CN104915062A - 一种阵列基板及触控显示装置 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种阵列基板及触控显示装置，所述阵列基板包括：基板；设置在所述基板上的绝缘相交的多条扫描线和多条数据线，多条扫描线沿第一方向延伸，所述数据线沿第二方向延伸；位于数据线所在膜层上方的公共电极层，公共电极层包括多个间隔设置且以阵列方式排列的触控电极块；多条触控电极线，每条所述触控电极线通过一第一连接结构与一个对应的触控电极块连接；所述扫描线或所述数据线包括：与所述触控电极线同层的走线部，以及与所述触控电极线异层的跨接部，相邻的走线部通过一第二连接结构与所述跨接部连接，本发明将触控电极线与扫描线或数据线在同一制作工艺中完成，能够减少一道专门制作触控电极线的工艺制程，进而能够提高生产效率。

Description

一种阵列基板及触控显示装置

技术领域

本发明实施例涉及液晶显示器技术领域，尤其涉及一种阵列基板及触控显示装置。

背景技术

液晶显示屏，英文通称为LCD(Liquid Crystal Display)，是属于平面显示器的一种。随着科技的发展，LCD也朝着轻、薄的目标发展，无论是广视角显示、低耗电量、厚度薄、还是零辐射等优点，都能让使用者享受最佳的视觉效果。

具有触控功能的显示器是基于功能丰富化的技术产生的，比较常见的触控技术有In-cell触控技术和On-cell触控技术。其中，In-cell触控技术是指将触摸面板功能嵌入到液晶显示面板内部的技术，On-cell触控技术是指将触摸面板功能嵌入到彩膜基板和偏光板之间的技术。由于In-cell触控技术能够使显示器更轻薄，因此更被关注。

现有技术的触控显示装置的阵列基板，由于需要单独设置触控走线，增加了装置的厚度、降低了透过率并且增加了制程的时间，降低了生产效率。

发明内容

本发明实施例提供一种阵列基板及触控显示装置，以实现减少制程数量，提高生产效率的效果。

第一方面，本发明实施例提供了一种阵列基板，包括：

基板；

设置在所述基板上的绝缘相交的多条扫描线和多条数据线，所述多条扫描线沿第一方向延伸，所述数据线沿第二方向延伸；

位于所述数据线所在膜层上方的公共电极层，所述公共电极层包括多个间隔设置且以阵列方式排列的触控电极块；

多条触控电极线，每条所述触控电极线通过一第一连接结构与一个对应的触控电极块连接；

所述扫描线或所述数据线包括：与所述触控电极线同层的走线部，以及与所述触控电极线异层的跨接部，相邻的走线部通过一第二连接结构与所述跨接部连接。

第二方面，本发明实施例还提供一种触控显示装置，包本发明第一方面所提供的阵列基板。

本发明提供的技术方案，将所述扫描线或所述数据线设置为包括与所述触控电极线同层的走线部，以及与所述触控电极线异层的跨接部的结构，且相邻的走线部通过一第二连接结构与所述跨接部连接，每条所述触控电极线通过一第一连接结构与一个对应的触控电极块连接，相对于现有技术，该技术方案可以将触控电极线与扫描线或数据线在同一制作工艺中完成，能够减少一道专门制作触控电极线的工艺制程，进而能够提高生产效率。

再者，本发明实施例将触控电极线与扫描线走线部或数据线走线部在同一制作工艺中完成，使其不需要再设置在平坦化层之上，提高了像素电极和公共电极的平整度，提高了显示装置的显示效果。

附图说明

图1为本发明实施例提供的一种阵列基板的俯视图；

图2为本发明实施例提供的扫描线跨接部与遮光层同层绝缘设置的结构示意图；

图3为本发明实施例提供的一种第一连接结构的结构示意图；

图4为本发明实施例提供的另一种第一连接结构的结构示意图；

图5为本发明实施例提供的扫描线跨接部与触控电极块同层绝缘设置的结构示意图；

图6为扫描线跨接部与触控电极块同层绝缘设置时，第二连接结构的又一种结构示意图；

图7为本发明实施例提供的扫描线跨接部与像素电极同层绝缘设置的结构示意图；

图8为扫描线跨接部与像素电极同层绝缘设置时，第二连接结构的又一种结构示意图；

图9为扫描线跨接部与像素电极同层绝缘设置时，第二连接结构的又一种结构示意图；

图10本发明实施例提供的当像素电极位于触控电极块的下方时第一连接结构的结构示意图；

图11为本发明实施例提供的当像素电极位于触控电极块的下方时第二连接结构的结构示意图；

图12为本发明实施例提供的又一种阵列基板的俯视图；

图13为数据线包括走线部和跨接部时，数据线跨接部与遮光层同层绝缘设置的结构示意图；

图14为本发明实施提供的一种第一连接结构的结构示意图；

图15为数据线跨接部与遮光层同层绝缘设置时，第二连接结构的又一种结构示意图；

图16为本发明实施例提供的数据线跨接部与触控电极块同层绝缘设置的结构示意图；

图17为本发明实施例提供的数据线跨接部与像素同层绝缘设置的结构示意图；

图18为数据线跨接部与像素电极同层绝缘设置时，第二连接结构的又一种结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。

图1为本发明实施例提供的一种阵列基板的俯视图，如图1所示，该阵列基板具体包括：基板11；设置在所述基板11上的绝缘相交的多条扫描线12和多条数据线13，所述多条扫描线12沿第一方向延伸，所述数据线13沿第二方向延伸；位于所述数据线13所在膜层上方的公共电极层14，所述公共电极层14包括多个间隔设置且以阵列方式排列的触控电极块141；多条触控电极线15，每条所述触控电极线15通过一第一连接结构与一个对应的触控电极块141连接。

为了节省制程，提高生产效率，将所述扫描线设置为下列结构：

所述扫描线12包括：与所述触控电极线15同层的走线部121，以及与所述触控电极线15异层的跨接部122，相邻的走线部121通过一第二连接结构与所述跨接部122连接。具体的，在制作工艺中，可以在基板11上形成一金属层之后，采用构图工艺同时形成多条沿第一方向延伸的扫描线12和多条沿第二方向延伸的触控电极线15，沿第一方向延伸的多条扫描线12被触控电极线15间隔开形成走线部121。为实现扫描线能够成功输送扫描信号，则需要将沿第一方向相互断开的走线部121连接在一起，即需要设置与触控电极线15非同层的跨接部122，形成多条完整的扫描线12。

相对于现有技术，本实施例所提供的技术方案，通过将触控电极线15与扫描线12的走线部121在同一制作工艺中完成，无需因制作触控电极线而单独增加制程，减少了一道制作工艺，进而提高了生产效率。

再者，现有技术中，为了提高像素电极和公共电极的平整度，在数据线层上会设置一层厚度较大的平坦化层。但是由于触控电极线需要设置在平坦化层之上，以和触控电极块连接，触控电极线的存在降低了像素电极和公共电极的平整度，影响了显示效果。本发明实施例将触控电极线15与扫描线12的走线部121在同一制作工艺中完成，使其不需要再设置在平坦化层之上，提高了像素电极和公共电极的平整度，提高了显示装置的显示效果。

在上述实施例的基础上，设置所述多条触控电极线15沿第二方向延伸，在所述第一方向上，相邻的所述扫描线12的走线部121之间具有间隔，所述间隔121处设置有所述触控电极线15。进一步的，所述触控电极线15在基板11上的正投影与所述数据线13在所述基板11上的正投影重叠。这样设置的好处是，保证触控电极线15不影响各像素单元的开口率。

对于上述实施例中，将所述扫描线设置为包括与所述触控电极线同层的走线部，以及与所述触控电极线异层的跨接部，相邻的走线部通过一第二连接结构与所述跨接部连接，具体有多种实现方式，例如跨接部的位置设置、相邻的走线部通过一第二连接结构与所述跨接部连接的方式等。此外，所述触控电极线通过一第一连接结构与一个对应的触控电极块连接也有多种实现方式，下面就各优选实施方式进行详细描述。

本发明实施例提供的阵列基板中所述扫描线包括：与所述触控电极线同层的走线部，以及与所述触控电极线异层的跨接部，相邻的走线部通过一第二连接结构与所述跨接部连接。由于扫描线走线部之间具有间隔，间隔处设置有触控电极线，因此需要设置与扫描线走线部以及触控电极线异层的跨接部，具体的，所述跨接部可以与阵列基板的遮光层同层绝缘设置，还可以与触控电极块同层绝缘设置，或者与像素电极同层绝缘设置。

图2为本发明实施例提供的扫描线跨接部与遮光层同层绝缘设置的结构示意图，该结构示意图为沿图1中A-A′线的剖视图，如图2所示，所述阵列基板包括：基板21；设置在所述基板21上的绝缘相交的多条扫描线22和多条数据线23，所述多条扫描线22沿第一方向延伸，所述数据线23沿第二方向延伸；位于所述数据线23所在膜层上方的公共电极层24，所述公共电极层24包括多个间隔设置且以阵列方式排列的触控电极块241；多条触控电极线25，每条所述触控电极线25通过一第一连接结构与一个对应的触控电极块241连接。所述扫描线22包括：与所述触控电极线25同层的走线部221，以及与所述触控电极线25异层的跨接部222，相邻的走线部221通过一第二连接结构与所述跨接部222连接。所述阵列基板还包括位于所述基板21和所述扫描线22的走线部221所在膜层之间的遮光层26，所述扫描线22的跨接部222与所述遮光层26同层绝缘设置。

具体地，多条扫描线22和多条数据线23绝缘相交限定出多个矩阵排列的像素单元，每个像素单元包括一个薄膜晶体管开关27，所述遮光层26位于所述薄膜晶体管开关27的半导体层271朝向基板21的一侧，用于遮挡背光模组产生的光线，防止光线照射导致薄膜晶体管开关27的半导体层271退化以及防止薄膜晶体管开关27产生漏电流。具体的，本实施例的阵列基板可以是在制作工艺过程中，在基板21上形成遮光层26的同时形成跨接部222，跨接部222在第一方向上的长度可以设为第一方向上相邻走线部221的间距，也可以设为略大于上述间距。本发明实施例通过将所述扫描线22的跨接部222与所述遮光层26同层绝缘设置，二者在同一制作工艺中完成，因此又减少了一道制作工艺，进一步提高了生产效率。

在阵列基板的制备过程中，形成遮光层26以及扫描线22的跨接部222后，并在遮光层26和跨接部222上方形成有绝缘层210，并在绝缘层210上进行打孔，形成贯穿所述绝缘层210的第二过孔28，扫描线22的走线部221通过第二过孔28与跨接部222完成电连接，本实施例中，用于连接走线部221和跨接部222的第二连接结构即为上述贯穿绝缘层的第二过孔28。

在上述各实施中，由于触控电极线与对应的触控电极块之间隔有数据线，触控电极线通过第一连接结构与触控电极电连接时，需与数据线绝缘，即需要绕过数据线，在具体实现时可有两种方式实现。

图3为本发明实施例提供的一种第一连接结构的结构示意图，图3为沿图1中B-B′线的一种剖视图，如图3所示，所述第一连接结构包括与所述触控电极线25同层并相互连接的连接衬垫291，以及暴露所述连接衬垫291的第一过孔292，所述触控电极线25通过所述连接衬垫291和所述第一过孔292与所述对应的触控电极块241连接。需要说明的是，连接衬垫291只要能够有助于向上与触控电极块241连接时绕过数据线23即可，本发明实施例对所述连接衬垫291的形状不作限制。

在制作工艺中由于打孔过深带来的隐患，将所述第一连接结构设置为包括与所述触控电极线同层并相互连接的连接衬垫、至少两个子过孔和至少一个过孔衬垫，所述触控电极线通过所述连接衬垫、至少两个子过孔和至少一个过孔衬垫与所述对应的触控电极块连接。图4为本发明实施例提供的另一种第一连接结构的结构示意图，如图4所示，所述第一连接结构包括与所述触控电极线25同层并相互连接的连接衬垫291、暴露所述连接衬垫291的第一子过孔292a、位于第一子过孔292a内的第一过孔衬垫293、暴露第一过孔衬垫293的第二子过孔292b。所述第一过孔衬垫293与所述数据线23同层，且覆盖第一子过孔292a，并且第一过孔衬垫293和连接衬垫291电性连接。所述触控电极线25通过所述连接衬垫291、所述第一子过孔292a、第一过孔衬垫293、以及第二子过孔292b与对应的触控电极块241连接。

在图4所示结构中，可以在基板上形成一金属层之后，采用构图工艺形成扫描线走线部、与扫描线走线部同层的触控电极线25，以及与所述触控电极线25同层并相互连接的连接衬垫291，然后形成第二绝缘层220，通过刻蚀技术在第二绝缘层220上进行打孔，形成第一子过孔292a，该第一子过孔292a暴露出连接衬垫291，然后在第二绝缘层220上再形成一金属层，并通过构图工艺形成数据线23和第一过孔衬垫293，该第一过孔衬垫293与数据线23断开且相互绝缘，并且第一过孔衬垫293与连接衬垫291完成电连接，且覆盖所述第一子过孔292a；再在第一过孔衬垫293与数据线23上形成第三绝缘层230，通过刻蚀技术在第三绝缘层上230方进行打孔，形成第二子过孔292b，第二子过孔292b暴露出所述第一过孔衬垫293，再形成触控电极块241，并且第一过孔衬垫293与触控电极块241电连接，从而实现了触控电极线25与触控电极块241的电连接。这样设置的好处是，可以避免由于触控电极线25与触控电极块241之间的距离过大，避免在制作工艺中由于打孔过深带来的隐患。

图5为本发明实施例提供的扫描线跨接部与触控电极块同层绝缘设置的结构示意图，该结构示意图为沿图1中A-A′线的剖视图，如图5所示，所述阵列基板包括：基板31；设置在所述基板31上的绝缘相交的多条扫描线32和多条数据线33，所述多条扫描线32沿第一方向延伸，所述数据线33沿第二方向延伸；位于所述数据线33所在膜层上方的公共电极层34，所述公共电极层34包括多个间隔设置且以阵列方式排列的触控电极块341；多条触控电极线35，每条所述触控电极线35通过一第一连接结构与一个对应的触控电极块341连接。所述扫描线32包括：与所述触控电极线35同层的走线部321，以及与所述触控电极线35异层的跨接部322，相邻的走线部321通过一第二连接结构与所述跨接部322连接。所述触控电极块341与所述扫描线32的跨接部322同层绝缘设置。

其中，跨接部322和触控电极块341同层设置，具体的，图5所示的阵列基板可以是在制作工艺过程中，在形成触控电极块341的同时形成跨接部322，跨接部322在第一方向上的长度可以设为第一方向上相邻走线部321的间距，也可以设为略大于上述间距。本发明实施例通过将所述扫描线32的跨接部322与所述触控电极块341同层绝缘设置，二者在同一制作工艺中完成，因此又减少了一道制作工艺，进一步提高了生产效率。

当所述跨接部与触控电极块同层绝缘设置时，第二连接在具体实现时可有两种方式实现。

如图5所示，先通过刻蚀形成暴露所述扫描线32的走线部321的第二过孔36，然后在形成触控电极块341的同时形成所述扫描线32的跨接部322，所述扫描线32的走线部321通过第二过孔36与跨接部222完成电连接。本实施例中，用于连接所述扫描线32的走线部321和跨接部322的第二连接结构即为上述贯穿走线部321与触控电极块341之间绝缘层的第二过孔36。

在制作工艺中由于打孔过深带来的隐患，可将所述第二连接结构设置为包括至少两个子过孔和至少一个过孔衬垫，所述扫描线的走线部通过所述至少两个子过孔和至少一个过孔衬垫与所述扫描线的跨接部相连。图6为扫描线跨接部与触控电极块同层绝缘设置时，第二连接结构的又一种结构示意图，如图6所示，所述第二连接结构包括暴露所述扫描线32的走线部321的第一子过孔36a、第一过孔衬垫37、暴露第一过孔衬垫37的第二子过孔36b。其中，所述第一过孔衬垫37覆盖第一子过孔36a，所述走线部321通过所述第一子过孔36a和第一过孔衬垫37电连接；第二子过孔36b暴露出第一过孔衬垫37，并且第一过孔衬垫37与所述跨接部322连接。

在图6所示结构中，可以在基板上形成一金属层之后，采用构图工艺形成扫描线走线部321、与扫描线走线部321同层的触控电极线35，然后形成第一绝缘层310，通过刻蚀技术在第一绝缘层310上进行打孔，形成第一子过孔36a，该第一子过孔36a暴露出所述扫描线32的走线部321，然后在第一绝缘层310上再形成一金属层，并通过构图工艺形成数据线33和第一过孔衬垫37，该第一过孔衬垫37与数据线33断开且相互绝缘，并且第一过孔衬垫37通过第一子过孔36a与所述扫描线32的走线部321完成电连接；再在第一过孔衬垫37与数据线33上形成第二绝缘层320，通过刻蚀技术在第二绝缘层320上方进行打孔，形成第二绝缘层的第二子过孔36b，第二子过孔36b暴露出所述第一过孔衬垫37，再形成触控电极块341和扫描线32的跨接部322，跨接部322通过第二子过孔36b与第一过孔衬垫37电连接，从而实现了所述扫描线32的走线部321与扫描线32的跨接部322的电连接。这样设置的好处是，可以避免由于走线部321与跨接部322之间的距离过大，在制作工艺中由于打孔过深带来的隐患。本发明实施例提供的第一连接结构与上述图3和图4所示的方式类似，在此不作赘述。

图7为本发明实施例提供的扫描线跨接部与像素电极同层绝缘设置的结构示意图，该结构示意图为沿图1中A-A′线的剖视图，如图7所示，所述阵列基板包括：基板41；设置在所述基板41上的绝缘相交的多条扫描线42和多条数据线43，所述多条扫描线42沿第一方向延伸，所述数据线43沿第二方向延伸；位于所述数据线43所在膜层上方的公共电极层44，所述公共电极层44包括多个间隔设置且以阵列方式排列的触控电极块441；多条触控电极线45，每条所述触控电极线45通过一第一连接结构与一个对应的触控电极块441连接。所述扫描线42包括：与所述触控电极线45同层的走线部421，以及与所述触控电极线45异层的跨接部422，相邻的走线部421通过一第二连接结构与所述跨接部422连接。多条扫描线42和多条数据线43绝缘交叉限定出多个呈阵列排布的像素单元，每个像素单元包括一个像素电极46，所述扫描线42的跨接部422与所述像素电极46同层绝缘设置。

具体的，在图7所示结构中，可以是在制作工艺过程中，在形成像素电极46的同时形成跨接部422，跨接部422在第一方向上的长度可以设为第一方向上相邻走线部421的间距，也可以设为略大于上述间距。本发明实施例通过将所述扫描线42的跨接部422与所述像素电极46同层绝缘设置，二者在同一制作工艺中完成，因此又减少了一道制作工艺，进一步提高了生产效率。

当所述跨接部与像素电极同层绝缘设置时，第二连接在具体实现时可有两种方式实现。

如图7所示，先通过刻蚀形成暴露所述扫描线42的走线部421的第二过孔47，然后在形成像素电极46的同时形成所述扫描线42的跨接部422，所述扫描线42的走线部421通过第二过孔47与跨接部422完成电连接。本实施例中，用于连接所述扫描线42的走线部421和跨接部422的第二连接结构即为上述贯穿走线部421与像素电极46之间绝缘层的第二过孔47。

图8为扫描线跨接部与像素电极同层绝缘设置时，第二连接结构的又一种结构示意图，如图8所示，所述第二连接结构包括暴露所述扫描线42的走线部421的第一子过孔47a、覆盖第一子过孔47a的第一过孔衬垫48、暴露第一过孔衬垫48的第二子过孔47b，其中，所述第一过孔衬垫48和走线部421电性连接。所述扫描线42的走线部421通过所述第一子过孔47a、第一过孔衬垫48、第二子过孔47b和与所述扫描线42的跨接部422连接。

在图8所示方案中，可以在基板上形成一金属层之后，采用构图工艺形成扫描线走线部421、与扫描线走线部421同层的触控电极线45，然后形成第一绝缘层410，通过刻蚀技术在第一绝缘层410上进行打孔，形成第一子过孔47a，该第一子过孔47a暴露出所述扫描线42的走线部421，然后在第一绝缘层410上再形成一金属层，并通过构图工艺形成数据线43和第一过孔衬垫48，该第一过孔衬垫48与数据线43断开且相互绝缘，并且第一过孔衬垫48与所述扫描线42的走线部421完成电连接，且覆盖第一子过孔47a；再在第一过孔衬垫48与数据线43上形成第二绝缘层420、触控电极块441、第三绝缘层430。通过刻蚀技术在第二绝缘层420和第三绝缘层430上方进行打孔，形成贯穿所述第二绝缘层420和第三绝缘层430的第二子过孔47b。第二子过孔47b暴露出所述第一过孔衬垫48，再形成像素电极46和扫描线42的跨接部422，并且第一过孔衬垫48与扫描线42的跨接部422电连接，从而实现了所述扫描线42的走线部421与扫描线42的跨接部422的电连接。这样设置的好处是，可以避免由于走线部421与跨接部422之间的距离过大，在制作工艺中由于打孔过深带来的隐患。

在上述实施例的基础上，图9为扫描线跨接部与像素电极同层绝缘设置时，第二连接结构的又一种结构示意图，如图9所示，所述第二连接结构包括暴露所述扫描线42的走线部421的第一子过孔47a、第一过孔衬垫48a、暴露第三垫48a的第二子过孔47b、第二过孔衬垫48b、暴露第二过孔衬垫48b的第三子过孔47c，其中，所述第一过孔衬垫48a覆盖第一子过孔47a，所述第二过孔衬垫48b覆盖第二子过孔47b。所述扫描线42的走线部421通过所述第一子过孔47a、第一过孔衬垫48a、第二子过孔47b、第二过孔衬垫48b以及第三子过孔47c与所述扫描线42的跨接部422连接。

在图9所示结构中，在具体的制备工艺中，可以在基板上形成一金属层之后，采用构图工艺形成扫描线走线部421、与扫描线走线部421同层的触控电极线45，然后形成第一绝缘层410，通过刻蚀技术在第一绝缘层410上进行打孔，形成第一子过孔47a，该第一子过孔47a暴露出所述扫描线42的走线部421，然后在第一绝缘层410上再形成一金属层，并通过构图工艺形成数据线43和第一过孔衬垫48a，该第一过孔衬垫48a与数据线43断开且相互绝缘，并且第一过孔衬垫48a与所述扫描线42的走线部421完成电连接，且覆盖第一子过孔47a；再在第一过孔衬垫48a与数据线43上形成第二绝缘层420，通过刻蚀技术在第二绝缘层420上进行打孔，形成第二子过孔47b，该第二子过孔47b暴露出第一过孔衬垫48a；在所述第二绝缘层420上形成触控电极块441和第二过孔衬垫48b，该第二过孔衬垫48b与触控电极块441断开且相互绝缘，并且第二过孔衬垫48b覆盖第二子过孔47b，并与第二过孔衬垫48a电连接。在所述第二过孔衬垫48b和所述触控电极块441上方形成第三绝缘层430，通过刻蚀技术在第三绝缘层430上进行打孔，形成第三子过孔47c，第三子过孔47c暴露出所述第二过孔衬垫48b；再形成像素电极46和扫描线42的跨接部422，并且第二过孔衬垫48b与扫描线42的跨接部422电连接，从而实现了所述扫描线42的走线部421与扫描线42的跨接部422的电连接。本发明实施例提供的第一连接结构与上述图3和图4所示的方式类似，在此不作赘述。

需要说明的是，图2-图9示例性的设置像素电极位于所述触控电极块的上方，而并非对本发明的限制。本发明对阵列基板中像素电极和触控电极块的位置不作限制，在其他实施方式中，除上述各实施例所示的像素电极位于所述触控电极块的上方外，所述像素电极还可以与所述触控电极块同层设置，或所述像素电极位于所述触控电极块下方。当所述像素电极与触控电极块的相对位置变化后，为避免在制作工艺中由于打孔过深带来隐患，相应的第一连接结构和第二连接结构需进行相应调整，例如所述第一连接结构的包含的子过孔数量、过孔衬垫的数量；以及第二连接结构中包含的子过孔数量、过孔衬垫的数量会发生变化。但只要所述第一连接结构能够使每条所述触控电极线与对应的触控电极块连接，第二连接结构使扫描线的相邻的走线部与相应的跨接部连接即可。

图10本发明实施例提供的当像素电极位于触控电极块的下方时第一连接结构的结构示意图。如图10所示，所述第一连接结构包括与所述触控电极线55同层并相互连接的连接衬垫591、暴露所述连接衬垫591的第一子过孔592a、位于第一子过孔592a内的第一过孔衬垫593、暴露所述第一过孔衬垫593的第二子过孔592b、位于所述第二子过孔592b内的第二过孔衬垫594、暴露所述第二过孔衬垫594的第三子过孔592c。所述第二过孔衬垫594与所述像素电极56同层，且覆盖所述第二过孔592b，第二过孔衬垫594和第一过孔衬垫593电性连接；所述第一过孔衬垫593与所述数据线53同层，且覆盖第一过孔592a，并且第一过孔衬垫593和连接衬垫591电性连接。所述触控电极线55通过所述连接衬垫591、所述第一子过孔592a、第一过孔衬垫593、第二子过孔592b、第二过孔衬垫594，以及第三子过孔592c与对应的触控电极块541连接。在图10所示结构中，可以在基板上形成一金属层之后，采用构图工艺形成扫描线走线部、与扫描线走线部同层的触控电极线55，以及与所述触控电极线55同层并相互连接的连接衬垫591，然后形成第二绝缘层520，通过刻蚀技术在第二绝缘层520上进行打孔，形成第一子过孔592a，该第一子过孔592a暴露出连接衬垫591，然后在第二绝缘层520上再形成一金属层，并通过构图工艺形成数据线53和第一过孔衬垫593，该第一过孔衬垫593与数据线53断开且相互绝缘，并且第一过孔衬垫593与连接衬垫591完成电连接，且覆盖所述第一子过孔592a；再在第一过孔衬垫593与数据线53上形成第三绝缘层530，通过刻蚀技术在第三绝缘层530上方进行打孔，形成第二子过孔592b，第二子过孔592b暴露出所述第一过孔衬垫593，在所述第三绝缘层530上形成像素电极56和第二过孔衬垫594，所述第二过孔衬垫594与像素电极56断开且相互绝缘，并且第二过孔衬垫594与第一过孔衬垫592完成电连接，且覆盖所述第二子过孔592b；再在第二过孔衬垫594与像素电极56上形成第四绝缘层540，通过刻蚀技术在第四绝缘层540上方进行打孔，形成第三子过孔592c，第三子过孔592c暴露出所述第二过孔衬垫594，再形成触控电极块541，并且第二过孔衬垫594与触控电极块541电连接，从而实现了触控电极线55与触控电极块541的电连接。这样设置的好处是，可以避免由于触控电极线55与触控电极块541之间的距离过大，避免在制作工艺中由于打孔过深带来的隐患。

图11为本发明实施例提供的当像素电极位于触控电极块的下方时第二连接结构的结构示意图。示例性的，以所述扫描线跨接部与所述像素电极同层设置时为例，进行详细描述。如图11所示，所述第二连接结构包括暴露所述扫描线62的走线部621的第一子过孔67a、覆盖第一子过孔67a的第一过孔衬垫68、暴露第一过孔衬垫68的第二子过孔67b，其中，所述第一过孔衬垫68和走线部621电性连接。所述扫描线62的走线部621通过所述第一子过孔67a、第一过孔衬垫68、第二子过孔67b和与所述扫描线62的跨接部622连接。在图11所示方案中，可以在基板上形成一金属层之后，采用构图工艺形成扫描线走线部621、与扫描线走线部621同层的触控电极线65，然后形成第一绝缘层610，通过刻蚀技术在第一绝缘层610上进行打孔，形成第一子过孔67a，该第一子过孔67a暴露出所述扫描线62的走线部621，然后在第一绝缘层610上再形成一金属层，并通过构图工艺形成数据线63和第一过孔衬垫68，该第一过孔衬垫68与数据线63断开且相互绝缘，并且第一过孔衬垫68与所述扫描线62的走线部621完成电连接，且覆盖第一子过孔67a；再在第一过孔衬垫68与数据线63上形成第二绝缘层620，通过刻蚀技术在第二绝缘层620上进行打孔，形成第二子过孔67b，第二子过孔67b暴露出所述第一过孔衬垫68。在所述第二绝缘层620上方形成像素电极66和扫描线跨接部622，并且第一过孔衬垫68与扫描线62的跨接部622电连接，从而实现了所述扫描线62的走线部621与扫描线62的跨接部622的电连接。然后在像素电极所在膜层上方形成第三绝缘层630、触控电极块641。

为了节省制程，提高生产效率，还可以将所述阵列基板的数据线设置为包括与所述触控电极线同层的走线部以及与所述触控电极线异层的跨接部的结构，其中，相邻的走线部通过一第二连接结构与所述跨接部连接。图12为本发明实施例提供的又一种阵列基板的俯视图，如图12所示，所述阵列基板包括：基板71；设置在所述基板71上的绝缘相交的多条扫描线72和多条数据线73，所述多条扫描线72沿第一方向延伸，所述数据线73沿第二方向延伸；位于所述数据线73所在膜层上方的公共电极层74，所述公共电极层74包括多个间隔设置且以阵列方式排列的触控电极块741；多条触控电极线75，每条所述触控电极线75通过一第一连接结构与一个对应的触控电极块741连接。

为了节省制程，提高生产效率，将所述数据线设置为下列结构：所述数据线73包括：与所述触控电极线75同层的走线部731，以及与所述触控电极线75异层的跨接部732，相邻的走线部731通过一第二连接结构与所述跨接部732连接。具体的，在制作工艺中，可以在基板71上形成一金属层之后，采用构图工艺同时形成多条沿第二方向延伸的数据线73和多条沿第一方向延伸的触控电极线75，沿第二方向延伸的多条数据线53被触控电极线55间隔开形成走线部731。为实现数据线能够成功输送数据信号，则需要将沿第二方向延伸的断开的走线部731连接在一起，即需要设置与触控电极线75非同层的跨接部732，形成多条完整的数据线73。

相对于现有技术，本实施例所提供的技术方案，通过将触控电极线75与数据线73的走线部731在同一制作工艺中完成，无需因制作触控电极线而单独增加制程，减少了一道制作工艺，进而提高了生产效率。

再者，现有技术中，为了提高像素电极和公共电极的平整度，在数据线层上会设置一层厚度较大的平坦化层。但是由于触控电极线需要设置在平坦化层之上，以和触控电极块连接，触控电极线的存在降低了像素电极和公共电极的平整度，影响了显示效果。本发明实施例将触控电极线与数据线的走线部在同一制作工艺中完成，使其不需要再设置在平坦化层之上，提高了像素电极和公共电极的平整度，提高了显示装置的显示效果。

在上述实施例的基础上，设置所述多条触控电极线沿第一方向延伸，在所述第二方向上，相邻的所述数据线的走线部之间具有间隔，所述间隔处设置有所述触控电极线。

进一步的，所述触控电极线在所述基板上的正投影与所述扫描线在所述基板上的正投影重叠。

对于上述实施例中，将所述数据线设置为包括与所述触控电极线同层的走线部，以及与所述触控电极线异层的跨接部，相邻的走线部通过一第二连接结构与所述跨接部连接，具体有多种实现方式，下面就各优选实施方式进行详细描述。

本发明实施例提供的阵列基板中所述数据线包括：与所述触控电极线同层的走线部，以及与所述触控电极线异层的跨接部，相邻的走线部通过一第二连接结构与所述跨接部连接。由于数据线走线部之间具有间隔，间隔处设置有触控电极线，因此需要设置与数据线走线部以及触控电极线异层的跨接部，具体的，所述跨接部可以与阵列基板的遮光层同层绝缘设置，还可以与触控电极块同层绝缘设置，或者与像素电极同层绝缘设置。

图13为数据线包括走线部和跨接部时，数据线跨接部与遮光层同层绝缘设置的结构示意图，该结构示意图为沿图12中A-A′线的剖视图，如图13所示，所述阵列基板包括：基板81；设置在所述基板81上的绝缘相交的多条扫描线82和多条数据线83，所述多条扫描线82沿第一方向延伸，所述数据线83沿第二方向延伸；位于所述数据线83所在膜层上方的公共电极层84，所述公共电极层84包括多个间隔设置且以阵列方式排列的触控电极块841；多条触控电极线85，每条所述触控电极线85通过一第一连接结构与一个对应的触控电极块841连接。所述数据线83包括：与所述触控电极线85同层的走线部831，以及与所述触控电极线85异层的跨接部832，相邻的走线部831通过一第二连接结构与所述跨接部832连接。所述阵列基板还包括位于所述基板81和所述扫描线82的走线部821所在膜层之间的遮光层86，所述数据线83的跨接部832与所述遮光层86同层绝缘设置。

具体地，多条扫描线82和多条数据线83绝缘相交限定出多个矩阵排列的像素单元，每个像素单元包括一个薄膜晶体管开关87，所述遮光层86位于所述薄膜晶体管开关87的半导体层871朝向基板81的一侧，用于遮挡背光模组产生的光线，防止光线照射导致薄膜晶体管开关87的半导体层871退化以及防止薄膜晶体管开关87产生漏电流。具体的，本实施例的阵列基板可以是在制作工艺过程中，在基板81上形成遮光层86的同时形成数据线83的跨接部832，跨接部832在第二方向上的长度可以设为第二方向上相邻走线部831的间距，也可以设为略大于上述间距。本发明实施例通过将所述数据线83的跨接部832与所述遮光层86同层绝缘设置，二者在同一制作工艺中完成，因此又减少了一道制作工艺，进一步提高了生产效率。

图14为本发明实施提供的一种第一连接结构的结构示意图，图14为沿图12中B-B′线的一种剖视图，如图14所示，所述第一连接结构包括暴露所述触控电极线85的第一过孔88，所述触控电极线85通过所述第一过孔88与所述对应的触控电极块841相连。

当所述数据线包括走线部和跨接部，所述跨接部与遮光层同层绝缘设置时，第二连接在具体实现时可有两种方式实现。第一种方式，如图13所示，先通过刻蚀形成暴露所述数据线83跨接部832的第三过孔89，然后在形成触控电极块841的同时形成所述数据线83的走线部831，所述数据线83的走线部831通过第三过孔89与跨接部832完成电连接。本实施例中，用于连接所述数据线83走线部831和跨接部832的第二连接结构即为上述第三过孔89。

图15为数据线跨接部与遮光层同层绝缘设置时，第二连接结构的又一种结构示意图，如图15所示，所述第二连接结构包括暴露所述数据线83的跨接部832的第一子过孔891a、位于所述第一子过孔891a内的第一过孔衬垫892、暴露所述第一过孔衬垫892的第二子过孔891b。其中，所述第一过孔衬垫892与所述扫描线同层，且覆盖第一子过孔891a，所述第一过孔衬垫892与跨接部832电连接。所述数据线跨接部832通过所述第一子过孔891a、第一过孔衬垫892、以及第二子过孔891b与对应的数据线走线部831连接。在图15所示的结构中，可以在基板上形成一金属层之后，采用构图工艺形成遮光层86、数据线跨接部832，然后形成第一绝缘层810，通过刻蚀技术在第一绝缘层810上进行打孔，形成第一子过孔891a，该第第一子过孔891a暴露所述数据线跨接部832。然后在第一绝缘层810上再形成一金属层，并通过构图工艺形成扫描线82和第一过孔衬垫892，该第一过孔衬垫892与扫描线82断开且相互绝缘，并且第一过孔衬垫892与所述数据线83的跨接部832完成电连接，且覆盖第一子过孔891a。再在第一过孔衬垫892与扫描线82上形成第二绝缘层820，通过刻蚀技术在第二绝缘层820上方进行打孔，形成贯穿第二绝缘层820的第二子过孔891b，第二子过孔891b暴露出所述第一过孔衬垫892。然后在第二绝缘层820上再形成一金属层，并通过构图工艺形成数据线的走线部831和触控电极线85。所述走线部831通过第一子过孔891a、第一过孔衬垫892、以及第二子过孔891b与所述跨接部832完成电连接。这样设置的好处是，可以避免由于走线部831与跨接部832之间的距离过大，在制作工艺中由于打孔过深带来的隐患。

图16为本发明实施例提供的数据线跨接部与触控电极块同层绝缘设置的结构示意图，该结构示意图为沿图12中A-A′线的剖视图，如图16所示，所述阵列基板包括：基板91；设置在所述基板91上的绝缘相交的多条扫描线92和多条数据线93，所述多条扫描线92沿第一方向延伸，所述数据线93沿第二方向延伸；位于所述数据线93所在膜层上方的公共电极层94，所述公共电极层94包括多个间隔设置且以阵列方式排列的触控电极块941；多条触控电极线95，每条所述触控电极线95通过一第一连接结构与一个对应的触控电极块941连接，所述数据线93包括：与所述触控电极线95同层的走线部931，以及与所述触控电极线95异层的跨接部932，相邻的走线部931通过一第二连接结构与所述跨接部932连接。

所述触控电极块941与所述数据线93的跨接部932同层绝缘设置。具体的，本实施例的阵列基板可以是在制作工艺过程中，在形成触控电极块941的同时形成跨接部932，跨接部932在第二方向上的长度可以设为第二方向上相邻走线部931的间距，也可以设为略大于上述间距。本发明实施例通过将所述数据线93的跨接部932与所述触控电极块941同层绝缘设置，二者在同一制作工艺中完成，因此又减少了一道制作工艺，进一步提高了生产效率。

如图16所示，当所述数据线跨接部与触控电极块同层绝缘设置时，先通过刻蚀形成暴露所述数据线93走线部931的第三过孔96，然后在形成触控电极块941的同时形成所述数据线93的跨接部932，所述数据线93的走线部931通过第三过孔96与跨接部932完成电连接。本实施例中，用于连接所述数据线93的走线部931和跨接部932的第二连接结构即为上述第三过孔96。本发明实施例提供的第一连接结构与上述图14所示的方式类似，在此不作赘述。

图17为本发明实施例提供的数据线跨接部与像素同层绝缘设置的结构示意图，该结构示意图为沿图12中A-A′线的剖视图，如图17所示，所述阵列基板包括：基板101；设置在所述基板101上的绝缘相交的多条扫描线102和多条数据线103，所述多条扫描线102沿第一方向延伸，所述数据线103沿第二方向延伸；位于所述数据线103所在膜层上方的公共电极层104，所述公共电极层104包括多个间隔设置且以阵列方式排列的触控电极块1041；多条触控电极线105，每条所述触控电极线105通过一第一连接结构与一个对应的触控电极块1041连接，所述数据线103包括：与所述触控电极线105同层的走线部1031，以及与所述触控电极线105异层的跨接部1032，相邻的走线部1031通过一第二连接结构与所述跨接部1032连接。多条扫描线102和多条数据线103绝缘交叉限定出多个呈阵列排布的像素单元，每个像素单元包括一个像素电极106，所述像素电极106与所述数据线103的跨接部1032同层绝缘设置。具体的，本实施例的阵列基板可以是在制作工艺过程中，在形成像素电极106的同时形成数据线跨接部1032，跨接部1032在第二方向上的长度可以设为第二方向上相邻走线部1031的间距，也可以设为略大于上述间距。本发明实施例通过将所述数据线103的跨接部1032与所述像素电极106同层绝缘设置，二者在同一制作工艺中完成，因此又减少了一道制作工艺，进一步提高了生产效率。

当所述数据线包括走线部和跨接部，所述跨接部与像素电极同层绝缘设置时，第二连接在具体实现时可有两种方式实现。第一种方式，如图17所示，先通过刻蚀形成暴露所述数据线103走线部1031的第三过孔107，然后在形成像素电极106的同时形成所述数据线103的跨接部1032，所述数据线103的走线部1031通过第三过孔107与跨接部1032完成电连接。本实施例中，用于连接所述数据线103走线部1031和跨接部1032的第二连接结构即为上述第三过孔107。

图18为数据线跨接部与像素电极同层绝缘设置时，第二连接结构的又一种结构示意图，如图18所示，所述第二连接结构包括暴露所述数据线103的跨接部1031的第一子过孔1071a、第一过孔衬垫1072、暴露所述第一过孔衬垫1072的第二子过孔1071b。其中，所述第一过孔衬垫1072覆盖第一子过孔1071a。所述数据线跨接部1032通过所述第一子过孔1071a、第一过孔衬垫1072以及第二子过孔1071b与所述数据线走线部1031连接。

在图18所示的结构中，可以在基板上形成一金属层之后，采用构图工艺形成扫描线102，然后形成第一绝缘层；在第一绝缘层上形成一金属层之后，采用构图工艺形成数据线走线部1031和触控电极线105，然后再形成第二绝缘层，通过刻蚀技术在第二绝缘层上进行打孔，形成第一子过孔1071a，该第一子过孔1071a暴露所述数据线走线部1031；然后在所述第二绝缘层上方形成触控电极块1041和第一过孔衬垫1072，所述触控电极块1041与第一过孔衬垫1072断开且相互绝缘，并且第一过孔衬垫1072通过第一子过孔1071a与所述数据线走线部1031完成电连接；再在所述触控电极块1041和第一过孔衬垫1072上方形成第三绝缘层，通过刻蚀技术在第三绝缘层上方进行打孔，形成贯穿第三绝缘层的第二子过孔1071b，所述第二子过孔1071b暴露所述第一过孔衬垫1072；再形成像素电极106和数据线跨接部1032。跨接部1032通过第二子过孔1071b与第一过孔衬垫1072电连接，从而实现了所述数据线103的走线部1031与数据线103的跨接部1032的电连接。这样设置的好处是，可以避免由于走线部1031与跨接部1032之间的距离过大，在制作工艺中由于打孔过深带来的隐患。本发明实施例提供的第一连接结构与上述图14所示的方式类似，在此不作赘述。

需要说明的是，图12-图18示例性的设置为所述数据线设置为走线部和跨接部的结构时，像素电极位于公共电极的上方。与所述扫描线设置为走线部和跨接部的结构类似，本发明对阵列基板中像素电极和触控电极块的位置不作限制，在其他实施方式中，除上述各实施例所示的像素电极位于所述触控电极块的上方外，所述像素电极还可以与所述触控电极块同层设置，或所述像素电极位于所述触控电极块下方。当所述像素电极与触控电极块的相对位置变化后，为避免在制作工艺中由于打孔过深带来隐患，相应的第一连接结构和第二连接结构需进行相应调整，例如所述第一连接结构的包含的子过孔数量、过孔衬垫的数量；以及第二连接结构中包含的子过孔数量、过孔衬垫的数量会发生变化。但只要所述第一连接结构能够使每条所述触控电极线与对应的触控电极块连接，第二连接结构使数据线的相邻的走线部与相应的跨接部连接即可。

本发明实施例还提供一种触控显示装置，所述触控显示装置包括上述各实施例所述的阵列基板，由于本实施例所述的触控显示装置包含上述阵列基板，其技术原理和产生的技术效果与上述阵列基板类似，因此具备与上述阵列基板同样的有益效果，这里不再赘述。需要说明的是，本发明实施例提供触控显示装置还可以包括其他用于支持触控显示装置正常工作的电路及器件。上述的触控显示装置可以为手机、平板电脑、电子纸、电子相框中的一种。

本发明提供的技术方案，将所述扫描线或所述数据线设置为包括与所述触控电极线同层的走线部，以及与所述触控电极线异层的跨接部的结构，且相邻的走线部通过一第二连接结构与所述跨接部连接，每条所述触控电极线通过一第一连接结构与一个对应的触控电极块连接，相对于现有技术，该技术方案可以将触控电极线与扫描线或数据线在同一制作工艺中完成，能够减少一道专门制作触控电极线的工艺制程，进而能够提高生产效率。

再者，本发明实施例将触控电极线与扫描线走线部或数据线走线部在同一制作工艺中完成，使其不需要再设置在平坦化层之上，提高了像素电极和公共电极的平整度，提高了显示装置的显示效果。

注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。

Claims (18)

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：

基板；

设置在所述基板上的绝缘相交的多条扫描线和多条数据线，所述多条扫描线沿第一方向延伸，所述数据线沿第二方向延伸；

位于所述数据线所在膜层上方的公共电极层，所述公共电极层包括多个间隔设置且以阵列方式排列的触控电极块；

多条触控电极线，每条所述触控电极线通过一第一连接结构与一个对应的触控电极块连接；

所述扫描线或所述数据线包括：与所述触控电极线同层的走线部，以及与所述触控电极线异层的跨接部，相邻的走线部通过一第二连接结构与所述跨接部连接。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述扫描线包括与所述触控电极线同层的走线部以及与所述触控电极线异层的跨接部时，所述多条触控电极线沿第二方向延伸，在所述第一方向上，相邻的所述扫描线的走线部之间具有间隔，所述间隔处设置有所述触控电极线。

3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述数据线包括与所述触控电极线同层的走线部以及与所述触控电极线异层的跨接部时，所述多条触控电极线沿第一方向延伸，在所述第二方向上，相邻的所述数据线的走线部之间具有间隔，所述间隔处设置有所述触控电极线。

4.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述触控电极线在所述基板上的正投影与所述数据线在所述基板上的正投影重叠。

5.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述触控电极线在所述基板上的正投影与所述扫描线在所述基板上的正投影重叠。

6.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：

位于所述基板和所述扫描线所在膜层之间的遮光层，所述扫描线的跨接部或者所述数据线的跨接部与所述遮光层同层绝缘设置。

7.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：

多个呈阵列排布的像素单元，每个像素单元包括一个像素电极，所述像素电极与所述触控电极块同层或异层设置。

8.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述扫描线的跨接部或者所述数据线的跨接部与所述像素电极同层绝缘设置。

9.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述触控电极块与所述扫描线的跨接部或者所述数据线的跨接部同层绝缘设置。

10.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第一连接结构包括与所述触控电极线同层并相互连接的连接衬垫，以及暴露所述连接衬垫的第一过孔，所述触控电极线通过所述连接衬垫和所述第一过孔与所述对应的触控电极块连接。

11.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第一连接结构包括与所述触控电极线同层并相互连接的连接衬垫、至少两个子过孔和至少一个过孔衬垫，所述触控电极线通过所述连接衬垫、至少两个子过孔和至少一个过孔衬垫与所述对应的触控电极块连接。

12.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第二连接结构包括暴露所述扫描线走线部的第二过孔，所述扫描线的走线部通过该所述第二过孔与所述扫描线的跨接部相连。

13.根据权利要2所述的阵列基板，其特征在于，所述第二连接结构包括至少两个子过孔和至少一个过孔衬垫，所述扫描线的走线部通过所述至少两个子过孔和至少一个过孔衬垫与所述扫描线的跨接部相连。

14.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述第一连接结构包括暴露所述触控电极线的第一过孔，所述触控电极线通过所述第一过孔与所述对应的触控电极块相连。

15.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述第一连接结构包括至少两个子过孔和至少一个过孔衬垫，所述触控电极线通过所述至少两个子过孔和至少一个过孔衬垫与所述对应的触控电极块连接。

16.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述第二连接结构包括暴露所述数据线走线部的第三过孔，所述数据线的走线部通过该所述第三过孔与所述数据线的跨接部相连。

17.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述第二连接结构包括至少两个子过孔和至少一个过孔衬垫，所述数据线的走线部通过所述至少两个子过孔和至少一个过孔衬垫与所述数据线的跨接部相连。

18.一种触控显示装置，其特征在于，包括权利要求1-17任一项所述的阵列基板。