请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 齐纳二极管有效地降低输出信号。 例如、如果使用18V 电源为栅极驱动器的通道 A 上电、并且使用 Vz = 4.7V 的齐纳二极管、则下拉电压将为-4.7V、上拉电压将在几个周期(CZ 电容器已充电至 Vz)后为13.3V。 必须考虑上拉电压的下移、因为该值在下移后仍应高于 UVLO 阈值。 我相信您的 RC 缓冲器在这里应该够用。 不过、调整 RC 缓冲器值可能值得尝试、从而更大限度地提高效率…

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Bright、 1uF 电容器应该就足够了。 齐纳二极管可以是您希望将电容器钳位到的任何值。 5.1V 时有效。 如果您有任何其他问题、请告诉我。 此致、 Hiroki

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Fabio： 根据数据表、在开启过程中、输入不应从 ON 切换为 OFF 数据表中的这一声明 指的是驱动器输出的窄脉冲。 当驱动器输出一个窄脉冲时、它会强制输出级 MOSFET 切换、同时电流流过它们、从而导致振铃和可能的 EOS。 使用 UCC21520-Q1、只要避免窄脉冲(持续时间短于 MOSFET 的开关速度)、就不会出现问题。 使用新一代器件 UCC21550…

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Ravi： 可使用以下公式计算死区时间： T (kΩ)= 8.6 * RDT (k Ω)+ 13 由此产生的死区时间将具有+/- 10%的容差。 目前 很难判断噪声源。 对于这些波形中显示的噪声及其与输入信号的关系、您有什么更多信息吗？ 此致、 会的

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Bright、 我之前发送到数据表第29页的链接显示了可用于测量 R_ON 和 R_OFF 的公式。 https://www.ti.com/lit/ds/symlink/ucc21550.pdf#page=29 此致、 会的

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Woney、 是、UCC21520能够驱动600V HV MOSFET。 我建议研究一下这款产品的新一代更新版本： UCC21550 UCC21550是对 UCC21520的更新、具有更高的稳健性和更好的成本结构。 请随时提出下面的任何其他问题！ 此致、 Hiroki

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Rayna： 第4节重点介绍了实现 DT 引脚的不同选项、而第7.4.2节 专门说明了如何通过 DT 引脚对死区时间进行编程。 将 DT 引脚连接至 VCC 或将引脚悬空 禁用 死区时间功能、从而允许输出重叠。 此致、 会的

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Scott、您好！ 是的、TI 网站将相应更新。 从认证完成开始、这通常会有一个延迟时间、通常需要几周的时间。 如果您在下面还有其他问题、请告诉我！ 此致、 Hiroki

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Joe。 我强烈建议查看此 E2E 页面、其中重点介绍了 TI 双通道隔离式栅极驱动器之间的一些主要差异。 这种方法有点过时、因此它不包含 UCC21550或 UCC21551列、但它们的规格可在各自的数据表中找到。 您可以使用此页来确定哪些 TI 器件 可作为上述 SI 器件的备选解决方案发挥最佳作用。 https://e2e.ti.com/support/power…