搅拌下依次缓慢加入300ml一缩二乙二醇和4ml水合肼(85%),再加入经研磨成细粉的28.10g KOH(0.5mol),通氮气保护10min后加热至回流(195℃),反应48h后冷却倒入碎冰/浓盐酸(v∶v=8∶1)混合液中,同时用玻璃棒搅拌,得混合液。抽滤混合液,水洗涤,干燥得土黄灰色固体(即吲哚芴)2.29g,理论值5.09g,产率45%。M.P.300-301℃(lit.300-302℃),1H NMR(DMSO-d6,400MHz,ppm):δ8.09(s,2H),7.93(d,J=7.4Hz,2H),7.59(d,J=7.4Hz,2H),7.39(t,J=7.4Hz,2H),7.31(t,J=7.4Hz,2H),3.99(s,4H)。吲哚芴的1H NMR图见图2。
6,6,12,12-四辛基吲哚芴(化合物7)的合成
在25Oml长颈三口圆底烧瓶中加入转子,加入1.27g吲哚芴,长颈三口圆底烧瓶的中间口加高真空活塞(石蜡封口),长颈三口圆底烧瓶的两边的口加反口胶塞,用风机加热烧瓶的同时用油泵将烧瓶抽真空。用注射器将100ml干燥的THF加入烧瓶。在-78℃下边搅拌边用注射器向烧瓶中滴加6ml 2.87M正丁基锂(17.22mmol),在氮气保护下反应1h。将系统升至室温反应30min后再降至-78℃,用注射器加入3.82g的1-溴辛烷(n-C8H17Br,20mmol),在-78℃下反应1h后自然升至室温反应过夜。向烧瓶中加入约30ml水使反应淬灭得反应液,反应液用石油醚萃取(50mlx4),合并有机相后用无水Na2SO4干燥,蒸除溶剂后柱层析提纯(100-200目硅胶/石油醚)。在甲醇中重结晶得米黄色晶体(即6,6,12,12-四辛基吲哚芴)1.68g,理论值3.52g,产率47.7%。1H NMR(CDCl3,400MHz,ppm):δ7.72(d,J=6.8Hz,2H),7.58(s,2H),7.33-7.24(m,6H),1.99(t,J=8.0Hz,8H),1.12-0.98(m,24H),0.76-0.59(m,20H);13C NMR(CDCl3,100MHz,ppm):δ151.08,149.92,141.48,140.50,126.59,122.81,119.30,113.81,54.66,40.67,31.50,29.69,23.67,22.51,13.96。
2,7-二溴-6,6,12,12-四辛基吲哚芴(化合物8)的合成
在250ml三口圆底烧瓶中加入转子和7.03g 6,6,12,12-四辛基吲哚芴(10mmol),加入100ml CCl4,搅拌使7.03g 6,6,12,12-四辛基吲哚芴溶解,加入40g Al2O3/CuBr(0.25mol),回流反应18h,得反应液。将反应液过滤,滤液用水洗涤,无水Na2SO4干燥。蒸出溶剂,所得固体在甲醇中重结晶,得白色晶体(即2,7-二溴-6,6,12,12-四辛基吲哚芴)3.73g,理论值8.61g,产率为43.3%。1H NMR(CDCl3,400MHz,ppm):δ7.57(d,J=8.4Hz,2H),7.52(s,2H),7.45(s,2H),7.44(d,J=8.4Hz,2H),1.97(t,J=8.2Hz,8H),1.11-0.96(m,24H),0.75-0.58(m,20H);13C NMR(CDCl3,100MHz,ppm):δ153.12,149.68,140.12,139.72,129.69,125.97,120.73,120.63,113.84,55.13,40.60,31.58,29.71,23.76,22.62,14.11。
2,8-双(4,4,5,5-四甲基-1,3,2-二氧杂硼烷-二基)-6,6,12,12一四辛基吲哚芴(DBO-IF)的合成
在250ml长颈三口圆底烧瓶中加入转子,长颈三口圆底烧瓶的中间口加高真空活塞,长颈三口圆底烧瓶的两边口加翻口塞。用风机加热烧瓶的同时用油泵将烧瓶抽真空。将4.31g 2,8-二溴-6,6,12,12一四辛基吲哚芴(5mmol)溶于120ml THF中用注射器加入烧瓶,在-78℃下搅拌20min后再用注射器向烧瓶中滴加6ml 2.87M正丁基锂(17.22mmol),在氮气保护下反应2h,再用注射器加入5ml 2-异丙基-4,4,5,5-四甲基-1,3,2-二氧杂硼烷,在-78℃下反应2h后自然升至室温反应过夜。向烧瓶中加入约30ml水使反应淬灭,反应液用乙醚萃取(50mLx4),合并有机相后用无水Na2SO4,干燥,蒸除溶剂后柱层析提纯(100-200目硅胶/石油醚∶乙酸乙酯v∶v=9∶1),得白色晶体1.18g,理论值4.78g,产率为24.7%。1H NMR(CDCl3,400MHz,ppm):δ7.75(d,J=7.7Hz,2H),7.71(d,J=7.3Hz,2H),7.70(s,2H),7.59(s,2H)4.19(t,J=5.3Hz,8H),2.08(t,J=5.3Hz,4H),2.01(q,J=6.4Hz,8H),1.07-0.96(m,24H),0.68(t,J=7.0Hz,12H),0.58(t,J=6.7Hz,8H);13C NMR(CDCl3,100MHz,ppm):δ150.49,150.15,143.94,140.83,132.35,127.75,118.59,114.17,61.99,54.58,40.64,31.51,29.71,27.42,23.65,22.52,13.96。
1-溴-4-(3-溴丙氧基)苯(化合物10)的合成
将1,3-二溴丙烷(316.4g,1.5mol)和碳酸钾(41.4g,0.3mol)加入到圆底烧瓶中,以乙醇作为溶剂,在回流温度下,将对溴苯酚(51.9g,0.3mol)溶于乙醇中慢慢滴入反应体系中。反应过夜。反应结束后加入水终止反应,然后用二氯甲烷萃取,用盐水洗,旋蒸除去二氯甲烷,然后减压蒸馏回收1,3-二溴丙烷。完毕后加入二氯甲烷拌粉过硅胶柱,以石油醚为冲洗剂。得到化合物10(1-溴-4-(3-溴丙氧基)苯)60g。Mp 58-59℃;IR(KBr disk)v:2958and 2930(-CH2),1489(-CH2-),1241(C-O);1H NMR(500MHz,CDCl3):δ2.36-2.40(2H,m,J2′-3′=J2′-1′6,H-2′),3.66-3.69(2H,t,J3′-2′6,H-3′),4.13-4.16(2H,t,J1′-2′6,H-1′),6.87(2H,d,J3-29,H-3),7.46(2H,d,J2-39,H-2);13C NMR(125MHz,CDCl3):δ28.3(C-3′),30.7(C-2′),64.1(C-1′),111.6(C-1),114.8(2C,C-3),130.8(2C,C-2),156.3(C-4);m/z(EI):296(M+,45%),294(80),174(97),172(100),143(20),121(17),93(21),76(19),63(43).HRMS(EI)found:291.9095(79Br,C9H10Br2O requires:291.9098)。
4-(3-溴丙氧基)-N,N-二苯基苯胺(化合物11)的合成
将化合物10(13g,0.044mol)和二苯胺(7.45g,0.044mol),叔丁基醇钠(8.45g,0.088mol),催化剂双(二亚苄基丙酮)钯(1.27g,0.0022mol)加入到双口瓶中,以干燥甲苯作为反应溶剂,鼓氮气除氧30min,然后打入三叔丁基膦13ml。跟踪反应进程,反应完毕后加入水终止反应,用乙酸乙酯萃取,有机相旋蒸除去溶剂,加入硅胶拌粉上样过硅胶柱,得到得化合物11(即4-(3-溴丙氧基)-N,N-二苯基苯胺)13.66g。
4-溴-N-(4-溴苯基)-N-(4-(3-溴丙氧基)苯基)苯胺(化合物12)的合成
将化合物11(13.66g,0.036mol)溶于DMF中,于冰浴下加入NBS(12.73g,0.072mol),室温下反应过夜。加入水终止反应,用二氯甲烷萃取,然后水洗,之后拌粉上样过硅胶柱,得到化合物12(即4-溴-N-(4-溴苯基)-N-(4-(3-溴丙氧基)苯基)苯胺)11.7g。
4-溴-N-(4-溴苯基)-N-(4-(3-(呋喃-2-基氧基)丙氧基)苯基)苯胺(化合物13)的合成
将糠醇(4.6g,0.0468mol)加入到双口瓶中加入干燥DMF作为反应溶剂,置换氮气三次,冰浴下,在氮气氛围下加入氢化钠(1.87g,0.0468mol),反应一小时后,加入化合物12(5.06g,0.0094mol),反应30min后,加热至50℃反应过夜,之后加入水终止反应,用二氯甲烷萃取,用盐水洗,旋蒸除去有机溶剂加入硅胶拌粉过硅胶柱,得到化合物13(即4-溴-N-(4-溴苯基)-N-(4-(3-(呋喃-2-基氧基)丙氧基)苯基)苯胺)物1g。
聚合物P1的合成
在25mL的两颈圆底烧瓶中,加入195mg(0.5mmol)单体4-溴-N-(4-溴苯基)-N-(4-(3-(呋喃-2-基氧基)丙氧基)苯基)苯胺,418mg(0.5mmol)单体2,8-双(4,4,5,5-四甲基-1,3,2-二氧杂硼烷-二基)-6,6,12,12一四辛基吲哚芴,10mg Pd(PPh3)4,10mL脱气甲苯、4mL脱气四氢呋喃和2mL质量分数20%的氢氧化四乙基铵水溶液,均匀搅拌,通氩气15分钟。反应在氩气保护110℃条件下反应24小时,依次加入50μL溴苯回流反应2小时、20mg苯硼酸回流反应2小时,反应完冷却至室温后,将反应液逐滴滴加到甲醇中沉淀。得到的絮状沉淀物过滤,真空干燥后所得聚合物重新溶于约30mL四氢呋喃中,所得四氢呋喃溶液用孔径为0.45μm的聚四氟乙烯(PTFE)滤头过滤,减压蒸馏浓缩后逐滴滴加到甲醇中沉淀,真空干燥、得到浅黄色固体(聚合物P1)392mg,产率74%。GPC(四氢呋喃,聚苯乙烯标准样品)Mn=21 000gmol-1,PDI=1.8。
实施例2:聚合物P2的合成
2,7-二溴芴(化合物15)的合成
将芴(化合物14)(100g,602mmol)和铁粉(0.8g,1.4mmol)加入至1升三口圆底烧瓶,加入500mL氯仿中,使之完全溶解,冰水浴冷却至0-5℃左右,缓慢滴加液溴(69mL,1337mmol)和100mL氯仿的混合液,避光,1小时滴加完之后,在室温条件下反应10小时,有大量白色固体析出。反应过程中用薄层色谱监测反应,反应结束后,加入饱和的亚硫酸氢钠水溶液,除去多余未反应的液溴。反应混合液中大量白色固体,过滤,滤液水洗三次,分出油层,浓缩,直接过滤与浓缩所得到的固体合并得到粗产物。粗产物用饱和亚硫酸氢钠水溶液洗涤三次,干燥,粗产物用氯仿重结晶提纯后,得到白色晶体(即2,7-二溴芴)178克,产率为90%。
1H NMR(300MHz,CDCl3,TMS)δ(ppm):7.54(d,2H),7.46(d,2H),7.29(d,2H),3.88(m,2H);13C NMR(75MHz,CDCl3,TMS)δ(ppm):152.92,144.50,134.90,128.91,121.30,119.54,76.55。元素分析结果:C13H8Br2,理论计算值:C,48.15%,H,2.47%;实验测试值:C,48.21%;H,2.65%。
2,7-二溴-9,9-二辛基芴(化合物16)的合成
将原料2,7-二溴芴(15)(13.0g,40mmol)加入至500mL三口圆底烧瓶中,加入150mL二甲基亚砜,室温搅拌,加入20mL氢氧化钠水溶液(50%),0.5g(0.15mmol)四丁基溴化铵,在氩气保护室温条件下反应1小时,随后加入1-溴辛烷(17.9g,100mmol),继续反应12小时,反应完后将反应液倒入冰水中,经二氯甲烷萃取,油层分别用水、饱和氯化钠水溶液洗涤,浓缩后对浓缩物进行硅胶柱(200-300目)分离,淋洗剂为石油醚,乙醇重结晶、真空干燥得到白色固体(即2,7-二溴-9,9-二辛基芴)17.5克,产率为80%。
2,7-二(4,4,5,5-四甲基-1,3,2-二氧杂硼烷-2-基)-9,9’-二辛基芴(化合物17)的合成
在250mL三口烧瓶中加入2,7-二溴-9,9’-二辛基芴(16)(14.4g,20mmol)和四氢呋喃(130mL)。氩气保护下于-78℃时滴加正丁基锂/正己烷溶液(2.4M)(18.4mL,44mmol),在-78℃下恒温反应2小时。随后,在-78℃条件下向反应液一次性加入2-异丙氧基-4,4,5,5-四甲基-1,3,2-二氧杂环戊硼烷(11.16g,60mmol),恒温反应1.5小时,随后让反应液逐渐升至室温并过夜反应。反应完毕后将反应液倒入冰水中,经二氯甲烷萃取,油层分别用水、饱和氯化钠水溶液洗涤,浓缩得到粗产物。粗产物用正己烷进行重结晶得到白色固体,真空干燥,得到10.4克化合物17,产率为64%。
聚合物P2的合成
在25mL的两颈圆底烧瓶中,加入195mg(0.5mmol)单体4-溴-N-(4-溴苯基)-N-(4-(3-(呋喃-2-基氧基)丙氧基)苯基)苯胺,418mg(0.5mmol)单体2,8-双(4,4,5,5-四甲基-1,3,2-二氧杂硼烷-二基)-9,9-二辛基芴,10mg Pd(PPh3)4,10mL脱气甲苯、4mL脱气四氢呋喃和2mL质量分数20%的氢氧化四乙基铵水溶液,均匀搅拌,通氩气15分钟。反应在氩气保护110℃条件下反应24小时,依次加入50μL溴苯回流反应2小时、20mg苯硼酸回流反应2小时,反应完冷却至室温后,将反应液逐滴滴加到甲醇中沉淀。得到的絮状沉淀物过滤,真空干燥后所得聚合物重新溶于约30mL四氢呋喃中,所得四氢呋喃溶液用孔径为0.45μm的聚四氟乙烯(PTFE)滤头过滤,减压蒸馏浓缩后逐滴滴加到甲醇中沉淀,真空干燥、得到浅黄色固体(即聚合物P2)292mg,产率74%。GPC(四氢呋喃,聚苯乙烯标准样品)Mn=18 000gmol-1,PDI=2.1。
OLEDs器件的制备及表征
其他材料如下:
其中,H1是共主体材料,其合成参照申请号为CN201510889328.8的中国专利;H2是共主体材料,其合成参照专利WO201034125A1;E1是磷光客体,其合成参照专利CN102668152;
OLED器件制备步骤如下:
1)ITO透明电极(阳极)玻璃衬底的清洗:使用5%Decon90清洗液的水溶液超声处理30分钟,之后去离子水超声清洗数次,然后异丙醇超声清洗,氮气吹干;在氧气等离子下处理5分钟,以清洁ITO表面并提升ITO电极的功函;
2)HIL及HTL的制备:在经过氧气等离子体处理过的玻璃衬底上旋涂PEDOT:PSS(CleviosTM PEDOT:PSS A14083),得到80nm的薄膜,旋涂完成后在空气中150℃退火20分钟;将实施例1、2所合成的聚合物P1和P2分别溶于甲苯,溶液浓度为5mg/ml,在PEDOT:PSS膜上分别旋涂聚合物P1或P2,厚度为20纳米,于加热板上加热至100℃反应0min-40min,使聚合物P1、P2分别发生交联反应。之后将聚合物P1和P2膜用甲苯冲洗,测得厚度为18纳米~19纳米之间,表明交联反应有效,聚合物P1和P2膜固化比较完全。
3)发光层制备:先将H1、H2、E1按照40∶40∶20的重量比例溶于甲苯中,溶液的浓度为20mg/mL,将此溶液在氮气手套箱中旋涂得到60nm薄膜,然后在120℃退火10分钟。
4)阴极制备:将旋涂完成的器件放入真空蒸镀腔体,依次蒸镀2nm钡和100nm铝,完成发光器件。
5)所有器件在氮气手套箱中采用紫外固化树脂加玻璃盖板封装。
器件的电流-电压特性,发光强度和外量子效率由Keithley236电流电压-测量系统及一个经校正的硅光二极管测得。测试结果如表1。
表1
器件名称 效率(cd/A)@1000nits 颜色
OLED-1 41.5 绿色
OLED-2 46.7 绿色
实施例1~2制备的聚合物P1、P2分别应用于OLED-1、OLED-2。
应当理解的是,本发明的应用不限于上述的举例,对本领域普通技术人员来说,可以根据上述说明加以改进或变换,所有这些改进和变换都应属于本发明所附权利要求的保护范围。
交联及抗溶剂性能测试
将实施例1~2所制备的聚合物P1和P2分别在PEDOT:PSS上成膜后,加热使得聚合物P1和P2侧链的呋喃基团在酸的引发作用、加热条件相互发生化学反应,形成不溶不熔的互穿网络聚合物薄膜。
具体操作如下:PEDOT:PSS水分散液(约1%)CleviosTM PEDOT:PSS A14083作为缓冲层以匀胶机(KW-4A)在石英片上高速旋涂,厚度由溶液浓度和转速决定,用表面轮廓仪(Tritek公司Alpha-Tencor-500型)实测监控。成膜后,于恒温真空烘箱中驱除残余溶剂。在石英片基片上PEDOT:PSS的膜厚为80纳米。实施例1~2所合成的聚合物P1和P2分别溶于甲苯,得到浓度为5mg/ml的聚合物P1溶液和聚合物P2溶液,在PEDOT:PSS膜上分别旋涂聚合物P1溶液和聚合物P2溶液,厚度均为20纳米,于加热板上加热至100℃反应30min,使聚合物P1发生交联反应得到聚合物P1膜和聚合物P2膜。之后将聚合物P1膜和聚合物P2膜用甲苯冲洗时间,测试甲苯溶剂洗脱前后的吸光度变化程度,通过溶剂洗脱前后吸光度变化程度判断聚合物薄膜交联的抗溶剂性能。吸光度降低越多,说明聚合物的抗溶剂性能较差,反之如果聚合物经甲苯洗脱之后,吸光度下降比较小,说明聚合物的抗溶剂性比较好。
研究发现,如图1所示,当聚合物P2不经热处理,甲苯洗脱聚合物薄膜,吸光度仅保持20%左右,大部分聚合物P2被甲苯溶液洗涤掉,不具有抗溶剂性能。加热1分钟后,聚合物P2经甲苯溶液洗脱之后吸光度下降缓慢,基本保持80%的原有吸光度,抗溶剂性能逐渐增加,当加热大于10分钟时,聚合物P2经甲苯洗脱,吸光度基本维持不变,说明聚合物P2交联之后具有优异的抗溶剂性能。

Claims (8)

1.一种含呋喃交联基团的聚合物,其特征在于,所述含呋喃交联基团的聚合物具有如下通式:
其中,x、y取值为1,n为正整数;
选自A1至A8分别独立地选自CR5,Y1选自CR6R7,R5、R6、R7分别独立地选自H、D、具有1~20个C原子的直链烷基、具有3~20个C原子的支链烷基;或,选自被烷基取代或未取代的
为三苯胺;
是连接基团,选自具有1~30个碳原子的烷基或具有1~30个碳原子的烷氧基;
R2、R3及R4分别独立选自H、D、卤素原子、C1-C30的烷基中的一种。
2.由权利要求1所述的含呋喃交联基团的聚合物交联形成的三维网状聚合物薄膜。
3.根据权利要求2所述的三维网状聚合物薄膜,其特征在于,所述三维网状聚合物薄膜在酸引发和加热的条件下形成,其特征在于,所述三维网状聚合物薄膜在酸引发和加热的条件下形成,所述酸选自硫酸、盐酸、硝酸、醋酸、乙二酸、顺丁烯二酸、亚硫酸、磷酸、丙酮酸、丙二酸、氯乙酸、邻苯二甲酸、水杨酸、酒石酸、亚硝酸、反丁烯二酸,柠檬酸、氢氟酸、苹果酸、葡萄糖酸、甲酸、乳酸、苯甲酸、丙烯酸、甲基丙烯酸、丁烯酸、丙酸、油酸、硬脂酸、苯磺酸、磺酸衍生物、磺酸类聚合物、聚苯乙烯磺酸、光酸产生剂、并五苯-N-亚磺酰基-氨基甲酸叔丁酯、全氟丁基磺酸三苯基锍盐、二苯基碘鎓六氟磷酸盐、三苯基硫三氟甲烷磺酸盐、三(4-叔丁基苯基)锍全氟-1-丁烷磺酸、N-羟基萘酰亚胺三氟甲磺酸、N-羟基-5-降冰片烯-2,3-二酰胺九氟丁烷磺酸、2,4-双(三氯甲基)-6-对甲氧基苯乙烯基-S-三嗪及2,4-双(三氯甲基)-6-对甲氧基苯乙烯基-S-三嗪中的至少一种。
4.一种混合物,其特征在于,包括权利要求1所述的含呋喃交联基团的聚合物,及有机功能材料,所述有机功能材料选自空穴注入材料、空穴传输材料、电子传输材料、电子注入材料、电子阻挡材料、空穴阻挡材料、发光材料及主体材料中的至少一种。
5.一种组合物,其特征在于,包括权利要求1所述的含呋喃交联基团的聚合物,及至少一种有机溶剂。
6.一种有机电子器件,其特征在于,包括权利要求1所述的含呋喃交联基团的聚合物。
7.根据权利要求6所述的有机电子器件,其特征在于,所述有机电子器件选自有机发光二极管、有机光伏电池、有机发光电池、有机场效应管、有机发光场效应管、有机激光器、有机自旋电子器件、有机传感器、量子点发光二极管、钙钛矿太阳能电池及有机等离激元发射二极管中的一种。
8.根据权利要求7所述的有机电子器件,其特征在于,所述有机电子器件包括空穴传输层,所述空穴传输层包含所述含呋喃交联基团的聚合物。
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