Nothing Special   »   [go: up one dir, main page]

CN107851572B - 基板处理装置、基板处理方法以及存储介质 - Google Patents

基板处理装置、基板处理方法以及存储介质 Download PDF

Info

Publication number
CN107851572B
CN107851572B CN201680044518.2A CN201680044518A CN107851572B CN 107851572 B CN107851572 B CN 107851572B CN 201680044518 A CN201680044518 A CN 201680044518A CN 107851572 B CN107851572 B CN 107851572B
Authority
CN
China
Prior art keywords
substrate
nozzle
guard
mist
height
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201680044518.2A
Other languages
English (en)
Other versions
CN107851572A (zh
Inventor
伊藤规宏
东岛治郎
绪方信博
大塚贵久
道木裕一
桥本佑介
相浦一博
后藤大辅
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP2016122690A external-priority patent/JP6740028B2/ja
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Publication of CN107851572A publication Critical patent/CN107851572A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN107851572B publication Critical patent/CN107851572B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B17/00—Methods preventing fouling
    • B08B17/02—Preventing deposition of fouling or of dust
    • B08B17/025—Prevention of fouling with liquids by means of devices for containing or collecting said liquids
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/02—Cleaning by the force of jets or sprays
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68742—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a lifting arrangement, e.g. lift pins
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B2203/00—Details of cleaning machines or methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B2203/02—Details of machines or methods for cleaning by the force of jets or sprays
    • B08B2203/0229—Suction chambers for aspirating the sprayed liquid
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B2203/00—Details of cleaning machines or methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B2203/02—Details of machines or methods for cleaning by the force of jets or sprays
    • B08B2203/0264—Splash guards
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/02—Cleaning by the force of jets or sprays
    • B08B3/022—Cleaning travelling work
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
    • B08B3/08—Cleaning involving contact with liquid the liquid having chemical or dissolving effect
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • H01L21/02052—Wet cleaning only
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68764—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a movable susceptor, stage or support, others than those only rotating on their own vertical axis, e.g. susceptors on a rotating caroussel

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

基板处理装置具备：固定杯体(51)，其包围基板保持部(31)并接受被供给到基板的处理液或处理液的雾，且相对于处理容器相对地不动；雾防护件(80)；以及防护件升降机构(84)，其使雾防护件升降。雾防护件以包围固定杯体的方式设置于固定杯体的外侧，对越过固定杯体的上方而向外方飞散的液进行阻断。雾防护件具有：筒状的筒部(81)；以及伸出部(82)，其从筒部的上端朝且向固定杯体的侧伸出。

Description

基板处理装置、基板处理方法以及存储介质
技术领域
本发明涉及通过向旋转的基板供给处理液来对基板实施液体处理的技术。
背景技术
半导体装置的制造工序包括化学溶液清洗处理或湿法蚀刻处理等液体处理。作为对半导体晶圆等基板实施这样的液体处理的液体处理装置，公知有一种液体处理装置，该液体处理装置具备：保持部，其在被称为腔室的处理容器内保持基板；旋转机构，其使半导体晶圆等基板旋转；喷嘴，其向旋转的基板供给处理液；以及杯，其接受被甩出来的处理液。
供给到基板的处理液的大部分被杯回收，但雾化后的处理液的一部分向杯的外侧飞散。若飞散开的该处理液附着于腔室的内壁，则在基板周围形成源自处理液、特别是源自化学溶液的气氛，该气氛中的化学溶液成分有时附着于液体处理中的基板而污染基板。另外，若水分附着到腔室的内壁，则也考虑到：基板的周围的湿度上升，对基板的干燥处理产生不良影响。
因而，期望的是尽可能防止从基板飞散到杯外的处理液附着于腔室内壁。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2008-53690号公报
发明内容
本发明提供一种能够防止从基板飞散到杯外的处理液附着于腔室内壁的技术。
根据本发明的一实施方式，提供一种基板处理装置，该基板处理装置具备：基板保持部，其保持基板；至少1个处理液喷嘴，其向保持到所述基板保持部的基板喷出处理液；处理容器，其收容所述基板保持部和所述处理液喷嘴；固定杯体，其配置于所述基板保持部的周围，该固定杯体接受被供给到基板的至少处理液或处理液的雾，且相对于所述处理容器相对地不动；雾防护件，其以包围所述固定杯体的方式设置于所述固定杯体的外侧，该雾防护件对越过所述固定杯体的上方而向外方飞散的液体进行阻断；以及升降机构，其使所述雾防护件向第1防护高度和比所述第1防护高度低的第2防护高度升降，所述雾防护件具有：筒状的筒部；以及伸出部，其从所述筒部的上部朝向所述筒部的内侧且向所述固定杯体的上方伸出。
根据本发明的另一实施方式，提供一种基板处理方法，在该基板处理方法中使用基板处理装置，该基板处理装置具备：基板保持部，其保持基板；至少1个处理液喷嘴，其向保持到所述基板保持部的基板的上表面喷出处理液；处理容器，其收容所述基板保持部和所述处理液喷嘴；固定杯体，其配置于所述基板保持部的周围，该固定杯体接受被供给到基板的处理液或处理液的雾，且相对于所述处理容器相对地不动；雾防护件，其以包围所述固定杯体的方式设置于所述固定杯体的外侧，该雾防护件对越过所述固定杯体的上方而向外方飞散的液体进行阻断；以及升降机构，其使所述雾防护件升降，所述雾防护件具有：筒状的筒部；以及伸出部，其从所述筒部的上端朝向所述固定杯体侧伸出，该基板处理方法包括如下工序：在使所述雾防护件位于第1防护高度的状态下，从所述喷嘴向由所述基板保持部保持着的基板供给处理液；以及在使所述雾防护件位于比所述第1防护高度低的第2防护高度的状态下，使所述基板干燥。
根据本发明的又一实施方式，提供一种存储介质，该存储介质储存有计算机程序，其中，在所述计算机程序被构成基板处理装置的控制装置的计算机执行了时，该计算机对所述基板处理装置的动作进行控制而使上述的基板处理方法执行。
根据上述本发明的实施方式，通过设置具有伸出部的雾防护件，能够防止越过杯而飞散开的处理液附着于处理容器的内壁。
附图说明
图1是表示发明的一实施方式的基板处理系统的概略结构的俯视图。
图2是表示处理单元的结构的纵剖视图。
图3是表示处理单元的结构的俯视图。
图4是用于说明雾防护件和喷嘴臂的运动的概略图。
图5是用于说明雾防护件处于高位置和中间位置时的气体和液滴的运动的说明图。
图6是用于说明雾防护件位于低位置时的气体和液滴的运动的说明图。
图7是对设置于雾防护件的通液开口进行说明的概略纵剖视图。
图8是对雾防护件的清洗机构进行说明的部分纵剖视图。
图9是用于说明喷嘴臂的运动的俯视图。
图10是对设置于雾防护件的通气开口进行说明的概略纵剖视图。
图11是表示具备固定喷嘴罩和雾防护件的变形例的实施方式的概略纵剖视图。
图12是表示具备雾防护件的另一变形例的实施方式的概略纵剖视图。
具体实施方式
图1是表示本实施方式的基板处理系统的概略结构的图。以下，为了使位置关系明确，规定彼此正交的X轴、Y轴和Z轴，将Z轴正方向设为铅垂朝上方向。
如图1所示，基板处理系统1具备输入输出站2和处理站3。输入输出站2和处理站3相邻地设置。
输入输出站2具备承载件载置部11和输送部12。以水平状态收容多张晶圆W的多个承载件C载置于承载件载置部11。
输送部12与承载件载置部11相邻地设置，在内部设置有基板输送装置13和交接部14。基板输送装置13具备保持晶圆W的基板保持机构。另外，基板输送装置13能够向水平方向和铅垂方向进行移动以及以铅垂轴线为中心进行回转，使用基板保持机构在承载件C与交接部14之间进行晶圆W的输送。
处理站3与输送部12相邻地设置。处理站3具备输送部15和多个处理单元16。多个处理单元16排列于输送部15的两侧地设置。
输送部15在内部设置有基板输送装置17。基板输送装置17具备保持晶圆W的基板保持机构。另外，基板输送装置17能够向水平方向和铅垂方向进行移动以及以铅垂轴线为中心进行回转，使用基板保持机构在交接部14与处理单元16之间进行晶圆W的输送。
处理单元16对由基板输送装置17输送的晶圆W进行预定的基板处理。
另外，基板处理系统1具备控制装置4。控制装置4是例如计算机，具备控制部18和存储部19。对在基板处理系统1中执行的各种处理进行控制的程序储存于存储部19。控制部18通过将存储到存储部19的程序读出并执行，对基板处理系统1的动作进行控制。
此外，该程序被记录于由计算机能够读取的存储介质，也可以从该存储介质安装到控制装置4的存储部19。作为由计算机能够读取的存储介质，存在例如硬盘(HD)、软盘(FD)、光盘(CD)、磁光盘(MO)、以及存储卡等。
在如上述那样构成的基板处理系统1中，首先，输入输出站2的基板输送装置13从载置到承载件载置部11的承载件C取出晶圆W，将取出来的晶圆W载置于交接部14。载置到交接部14的晶圆W被处理站3的基板输送装置17从交接部14取出而向处理单元16输入。
输入到处理单元16的晶圆W在被处理单元16处理了之后，被基板输送装置17从处理单元16输出并载置于交接部14。然后，载置到交接部14的处理完毕的晶圆W被基板输送装置13向承载件载置部11的承载件C返回。
接着，参照图2对处理单元16的结构进行说明。图2是表示处理单元16的概略结构的图。如图2所示，处理单元16具备腔室20、基板保持机构30、处理流体供给部40、以及杯50。处理流体供给部40向晶圆W供给处理流体。
腔室20收容基板保持机构30、处理流体供给部40、以及杯50。在腔室20的顶部设置有FFU(Fan Filter Unit：风机过滤单元)21。FFU21在腔室20内形成下降流。在FFU21的吹出口的正下方设置形成有许多孔(未图示)的整流板22，使在腔室20内的空间中流动的下降流气体的分布最佳化。
基板保持机构30具备保持部(基板保持部)31、旋转轴32以及驱动部33。保持部31能够水平地保持晶圆W。驱动部33借助旋转轴32使保持部31旋转，由此，使保持到保持部31的晶圆W绕铅垂方向轴线旋转。
保持部31具有：圆盘状的底座31a；多个保持要素31b，其设置于底座31a，并保持晶圆W；以及升降销31c，其在晶圆W相对于处理单元16的输入输出时支承与保持要素31b分开的晶圆W的下表面。保持要素31b能够由能够保持/释放晶圆W的周缘部的安装到底座31a的可动的保持爪、或固定到底座31a的保持销等构成。
升降销31c固定于被收纳于在底座31a的上表面形成的凹处的环状的升降销板31d。升降销板31d利用未图示的升降机构上升，能够抬起晶圆W。能够在进入到腔室20内的基板输送装置17的臂与上升后的升降销板31d之间进行晶圆W的交接。
以下，详细论述杯(杯组装体)50。杯50具有对从晶圆W飞散的处理液进行回收、并且对晶圆W周围的气流进行控制的作用。杯50以包围保持部31的方式配置，(在几何学上的意思上)具有大致旋转体的形状。杯50由多个构成要素构成。杯50具有：不动的(固定的)排气杯51，其位于最外侧；以及处理液引导用的排液杯52，其位于该排气杯51的内侧。
另外，第1旋转杯53和第2旋转杯54安装于保持部31的底座31a，与底座31a一起旋转。第1旋转杯53和第2旋转杯54将供给到晶圆W的表面(上表面)之后从晶圆W向外方飞散的液体接住而向斜下方(半径方向朝外且下方)引导。第2旋转杯54也具有对在供给到晶圆W的背面(下表面)之后从晶圆W向外方飞散的液体进行引导的功能。另外，第1旋转杯53和第2旋转杯54也具有对晶圆W周围的气流进行控制的功能。
排液杯52具有排液杯主体521、第1可动杯要素522(第1可动杯体)、以及第2可动杯要素523(第2可动杯体)。排液杯主体521具有：沿着大致铅垂方向延伸的外周筒部521a；伸出部521b；底部521c、以及内周部521d。伸出部521b从外周筒部521a的上端部朝向晶圆W侧延伸。两个凸部521e、521f从底部521c向上方延伸。
在外周筒部521a与凸部521e之间、凸部521e与凸部521f之间、以及凸部521f与内周部521d之间分别划定有用于分别承受酸性液、碱性液、有机液的积液部522a、522b、522c。积液部522a、522b、522c经由各自所连接的排液管线523a、523b、523c与酸性液用(DR1)、碱性液用(DR2)、有机液用(DR3)的工厂废液系统分别连接。
在凸部521e、521f分别以上下运动自由的方式嵌合有第1可动杯要素522、第2可动杯要素523。第1可动杯要素522和第2可动杯要素523利用未图示的升降机构升降。通过变更第1可动杯要素522和第2可动杯要素523的位置，能够将在从晶圆W向外方飞散开之后被引导到第1旋转杯53和第2旋转杯54的处理液向分别对应的积液部(522a、522b、522c中任一个)引导。
排气杯51具有外周筒部511、伸出部512、底部513、以及内周部514。在排气杯51与排液杯主体521彼此面对的表面之间形成有排气通路551。在排气杯51的底部513设置有排气口552，在该排气口552连接有排气管道(排气路径)553。排气管道553与减压气氛的工厂排气系统的工厂排气管道(未图示)连接(C-EXH)。在排气管道553夹设有碟形阀或调节阀等流量控制阀554。通过对流量控制阀554的开度进行调节，能够对经由排气通路551抽吸的气体的流量进行调节。此外，也可以在排气管道553夹设喷射器或排气泵等促进排气的设备。
接着，对处理流体供给部40进行说明。处理流体供给部40具有供给处理流体(液体或气体)的多个喷嘴。如图3所示，该多个喷嘴包括：喷出SC1液的SC1喷嘴411；喷出包括DIW(纯水)的液滴和氮气的二流体的AS喷嘴412；喷出DHF(稀氢氟酸)的DHF喷嘴413；喷出纯水(DIW)的第1DIW喷嘴414；喷出暖热后的IPA(异丙醇)的IPA喷嘴415；将氮气朝向铅垂方向下方喷出的第1氮气喷嘴416；将氮气朝向斜下方喷出的第2氮气喷嘴417；喷出SC2液的SC2喷嘴418；以及喷出纯水(DIW)的第2DIW喷嘴419。
AS喷嘴412通过使DIW与氮气的流动汇合，使DIW雾化，将该含有雾化后的DIW和氮气的二流体喷出。不向AS喷嘴412供给氮气而仅供给DIW，从而能够从AS喷嘴412仅使没有雾化的DIW喷出。也能够从IPA喷嘴415喷出与DIW具有相容性、挥发性比DIW的挥发性高、且表面张力比DIW的表面张力低的除了DIW以外的溶剂。
SC1喷嘴411和AS喷嘴412保持于第1喷嘴臂421。DHF喷嘴413、第1DIW喷嘴414和IPA喷嘴415保持于第2喷嘴臂422。第1氮气喷嘴416和第2氮气喷嘴417保持于第3喷嘴臂423。第1喷嘴臂421、第2喷嘴臂422、第3喷嘴臂423能够利用设置于各自的臂驱动机构431、432、433绕铅垂轴线回转、且能够沿着铅垂方向升降。各臂驱动机构431、432、433能够具备旋转马达(未图示)作为用于实现例如上述回转功能的回转驱动机构、以及汽缸(未图示)作为用于实现上述升降功能的升降机构(臂升降机构)。
通过利用臂驱动机构431使第1喷嘴臂421回转，能够使SC1喷嘴411和AS喷嘴412位于杯50外方的待机场所441与晶圆W的中心部Wc的正上方的位置之间的任意的位置(参照图3的箭头M1)。通过利用臂驱动机构432使第2喷嘴臂422回转，能够使DHF喷嘴413、第1DIW喷嘴414和IPA喷嘴415位于杯50外方的待机场所442与晶圆W的中心部Wc的正上方的位置之间的任意的位置(参照图3的箭头M2)。通过利用臂驱动机构433使第3喷嘴臂423回转，能够使第1氮气喷嘴416和第2氮气喷嘴417位于杯50外方的起始待机场所443与晶圆W的中心部Wc的正上方的位置之间的任意的位置(参照图3的箭头M3)。
在本说明书中，出于方便说明，将待机场所(441，442，443)的正上方也称为对应的喷嘴(411～417)的起始位置、将对应的喷嘴(411～417)位于起始位置时的对应的喷嘴臂(421、422、423)的位置也称为该喷嘴臂(421、422、423)的起始位置。
利用设置于臂驱动机构431、432、433的臂升降机构，能够使各喷嘴臂(421、422、423)在高位置HN(第1(第3)臂高度)与低位置LN(第2(第4)臂高度)之间移动(参照图4)，与此相伴，能够使承载到该喷嘴臂的喷嘴在接近了晶圆W的接近位置与相对于接近位置远离晶圆W的分开位置之间移动。
SC2喷嘴418和第2DIW喷嘴419是不动的固定喷嘴，固定于随后论述的底板96之上。SC2喷嘴418和第2DIW喷嘴419通过以预先确定好的流量喷出液体，从这些喷嘴418、419喷出来的液体以描绘抛物线而飞舞并向晶圆W的中心部Wc落下的方式设置。
圆筒体450在旋转轴32的内部沿着上下方向延伸。圆筒体450以即使旋转轴32旋转其也不旋转的方式设置。在圆筒体450的内部，1个或多个处理流体供给路径451(在图2中仅示有1个)沿着上下方向延伸。处理流体供给路径451的上端开口成为用于供给处理流体的下表面喷嘴452。能够从该下表面喷嘴452向晶圆W的背面(下表面)供给例如作为冲洗液或吹扫液的DIW、作为干燥气体或吹扫气体的氮气。在以下的说明中，没有提及该下表面喷嘴452。
上述的处理流体中任一种处理流体从对应的处理流体供给源(例如贮存SC1、DHF等的化学溶液供给罐、作为工厂的动力被提供的纯水、氮气等的供给源等各种供给部中的任一个(未图示))经由对应的处理流体供给机构(未图示)向各喷嘴(411～419)供给。处理流体供给机构能够由将各喷嘴(411～419)和对应的处理流体供给源连接的供给管线、夹设于该供给管线的开闭阀、流量控制阀等流量控制设备等构成。
从处理液喷嘴(SC1喷嘴411、AS喷嘴412、DHF喷嘴413、第1DIW喷嘴414、SC2喷嘴418、第2DIW喷嘴419等)供给到旋转的晶圆W的处理液由于处理液与晶圆W表面的碰撞(液体从两个以上的喷嘴同时供给到晶圆W表面的情况下，也由于液体彼此的碰撞)，或者、在离心力的作用下被从晶圆甩出来，从而成为微小的液滴而飞散。若该飞散开的液滴附着于腔室20的内壁面或者腔室20内的装置构成零部件，则可能产生在背景技术中所述那样的问题。
为了防止或至少大幅度地抑制飞散开的处理液到达腔室20的内壁面，在杯50的还靠外侧的位置设置有雾防护件80。
雾防护件80具有：外周筒部(筒部)81；以及伸出部82，其从该外周筒部81的上端部朝向外周筒部81的(半径方向)内侧延伸并向排气杯51的上方伸出。在伸出部82的顶端部的下表面设置有朝向下方突出的突起83。
雾防护件80被升降机构84(防护件升降机构)(参照图3)升降而能够位于三个不同的高度位置、即高位置HG(第1防护高度)(在图2中以单点划线表示)、低位置LG(第2防护高度)(在图2中以实线表示)以及中间位置MG(第3防护高度)(在图2中以双点划线表示)(也参照图4)。升降机构84如图3所概略地表示那样能够由例如三位置的汽缸84a构成。雾防护件80具有从外周筒部81向外侧伸出的凸缘部85，该凸缘部85与位于其下方的汽缸84a的杆84b连接，随着杆84b的进退，雾防护件80升降。升降机构84也可以由被旋转马达驱动的直动机构、或者线性马达构成。在该情况下，能够将雾防护件80固定于任意的高度位置。
在图5中示出位于高位置HG的雾防护件80。雾防护件80在位于高位置HG时，是用于最有效地防止从喷嘴(SC1喷嘴411、AS喷嘴412、DHF喷嘴413、第1DIW喷嘴414、SC2喷嘴418、第2DIW喷嘴419等)供给到旋转的晶圆W之后从晶圆W飞散的处理液(在图5中以虚线箭头表示)到达腔室20的内壁的位置。雾防护件80的高位置HG的期望的高度由晶圆W转速、向晶圆W表面上的处理液供给条件(流量等)而不同，因此，利用实验来确定为佳。作为一个例子，处于高位置HG的雾防护件80的最上部的高度比晶圆W的表面的高度高60mm。在雾防护件80位于高位置HG时，如图4的(a)所示，处于前述的接近位置的喷嘴(与喷嘴411～417中任一个相对应。在图4中，标注了参照附图标记N。)的喷出口(在图4中标注了参照附图标记NP)位于比雾防护件80的伸出部82的内周端低的位置、且、与该喷嘴N相对应的喷嘴臂(对应于喷嘴臂421、422、423中任一个。在图4中标注了参照附图标记A。)位于比伸出部82靠上方的位置。此外，雾防护件80的高位置HG的恰当的高度由晶圆W转速、向晶圆W表面上的处理液供给条件(流量等)而不同，因此，优选根据这些条件来决定高位置HG的高度。
在图6中示出位于低位置LG的雾防护件80。低位置LG是雾防护件80能够位于的下限位置，该时雾防护件80的伸出部82的突起83与排气杯51的伸出部512的上表面接触。也就是说，雾防护件80与排气杯51的彼此面对的表面之间的空间与晶圆W附近的晶圆W的上方空间隔离。另外，在雾防护件80位于低位置LG时，从晶圆W的上方空间朝向处于腔室20的周缘部的排气口(随后论述的狭缝状开口97)的气体的流动(在图6中以实线箭头表示)不会被雾防护件80妨碍。
雾防护件80的中间位置MG处于前述的高位置HG与低位置LG之间的中间的高度。在图5中以虚线示出位于中间位置MG的雾防护件80。在雾防护件80位于中间位置MG时，雾防护件80的伸出部82向上方与排气杯51的伸出部512分开(并不是位于高位置HG时那样的程度)，能够一定程度抑制从晶圆W飞散的处理液到达腔室20的内壁。另外，在雾防护件80位于中间位置MG时，如图4的(b)所示那样喷嘴N(位于前述的分开位置)的喷出口NP位于比雾防护件80的伸出部82的内周端高的位置，喷嘴N不与雾防护件80干涉，能够越过雾防护件80的上方而在晶圆W的面内的上方的位置与上述的待机位置之间自由地移动。
如前所述，各臂驱动机构(431、432、433)包括升降机构，因此，在使雾防护件80位于中间位置MG时使喷嘴臂(421、422、423)向高位置HN上升，而对应的喷嘴能够具有充分的间隙地(没有发生干涉的担心地)在雾防护件80的上方经过。也就是说，通过在臂驱动机构设置升降机构，能够将雾防护件80的中间位置MG设定得比较高，能够在雾防护件80位于中间位置MG时抑制被供给到晶圆W的处理液越过雾防护件80而飞散。另外，能够使雾防护件80位于高位置HG且从喷嘴向晶圆W供给着处理液时的喷嘴的喷出口充分地靠近晶圆W的表面，能够减少处理液在晶圆W的表面上的飞溅。
此外，优选使雾防护件80位于中间位置MG时使喷嘴臂(421、422、423)向高位置HN上升的情况如上述那样，也可以持续维持于低位置LN。
如图7所示，在雾防护件80的外周筒部81，在雾防护件80位于高位置时从SC2喷嘴418和第2DIW喷嘴419喷出来的液体的飞行轨迹经过的位置形成有通液开口86。
如图2所示，在排气杯51的外周筒部511的外侧设置有收容雾防护件80的外周筒部81的圆筒状的防护袋90(雾防护件收容部)。防护袋90被排气杯51的外周筒部511的外周面、面对外周筒部511的圆筒状的铅垂壁(纵壁)91、以及底壁92划分形成。在底壁92，沿着圆周方向等间隔地形成有多个排出口93(在图2中仅示出1个)。排出口93连接有排出管94(排出管线)。
从构成防护袋90的铅垂壁91朝向大致水平方向外侧设置有对在腔室20内形成的处理空间的下限进行划分形成的底板96。底板96包围雾防护件80的整周。也就是说，在底板96设置有具有口径比雾防护件80的外周筒部81的外形稍大的直径的开口(与铅垂壁91相对应)，该开口内收容有雾防护件80和杯50。底板96从上述开口延伸直到到达腔室20的侧壁20a为止。
底板96的一部分在腔室20的侧壁20a的跟前终端，由此，在底板96的外侧端96a与腔室20的侧壁20a之间形成有狭缝状开口97(间隙)。在底板96的下方形成有用于对腔室20内的空间(处理空间)的气氛进行排气的排气空间98。排气空间98由底板96、腔室20的侧壁20a、底壁20b等壁体、以及铅垂壁91划分形成。
如图3所示，腔室20具有4个侧壁20a，沿着其中的3个分别设置有各1个狭缝状开口97。这3个狭缝状开口97与通用的1个排气空间98连接。在剩余的1个侧壁20a设置有用于将晶圆W相对于腔室20内输入输出的带开闭器25的输入输出口24，因此，在此没有设置狭缝状开口97。
如图2所示，在腔室20的面对排气空间98的底壁20b设置有排气口99。在排气口99连接有排气管100(排气管线)。在排气管100汇合有排出管94。在汇合点的下游侧，在排气管100上夹设有雾捕集器(气液分离部)101和碟形阀或调节阀等流量控制阀102。排气管100的下游端与减压气氛的工厂排气系统的管道(未图示)连接。通过对流量控制阀102的开度进行调节，能够对排气空间98和防护袋90内的减压的程度进行调整，其结果，能够对从腔室20内的空间引入排气空间98内的气体的流量、以及从晶圆W的上方的空间引入防护袋90内的气体的流量进行调节。
底板96的上表面以高度随着靠近腔室20的侧壁20a而变低的方式平缓地倾斜。底板96的上表面平滑且平坦。如前所述，在底板96的上表面，除了设置有SC2喷嘴418和第2DIW喷嘴419的部分以及设置有需要的传感器类和辅助设备类的部分之外，实质上没有凹凸，气体能够在底板96附近顺利地朝向狭缝状开口97流动。另外，在维护时在对腔室20内进行了清洗时，清洗液经由狭缝状开口97顺利地流入排气空间98。
如图5所示，位于高位置的雾防护件80的外周筒部81的下端位于比防护袋90的上端稍靠上方的位置。根据发明人的实验，在雾防护件80位于高位置HG时，处理液的液滴几乎不与外周筒部81的下端附近碰撞，液滴的大半与雾防护件80的比较高的位置碰撞。因此，在外周筒部81的下端比防护袋90的上端低的优点几乎没有。不如说通过使外周筒部81的下端比防护袋90的上端高，从而获得如下优点：雾防护件80的伸出部82与排气杯51的伸出部512之间的空间内的气氛(气体、雾等)向狭缝状开口97或防护袋90内顺利地流入，能够更可靠地防止源自化学溶液的气氛、高湿度气氛(包括雾)滞留于晶圆W上方空间。
如图8所示，在排气杯51的伸出部512的上表面，喷出用于清洗雾防护件80的内表面的清洗液例如DIW的多个例如4个清洗液喷嘴110(雾防护件清洗机构)沿着伸出部512的圆周方向等间隔地配置。4个清洗液喷嘴110中的一个表示在图8中。
在雾防护件80位于作为下限位置的低位置LG时，从清洗液供给部供给来的清洗液从清洗液喷嘴110朝向雾防护件80的伸出部82的下表面喷射。伸出部82的下表面以随着去往雾防护件80的半径方向内侧而变高的方式倾斜，因此，喷射来的清洗液沿着伸出部82的下表面向斜上方前进。此时，突起83与排气杯51的伸出部512的上表面接触，因此，清洗液不会比突起83向前前进。因此，从清洗液喷嘴110喷射来的清洗液充满排气杯51与雾防护件80的彼此面对的表面之间的空间。若来自清洗液喷嘴110的清洗液的喷出停止，由于伸出部512的上表面516以随着去往半径方向内侧而变高的方式倾斜，因此，清洗液朝向防护袋90流下。由于上述的清洗液的流动，排气杯51与雾防护件80的彼此面对的表面被清洗。清洗液经由排出管94从防护袋90排出，向雾捕集器101流入，经由与雾捕集器101连接的废液管向工厂废液系统流出。
除了上述清洗液喷嘴110以外，也能够设置用于自动地清洗杯50的内部和附近的构件的清洗液喷嘴，但在本说明书对这些没有提及。
接着，对上述处理单元16的运转序列的一个例子进行说明。以下的运转序列在控制装置4(控制部)的控制下被存储到控制装置4的存储部19的工艺制程和控制程序自动地执行。
首先，基板输送装置17的臂经由输入输出口24而将晶圆W向腔室20(处理容器)内输入，晶圆W被基板保持机构30的保持部31保持。在基板输送装置17的臂从腔室退出来之后，开闭器25被关闭。在晶圆W的输入时，雾防护件80位于低位置。以下，对该晶圆W进行一系列的处理。其中，说明对晶圆W依次进行DHF清洗工序、DIW冲洗工序、SC1清洗工序、DIW冲洗工序、IPA置换工序、干燥工序的情况。
[DHF清洗工序]
首先，第2喷嘴臂422回转(参照图3的箭头M2)，DHF喷嘴413、第1DIW喷嘴414和IPA喷嘴415越过位于低位置LG的雾防护件80(参照图4的(c))的上方而位于晶圆W的中心部的正上方(参照图9的(a))。接下来，雾防护件80上升而位于高位置HG(参照图4的(a)、图5)。接下来，晶圆W开始旋转。晶圆W的旋转一直继续直到对晶圆W的一系列的处理结束为止。DHF从DHF喷嘴413向旋转的晶圆W的中心部供给。DHF在离心力的作用下在晶圆W的表面朝向晶圆W的周缘流动，晶圆W的整个表面被DHF的液膜覆盖，晶圆W的表面被DHF处理。
从晶圆W飞散开的处理液(在此是DHF)的大部分经过第1旋转杯53、第2旋转杯54之间而朝向斜下方流动。之后，处理液根据基于处理液的种类(酸性、碱性、有机)而预先确定的第1可动杯要素522和第2可动杯要素523的位置向液体通路525a、525b、525c中任一个液体通路(入口打开着的任一个)流入，接下来，向积液部522a、522b、522c中任一个积液部流入，经由排液管线523a、523b、523c中任一个排液管线向工厂废液系统废弃。此外，针对上述的处理液的流动，在向晶圆W的表面供给处理液的工序全部中通用，因此，省略从此之后的工序中的重复说明。
从晶圆W飞散开的处理液的一部分越过排气杯51的伸出部512的上方而要朝向腔室20的侧壁20a。这样的处理液的液滴的大部分与位于高位置的雾防护件80的内表面碰撞，而被捕捉。因此，处理液的液滴向腔室20的侧壁20a的附着被防止、或者被抑制到最小限度。被捕捉到雾防护件80的液附着于雾防护件80的内表面上、或者在雾防护件80的内表面上因重力而向下方流动。
即使较慢，也在最初的处理液(在此是DHF)相对于晶圆W的供给被开始时(通常是在基板处理系统1通常运转着时常时)，清洁空气从FFU21朝向腔室20的内部空间即处理空间内朝下吹出。该清洁空气的流动被整流板22整流，朝向晶圆W。
即使较慢，也在最初的处理液相对于晶圆W的供给被开始时，排气通路551内经由排气管道553排气，由此，晶圆W附近的晶圆W上方空间的气氛被从排气杯51的伸出部512的顶端与排液杯52的伸出部521b的顶端之间的间隙抽吸(参照图5的实线箭头)。经由排气管道553的排气流量在从晶圆W向腔室20内输入到被输出为止一直被维持恒定。因而，从FFU21供给到晶圆W的上方的空间的清洁空气被供给，而位于晶圆W的上方的空间内的气氛导入排气通路551内。由此，晶圆W附近的晶圆W上方空间的气氛被维持在清洁。
在本实施方式中，液体通路525a、525b、525c没有被排气(抽吸)。也就是说，从晶圆W附近的晶圆W上方空间向杯50内流入的气体未向液体通路525a、525b、525c流入，而向全部排气通路551流入。不可能将液体通路525a、525b、525c的截面形状设为彼此相同，液体通路525a、525b、525c的流路阻力彼此不同。在对液体通路525a、525b、525c进行着抽吸的情况下，以该流路阻力的不同作为原因，根据开放着的液体通路从晶圆W附近的晶圆W上方空间向杯50内流入的气体的流量不同。在本实施方式中，不产生这样的问题，晶圆W附近的晶圆W上方空间中的气体的流动与使用于处理的处理液的种类无关，被维持恒定。这有助于处理的均匀性的提高。
即使较慢，也在最初的处理液相对于晶圆W的供给被开始时，防护袋90的内部空间和排气空间98经由排出管94和排气管100被抽吸(排气)。该排气从晶圆W向腔室20内输入到被输出为止一直维持。利用该排气，存在于比底板96靠上方的雾防护件80与腔室20的侧壁20a之间的空间、以及雾防护件80的伸出部82与排气杯51的伸出部512之间的空间的气氛(气体、雾等)吸入防护袋90内、或者、经由狭缝状开口97吸入排气空间98内(参照图5和图6的实线箭头)。由此，能够防止污染性或高湿度的气氛滞留于上述的空间。
在雾防护件80的内表面上因重力而向下方流动的液滴向防护袋90内滴落，经由排出管94和排气管100流动，从雾捕集器101的废液103向未图示的工厂废液系统排出。
[DIW冲洗工序(第1次)]
DHF清洗工序一结束，就将雾防护件80维持在高位置HG，直接开始来自第1DIW喷嘴414的DIW的喷出，并且，在刚刚开始之后使来自DHF喷嘴413的DHF的喷出停止。残留于晶圆W上的DHF和反应生成物被该DIW冲洗。
[SC1清洗工序]
在从DIW冲洗工序向SC1清洗工序转换时，首先，最初进行喷嘴臂的更换(喷嘴更换操作)(参照图9的(a)～(c))。保持从第1DIW喷嘴414持续喷出DIW的状态(在不产生晶圆W的表面的DIW的液膜间断的范围内也可以使喷出流量减少)，使雾防护件80降低而使其位于中间位置MG，而且，使喷嘴臂421、422上升而使其位于高位置HN(参照图4的(b))。接下来，使第1喷嘴臂421回转，使AS喷嘴412位于晶圆W的中心部的正上方。此时，以位于第1喷嘴臂421的顶端部的喷嘴和位于第2喷嘴臂422的顶端部的喷嘴不彼此碰撞的方式从SC1喷嘴411即将到达晶圆W的中心部的正上方之前起，保持从第2喷嘴臂422的第1DIW喷嘴414持续喷出DIW的状态，开始第2喷嘴臂422的退避回转、即第2喷嘴臂422的朝向起始位置的移动(参照图9的(b))。另外，在AS喷嘴412到达晶圆W的中心部的正上方的稍早的时间点，从AS喷嘴412开始DIW的喷出。此外，此时，不使用AS喷嘴412的二流体生成功能(即不向AS喷嘴412供给氮气)，从AS喷嘴412进行没有雾化的DIW的喷出。在DIW的供给从AS喷嘴412向晶圆W的中心部被开始了之后，来自第1DIW喷嘴414的DIW的喷出被停止。AS喷嘴412位于晶圆W的中心部的正上方，第1DIW喷嘴414一返回到起始位置(参照图9的(c))，就使雾防护件80上升而使其位于高位置HG，而且，使第2喷嘴臂422位于低位置LN(参照图4的(a))。
通过如此使从AS喷嘴412向晶圆W中心部附近供给DIW的期间与从第1DIW喷嘴414向晶圆W中心部附近供给DIW的期间重复，能够防止DIW的液膜从晶圆W表面局部地消失而晶圆W表面的一部分被暴露于大气气氛(水印、成为微粒产生的原因)。只要可能达成该效果，来自AS喷嘴412的DIW的喷出开始时刻和来自第1DIW喷嘴414的DIW的喷出停止时刻是任意的。
此外，在雾防护件80位于中间位置MG时，与位于高位置HG时相比较，雾防护件80的液滴飞散阻断功能降低。因此，为了使来自晶圆W的液滴的飞散量、飞散高度等减少，优选采取使晶圆W的旋转速度减少、和/或使来自AS喷嘴412和第1DIW喷嘴414的DIW的喷出流量减少(在不产生晶圆W的表面暴露的范围内)、尽可能缩短AS喷嘴412和第1DIW喷嘴414同时喷出DIW的时间(若从各喷嘴喷出来的液在晶圆W上碰撞，则易于产生飞溅)等对策。
接下来，从SC1喷嘴411向晶圆W中心部开始SC1的供给，在刚刚开始之后使来自AS喷嘴412的DIW的喷出停止。通过将SC1向晶圆W供给预先确定好的时间，对晶圆W实施SC1清洗。此时也是，从晶圆W飞散的处理液的液滴被雾防护件80捕捉。在实施SC1清洗工序时的排气动作与实施DHF清洗工序时相同，因此，省略重复说明。
[DIW冲洗工序(第2次)]
SC1清洗工序一结束，就保持将雾防护件80维持在高位置HG的状态，开始来自AS喷嘴412的DIW的喷出，并且，在刚刚开始之后，使来自SC1喷嘴411的SC1的喷出停止。残留于晶圆W上的SC1与反应生成物被该DIW冲洗。
[IPA置换工序]
在从DIW冲洗工序(第2次)向IPA置换工序转换时，首先，最初，进行喷嘴臂的更换。保持从AS喷嘴412持续喷出DIW的状态(也可以在不产生晶圆W的表面的DIW的液膜间断的范围内使喷出流量减少)，使雾防护件80降低，而使其位于中间位置MG，而且，使喷嘴臂421、422上升而使其位于高位置HN(参照图4的(b))。接下来，使第2喷嘴臂422回转，使第1DIW喷嘴414位于晶圆W的中心部的正上方。此时，以位于第1喷嘴臂421的顶端部的喷嘴与位于第2喷嘴臂422的顶端部的喷嘴不彼此碰撞的方式从第1DIW喷嘴414即将到达晶圆W的中心部的正上方之前到保持从第1喷嘴臂421的AS喷嘴412持续喷出DIW的状态下，开始第1喷嘴臂421的退避回转、即第1喷嘴臂421的朝向起始位置的移动(参照图9的(d))。另外，在第1DIW喷嘴414到达晶圆W的中心部的正上方稍早的时间点，从第1DIW喷嘴414开始DIW的喷出。此外，此时，在DIW的供给从第1DIW喷嘴414向晶圆W的中心部被开始了之后，来自AS喷嘴412的DIW的喷出被停止。
接着，在图9的(d)的状态下，从IPA喷嘴415开始IPA的喷出，并且，在刚刚开始之后使来自第1DIW喷嘴414的DIW的喷出停止。与IPA的喷出开始同时，或者其稍后，使雾防护件80下降，而使其位于低位置LG。处于晶圆W表面上的DIW被供给来的IPA置换，晶圆W的表面被IPA的液膜覆盖。
[干燥工序]
在第1喷嘴臂421返回到起始位置之后，使第3喷嘴臂423回转，使第1氮气喷嘴416位于晶圆W的中心部的正上方。第1氮气喷嘴416一靠近晶圆W的中心部的正上方，就从IPA喷嘴415继续IPA的喷出，同时使第2喷嘴臂422朝向起始位置(朝向晶圆W的周缘部)开始移动。在第1氮气喷嘴416位于晶圆W的中心部的正上方时从第1氮气喷嘴416开始氮气的喷出。接下来，开始来自第2氮气喷嘴417的氮气的喷出，使第3喷嘴臂423朝向起始位置(朝向晶圆W的周缘部)开始移动(参照图9的(f))。
第2喷嘴臂422和第3喷嘴臂423的回转运动被控制成，从IPA喷嘴415喷出的IPA与晶圆W表面上的碰撞位置维持在比从第2氮气喷嘴417喷出的氮气与晶圆W表面上的碰撞位置靠晶圆W的半径方向外侧的位置。由此，从第2氮气喷嘴417喷出来的氮气将IPA的液膜沿着晶圆周缘方向推开，在晶圆W表面形成的圆形的干燥区域从中心部朝向周缘部逐渐扩展。在IPA喷嘴415经过了晶圆W的周缘之后，在第2氮气喷嘴417经过晶圆W的周缘的时间点，晶圆W的表面整个区域干燥。通过以上步骤，干燥工序结束。喷嘴臂422、423返回各自的起始位置，并在起始位置待机。
在该干燥工序中，雾防护件80位于低位置LG。因此，从晶圆W的上方的空间朝向狭缝状开口97的气体的流动未被雾防护件80妨碍。由此，防止或减少在前工序中飞散开的DIW的雾或蒸气滞留于晶圆W的上方的空间。因此，能够将晶圆W的上方的空间维持于低湿度，能够使干燥效率提高。此外，即使IPA飞散而附着到腔室20的侧壁20a，高挥发性的IPA也在短时间内蒸发而向腔室20外部排气，因此，不会给腔室20内的气氛带来不良影响。
此外，在实施着干燥工序的期间内，利用之前参照图8而进行了说明的顺序，对位于低位置LG的雾防护件80进行清洗处理，附着于雾防护件80的表面(晶圆W侧的面)的化学溶液成分被去除。
在干燥工序的结束后，利用与输入时相反的顺序，处理完毕的晶圆W被向腔室20的外部输出。
此外，上述的运转序列虽没有包括，但也可以在运转序列包括如下工序：如图7所示，在雾防护件80位于高位置HG的状态下，从SC2喷嘴418向晶圆W的中心部供给SC2液而进行SC2清洗，之后，从第2DIW喷嘴419向晶圆W的中心部供给DIW而进行冲洗处理。
根据上述的实施方式，通过设置可升降的雾防护件80，利用上升后的雾防护件80对飞散的化学溶液成分或水分进行遮蔽，能够效率良好地防止化学溶液成分或水分附着于腔室20的内壁面、或者腔室内设备。另外，雾防护件80具有伸出部82，因此，能够更加提高上述的遮蔽效果。另外，通过预先使雾防护件80下降，在例如干燥时晶圆W上方的气氛气体的排气未被雾防护件80妨碍，因此，能够使干燥效率提高。
在上述实施方式中，位于高位置HG的雾防护件80的外周筒部81的下端部处于防护袋90外，但也可以处于内部。在该情况下，如图10所示，能够在外周筒部81的下端部设置通气开口87。优选的是，沿着雾防护件80的周向延伸的多个通气开口87沿着雾防护件80的周向隔开间隔地设置。通过设置通气开口87，能够使气体从雾防护件80的晶圆侧的空间向腔室20的侧壁20a穿过而向狭缝状开口97流入。
在上述实施方式中，排气杯51是构成杯50的最外周的不动的杯形构成要素，但并不限定于此。也可以从杯50去除掉排气杯51、将排液杯52设为构成杯50的最外周的不动的杯形构成要素。在该情况下，在排液杯52的外侧以与排液杯52相邻的方式设置有雾防护件80。在图4中，该情况的排液杯52与雾防护件80之间的位置关系能够通过将排气杯51视作排液杯(52)来理解。此外，在该情况下，构成例如排液管线523a、523b、523c的配管与工厂排气系统(或抽吸泵或者喷射器等抽吸装置)连接而也具有作为排气管线的作用。在该情况下，在排气管线设置有雾捕集器等气液分离装置，被雾捕集器分离开的液体被向例如工厂废液系统废弃。
参照图11而对雾防护件80的清洗处理的其他实施方式进行说明。在图11中，针对与参照图1～图10而已经说明的构件相同的构件，标注相同附图标记，省略重复说明。
图11所示的雾防护件80A相对于图8所示的雾防护件80而言于在伸出部82的下表面设置有环状(圆环状)的间隙形成部823(向下方突出的部分)这点不同。间隙形成部823从雾防护件80A的外周筒部81的内周面朝向半径方向内侧延伸。通过设置该间隙形成部823，在间隙形成部823的下表面与同其相对的排气杯51的伸出部512的上表面之间的间隙G1比雾防护件80A的没有设置间隙形成部823的部分(比间隙G1靠半径方向内侧的部分)与同其相对的排气杯51的伸出部512的上表面之间的间隙G2窄。
间隙G1的大小大到随后论述的清洗液能够向间隙G1的整个区域扩展的程度，然而，优选设为小到清洗液不容易从间隙G1流出的程度那样的值，例如0.1mm～0.5mm程度。
间隙形成部823在雾防护件80A的伸出部82的整周上沿着圆周方向连续地延伸。在间隙形成部823的下表面形成有用于将从清洗液喷嘴110供给来的清洗液向间隙G2引导的多个径向槽824。径向槽824的槽底面(槽的上端面)同与其相对的排气杯51的伸出部512的上表面之间的间隙比间隙G1宽。径向槽824朝向半径方向内侧延伸，与间隙G2连通。径向槽824设置有与清洗液喷嘴110相同的数量。清洗液喷嘴110在与径向槽824相对的位置设置于伸出部512，朝向径向槽824供给清洗液。径向槽824严格来说无需沿着径向延伸，也可以相对于径向呈角度地延伸。
在环状的间隙形成部823的下表面，形成有沿着圆周方向在雾防护件80A的整周上延伸的圆周槽(周向槽)825。该圆周槽825与全部的径向槽824交叉，与全部的径向槽824连通。圆周槽825的半径方向位置位于比清洗液喷嘴110靠半径方向内侧的位置。
以下对设置有间隙形成部823、径向槽824、圆周槽825的效果进行说明。
使雾防护件80A如图11所示那样位于前述的低位置LG，从清洗液喷嘴110使作为清洗液的DIW喷出。从各清洗液喷嘴110喷出来的清洗液经由对应的径向槽824向间隙G2内流入。
此时，从清洗液喷嘴110喷出的清洗液的流量比经由间隙G1向防护袋90内流出的清洗液的流量大。因此，能够将间隙G2在整周上以清洗液充满。此时，位于雾防护件80A的伸出部82的内周端的突起83的下表面与排气杯51的伸出部512的上表面接触，因此，清洗液几乎不从突起83的下表面与伸出部512的上表面之间漏出。因此，能够以清洗液均匀地充满间隙G2内的周向整个区域。
突起83的下表面也可以不与伸出部512的上表面接触。在该情况下，从清洗液喷嘴110喷出的清洗液的流量比经由间隙G1向防护袋90内流出的清洗液的流量和从突起83与伸出部512的上表面之间的间隙流出的清洗液的流量的合计多即可。
在径向槽824内流动的清洗液也向圆周槽825流入而沿着圆周方向扩展开。若间隙G2、径向槽824和圆周槽825被清洗液充满，则进行清洗液向较窄的间隙G1内的扩散。雾防护件80A的伸出部82的下表面与排气杯51的伸出部512的上表面之间的空间的整个区域(即间隙G1+G2)被清洗液充满。附着到伸出部82的下表面和伸出部512的上表面的化学溶液和反应生成物等附着物溶入该清洗液。溶入到清洗液的附着物与清洗液一起向防护袋90内排出。如此一来，能够清洗雾防护件80A的表面(晶圆W侧的面)。
之后，若使雾防护件80A上升，则处于雾防护件80A的伸出部82的下表面与排气杯51的伸出部512的上表面之间的空间的清洗液沿着作为倾斜面的伸出部512的上表面流入防护袋90内。通过以上步骤，清洗结束。也可以反复进行上述的清洗操作。
根据图11的实施方式中的上述的结构，能够以清洗液没有遗漏地充满雾防护件80A的伸出部82的下表面与排气杯51的伸出部512的上表面之间的空间，能够均匀地清洗伸出部82的下表面和伸出部512的上表面的清洗对象面的整个区域。
在上述实施方式中，在间隙形成部823形成有径向槽824，但也可以没有径向槽824。在该情况下，如图12所示，清洗液喷嘴110B在比雾防护件80B的间隙形成部823B靠半径方向内侧的位置设置于排气杯51的伸出部512。由于从清洗液喷嘴110B供给的清洗液，能够在整周上以清洗液充满间隙G2。另外，间隙形成部823B的下表面与伸出部512的上表面之间的间隙G1也能够在整周上以清洗液充满。溶入到清洗液的附着物与清洗液一起向防护袋90B内排出。如此一来，能够对雾防护件80B的表面(晶圆W侧的面)进行清洗。
在图11所示的SC2喷嘴418即固定喷嘴的周围设置有罩60。罩60被固定于底板96。在罩60的朝向雾防护件80A那一侧的正面61形成有开口62。能够经由该开口62从被罩60覆盖着的SC2喷嘴418朝向晶圆W喷出SC2液(处理液)。
在雾防护件80A的外周筒部的最上部即伸出部82的上表面的最外周部设置有遮蔽构件88。遮蔽构件88既可以是雾防护件80A与一体不可分的构件，也可以是在与雾防护件80A独立地制造了之后固定到雾防护件80A的构件。在雾防护件80A位于低位置LG时，遮蔽构件88与罩60的正面61的没有形成开口62的部分隔开较窄的(例如1mm～2mm程度的)间隙63而与该部分相对。
气体难以向较窄的间隙63流动。因此，能够在来自SC2喷嘴418的SC2液的喷出停止时滞留于SC2喷嘴418的喷出口附近的SC2液(处理液)的蒸气向腔室20内扩散、以及从SC2喷嘴418进行仿真分配时(由于是固定喷嘴，因此，仿真分配时的喷出流量非常少)防止SC2液(处理液)的蒸气向腔室20内扩散。
也可以使罩60和遮蔽构件88一体化。在该情况下，罩60和遮蔽构件88与雾防护件80A联动地升降。另外，在该情况下，无需为了在雾防护件80A的升降时防止罩60与遮蔽构件88的干涉而设置的间隙63。因此，能够更可靠地防止SC2液(处理液)的蒸气向腔室20内扩散。
在SC2喷嘴418的喷出口的下方设置有渡槽64(液引导构件)。从SC2喷嘴418的喷出口滴落的SC2液经由渡槽64流入防护袋90内。因此，能够防止底板96被从SC2喷嘴418滴落的SC2液污染、或滴落到底板96的SC2蒸发而向腔室20内扩散。
在上述各实施方式中，处理对象的基板是半导体晶圆，但并不限定于此，也可以是其他基板、例如液晶显示器用的玻璃基板、陶瓷基板等。

Claims (18)

1.一种基板处理装置，其中，该基板处理装置具备：
基板保持部，其保持基板；
至少1个处理液喷嘴，其向保持到所述基板保持部的基板喷出处理液；
处理容器，其收容所述基板保持部和所述处理液喷嘴；
固定杯体，其配置于所述基板保持部的周围，该固定杯体接受被供给到基板的至少处理液或处理液的雾，且相对于所述处理容器相对地不动；
雾防护件，其以包围所述固定杯体的方式设置于所述固定杯体的外侧，该雾防护件对越过所述固定杯体的上方而向外方飞散的液体进行阻断；
防护件升降机构，其使所述雾防护件向第1防护高度和比所述第1防护高度低的第2防护高度升降；以及
控制部，其对所述防护件升降机构进行控制，以便在从所述处理液喷嘴向由所述基板保持部保持着的基板供给处理液时使所述雾防护件位于所述第1防护高度，在使所述基板干燥时使所述雾防护件位于所述第2防护高度，
所述雾防护件具有：筒状的筒部；以及伸出部，其从所述筒部的上部朝向所述筒部的内侧且向所述固定杯体的上方伸出，
在所述雾防护件位于所述第1防护高度时，在所述雾防护件与所述固定杯体之间形成气流，在所述雾防护件位于所述第2防护高度时，在所述雾防护件的上方形成气流。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，
在所述雾防护件的外侧设置有：底板，其划定所述处理容器内的处理空间的底部；以及排气口，其将所述处理空间内的气氛气体向所述处理空间的外侧排气。
3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其中，
所述底板延伸到所述处理容器的侧壁，所述底板的上表面以随着靠近所述侧壁而高度变低的方式倾斜。
4.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，
该基板处理装置设置有第1处理液喷嘴和第2处理液喷嘴作为所述处理液喷嘴，
所述基板处理装置还具备：第1喷嘴臂，其保持所述第1处理液喷嘴而使所述第1处理液喷嘴移动；第2喷嘴臂，其保持所述第2处理液喷嘴而使所述第2处理液喷嘴移动；以及控制部，其对所述基板处理装置的动作进行控制，
所述控制部在进行如下喷嘴更换操作时使所述雾防护件位于所述第1防护高度与所述第2防护高度的中间的第3防护高度：对所述第2喷嘴臂进行驱动而使所述第2处理液喷嘴从由所述基板保持部保持着的基板的外方的位置向所述基板的上方的位置前进，并且对所述第1喷嘴臂进行驱动而使所述第1处理液喷嘴从所述基板的上方的位置向所述基板的外方的位置退避。
5.根据权利要求4所述的基板处理装置，其中，
该基板处理装置具备：第1臂升降机构，其使所述第1喷嘴臂在第1臂高度与比所述第1臂高度低的第2臂高度之间升降；以及
第2臂升降机构，其使所述第2喷嘴臂在第3臂高度与比所述第3臂高度低的第4臂高度之间升降，
所述控制部在进行所述喷嘴更换操作时对所述第1臂升降机构进行控制而使所述第1喷嘴臂位于所述第1臂高度，对所述第2臂升降机构进行控制而使所述第2喷嘴臂位于所述第3臂高度。
6.根据权利要求4所述的基板处理装置，其中，
该基板处理装置还具备使保持到所述基板保持部的基板旋转的旋转机构，
所述控制部在进行所述喷嘴更换操作时对所述旋转机构进行控制，在进行所述喷嘴更换操作前使基板的转速比所述第1处理液喷嘴将处理液向基板喷出时的该转速降低。
7.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，
该基板处理装置还具备从所述雾防护件的外侧向保持到所述基板保持部的基板供给处理液的固定喷嘴，在所述雾防护件形成有通液开口，该通液开口在所述雾防护件位于所述第1防护高度时容许从所述固定喷嘴喷出来的处理液经过所述雾防护件而到达基板。
8.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，
该基板处理装置还具备：
雾防护件收容部，其收容所述雾防护件的所述筒部；以及
排出部，其将流入到所述雾防护件收容部的内部的液或气体排出。
9.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，
该基板处理装置还具备对所述雾防护件的朝向所述固定杯体的面进行清洗的清洗机构。
10.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，
所述固定杯体具有朝向由所述基板保持部保持着的基板的中心部侧延伸的倾斜上表面，该倾斜上表面以高度随着靠近所述基板的中心部而变高的方式倾斜，所述倾斜上表面与位于所述第2防护高度的所述雾防护件的所述伸出部的顶端部分接触，由此，面对所述雾防护件的朝向所述固定杯体的侧的面的空间与由所述基板保持部保持着的基板的上方的空间隔离。
11.根据权利要求9所述的基板处理装置，其中，
所述清洗机构在所述雾防护件位于所述第2防护高度时通过供给清洗液来进行所述雾防护件的清洗。
12.根据权利要求11所述的基板处理装置，其中，
所述固定杯体具有：筒状的筒部；以及伸出部，其从所述筒部的上部朝向所述筒部的内侧伸出，
在所述雾防护件的所述伸出部的下表面形成有间隙形成部，所述间隙形成部在所述间隙形成部的下表面与所述固定杯体的所述伸出部的上表面之间形成有第1间隙，在所述雾防护件的没有所述间隙形成部的部分与所述固定杯体的所述伸出部的上表面之间形成有第2间隙，
所述清洗机构具有向所述第2间隙供给清洗液的清洗液喷嘴。
13.根据权利要求12所述的基板处理装置，其中，
所述间隙形成部在所述雾防护件的所述伸出部的整周上延伸，
在所述间隙形成部的下表面形成有：径向槽，其沿着半径方向延伸；以及圆周槽，其与径向槽交叉，并沿着圆周方向延伸，
所述清洗液喷嘴在与所述径向槽相对的位置设置于所述固定杯体，所述圆周槽设置于所述清洗液喷嘴的半径方向内侧。
14.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，
所述固定杯体在所述固定杯体的径向外侧具有相对于所述固定杯体不动的杯形构成要素，所述固定杯体与所述杯形构成要素之间的空间被排气。
15.根据权利要求2所述的基板处理装置，其中，
在所述雾防护件位于所述第1防护高度时，所述雾防护件的所述筒部的下端位于比所述底板的上表面高的位置。
16.一种基板处理方法，在该基板处理方法中使用基板处理装置，该基板处理装置具备：
基板保持部，其保持基板；
至少1个处理液喷嘴，其向保持到所述基板保持部的基板的上表面喷出处理液；
处理容器，其收容所述基板保持部和所述处理液喷嘴；
固定杯体，其配置于所述基板保持部的周围，该固定杯体接受被供给到基板的处理液或处理液的雾，且相对于所述处理容器相对地不动；
雾防护件，其以包围所述固定杯体的方式设置于所述固定杯体的外侧，该雾防护件对越过所述固定杯体的上方而向外方飞散的液体进行阻断；以及
防护件升降机构，其使所述雾防护件升降，
所述雾防护件具有：筒状的筒部；以及伸出部，其从所述筒部的上端朝向所述固定杯体侧伸出，
该基板处理方法包括如下工序：
在使所述雾防护件位于第1防护高度的状态下，从所述处理液喷嘴向由所述基板保持部保持着的基板供给处理液；以及
在使所述雾防护件位于比所述第1防护高度低的第2防护高度的状态下，使所述基板干燥，
其中，在所述雾防护件位于所述第1防护高度时，在所述雾防护件与所述固定杯体之间形成气流，在所述雾防护件位于所述第2防护高度时，在所述雾防护件的上方形成气流。
17.根据权利要求16所述的基板处理方法，其中，
设置有第1处理液喷嘴和第2处理液喷嘴作为所述处理液喷嘴，所述基板处理装置还具备：第1喷嘴臂，其保持所述第1处理液喷嘴而使所述第1处理液喷嘴移动；以及第2喷嘴臂，其保持所述第2处理液喷嘴而使所述第2处理液喷嘴移动，
所述基板处理方法包括如下工序作为向所述基板供给处理液的工序：在使所述第2处理液喷嘴从所述基板的上方退避了的状态下，从位于所述基板的上方的所述第1处理液喷嘴向所述基板供给处理液；以及在使所述第1处理液喷嘴从所述基板的上方退避了的状态下，从位于所述基板的上方的所述第2处理液喷嘴向所述基板供给处理液，
在进行如下喷嘴更换操作时使所述雾防护件位于所述第1防护高度和所述第2防护高度的中间的第3防护高度：使所述第2处理液喷嘴从由所述基板保持部保持着的基板的外方的位置向所述基板的上方的位置前进，并且使所述第1处理液喷嘴从所述基板的上方的位置向所述基板的外方的位置退避。
18.一种存储介质，其储存有计算机程序，其中，所述计算机程序在被构成基板处理装置的控制装置的计算机执行了时，该计算机对所述基板处理装置的动作进行控制而使权利要求16所述的基板处理方法执行。
CN201680044518.2A 2015-07-29 2016-07-28 基板处理装置、基板处理方法以及存储介质 Active CN107851572B (zh)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015149916 2015-07-29
JP2015-149916 2015-07-29
JP2016-122690 2016-06-21
JP2016122690A JP6740028B2 (ja) 2015-07-29 2016-06-21 基板処理装置、基板処理方法および記憶媒体
PCT/JP2016/072157 WO2017018481A1 (ja) 2015-07-29 2016-07-28 基板処理装置、基板処理方法および記憶媒体

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN107851572A CN107851572A (zh) 2018-03-27
CN107851572B true CN107851572B (zh) 2022-02-18

Family

ID=57884517

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201680044518.2A Active CN107851572B (zh) 2015-07-29 2016-07-28 基板处理装置、基板处理方法以及存储介质

Country Status (2)

Country Link
CN (1) CN107851572B (zh)
WO (1) WO2017018481A1 (zh)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6890992B2 (ja) * 2017-02-10 2021-06-18 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置及び基板処理方法
JP7197376B2 (ja) * 2019-01-17 2022-12-27 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法及び基板処理装置
JP7161415B2 (ja) * 2019-01-21 2022-10-26 株式会社ディスコ 加工装置
CN112768378B (zh) * 2020-12-31 2023-02-10 上海至纯洁净系统科技股份有限公司 一种交错式晶圆表面湿法清洗系统及清洗方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102078850A (zh) * 2009-10-16 2011-06-01 东京毅力科创株式会社 液处理装置、液处理方法和存储介质
JP2013187395A (ja) * 2012-03-08 2013-09-19 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
KR20140113339A (ko) * 2013-03-15 2014-09-24 다이니폰 스크린 세이조우 가부시키가이샤 기판 처리 장치
JP2015056431A (ja) * 2013-09-10 2015-03-23 東京エレクトロン株式会社 基板処理システム及び基板処理方法並びに基板処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体
CN104505354A (zh) * 2013-08-08 2015-04-08 斯克林集团公司 基板处理装置以及基板处理方法

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4488506B2 (ja) * 2004-08-30 2010-06-23 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置および基板処理方法
JP2008159871A (ja) * 2006-12-25 2008-07-10 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
JP4901650B2 (ja) * 2007-08-31 2012-03-21 東京エレクトロン株式会社 液処理装置、液処理方法および記憶媒体
JP5151629B2 (ja) * 2008-04-03 2013-02-27 東京エレクトロン株式会社 基板洗浄方法、基板洗浄装置、現像方法、現像装置及び記憶媒体
JP2010232528A (ja) * 2009-03-27 2010-10-14 Pre-Tech Co Ltd 枚葉式洗浄装置
JP5645796B2 (ja) * 2011-11-21 2014-12-24 東京エレクトロン株式会社 液処理装置及び液処理方法
JP5543633B2 (ja) * 2012-11-26 2014-07-09 東京エレクトロン株式会社 基板洗浄システム、基板洗浄方法および記憶媒体
JP5941023B2 (ja) * 2013-08-21 2016-06-29 東京エレクトロン株式会社 基板洗浄装置、基板洗浄方法、及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102078850A (zh) * 2009-10-16 2011-06-01 东京毅力科创株式会社 液处理装置、液处理方法和存储介质
JP2013187395A (ja) * 2012-03-08 2013-09-19 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
KR20140113339A (ko) * 2013-03-15 2014-09-24 다이니폰 스크린 세이조우 가부시키가이샤 기판 처리 장치
CN104505354A (zh) * 2013-08-08 2015-04-08 斯克林集团公司 基板处理装置以及基板处理方法
JP2015056431A (ja) * 2013-09-10 2015-03-23 東京エレクトロン株式会社 基板処理システム及び基板処理方法並びに基板処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体

Also Published As

Publication number Publication date
WO2017018481A1 (ja) 2017-02-02
CN107851572A (zh) 2018-03-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6740028B2 (ja) 基板処理装置、基板処理方法および記憶媒体
CN106449470B (zh) 基板液处理装置和基板液处理方法
CN107039306B (zh) 基板处理装置及处理腔室清洗方法
US9190311B2 (en) Liquid arm cleaning unit for substrate processing apparatus
CN108292599B (zh) 基板液处理装置、基板液处理方法和存储介质
KR102482211B1 (ko) 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체
US20100051059A1 (en) Cleaning and drying-preventing method, and cleaning and drying-preventing apparatus
CN107527839B (zh) 基板处理装置、基板处理装置的清洗方法和存储介质
CN107851572B (zh) 基板处理装置、基板处理方法以及存储介质
CN111446150A (zh) 基板处理方法和基板处理装置
TWI687971B (zh) 基板處理裝置及基板處理方法
KR102041058B1 (ko) 기판 처리 장치
CN106816399B (zh) 基板处理装置及方法
JP3958594B2 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
JP7138539B2 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
KR101583111B1 (ko) 액처리 장치 및 액처리 방법
US12046485B2 (en) Substrate processing apparatus and method of cleaning substrate processing apparatus
JP2018147979A (ja) 基板処理装置
JP6125449B2 (ja) 基板液処理装置及び基板液処理方法
KR20220167220A (ko) 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
JP6370678B2 (ja) 基板液処理装置
JP2018163898A (ja) 基板処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant