고든 키드 틸

Gordon Kidd Teal
고든 키드 틸
태어난(1907-01-10)1907년 1월 10일
텍사스 주 사우스 댈러스
죽은2003년 1월 7일(2003-01-07) (95)
텍사스 주 댈러스
국적미국인의
모교
로 알려져 있다.실리콘 트랜지스터
수상IEEE 훈장 (1968)
과학 경력
필드전기공학
기관
논문게르마닐 나트륨과 게르마닐 칼륨에 관한 연구 (1931)

고든 키드 틸(Gordon Kidd Teal, 1907년 1월 10일 ~ 2003년 1월 7일)은 미국의 엔지니어였다. 그는 매우 개선된 트랜지스터를 만드는 데 사용되는 극도로 순수한 게르마늄 단일 결정체를 생산하기 위해 Czochralski 방법을 적용하는 방법을 발명했다.[1] 그는 Morgan Sparks와 함께 양극 접합 트랜지스터의 제작에 필요한 구성을 생성하는 공정의 수정을 발명했다. 그는 텍사스 인스트루먼트에 있을 때 최초의 실리콘 트랜지스터를 개발한 것으로 가장 기억된다.

조기생활과 교육

틸은 텍사스 주 사우스 댈러스에서 올린 앨리슨 틸과 아젤리아 키드 사이에서 태어났다.[2][1] 그의 아버지는 1897년 조지아에서 텍사스로 왔다. 고든은 텍사스 주 댈러스의 브라이언 스트리트 고등학교에서 졸업생으로 재직했으며 1924년에 졸업했다.[2][1] 고든은 1927년 베일러 대학교에서 수학 화학 학사, 1928년과 1931년 각각 브라운 대학교에서 물리 화학 석사, 박사 학위를 받았다.[1] 브라운에 있는 동안, 그는 게르마늄에 대한 찰스 크라우스 교수의 연구실에서 일하기 시작했는데, 그것은 당시 무용지물이라고 여겨졌다.

벨 랩스

틸은 1930년에 벨 연구소에 입사하여 22년간 근무하게 되었다.[1] 그곳에서 지내는 동안 그는 게르마늄과 실리콘으로 계속 일했다.[1] 1947년 벨 연구소의 윌리엄 쇼클리 연구팀이 트랜지스터를 발명했을 때, 틸은 그 소자가 다결정성 물질이 아닌 단일 결정체를 사용하여 제조되면 상당한 개선이 이루어진다는 것을 깨닫고 성장-정합성 단결정 기법을 만들었다.[3]

텍사스 인스트루먼트

1952년 댈러스에 본사를 둔 텍사스 인스트루먼트는 AT&T의 제조회사인 웨스턴 일렉트릭으로부터 게르마늄 트랜지스터 생산 허가를 구입해 뉴욕 타임즈에 연구부장을 모집하는 광고를 냈다. 고향 댈러스의 향수병에 걸린 틸은 이에 응했고 패트릭 E에 의해 고용되었다. 해거티. 틸은 1953년 1월 1일 TI에서 부사장으로 출발하여 반도체 크리스탈 재배에 관한 그의 모든 전문 지식을 그에게 가져왔다.[1] Hagerty는 TI를 빠르게 확장하는 반도체 산업의 선두주자로 유지하기 위해 과학자와 엔지니어 팀을 설립하기 위해 그를 고용했다. 틸의 첫 번째 임무는 TI의 CRL(Central Research Laboratories, CRL)이 된 것을 정리하는 것이었다. 틸의 배경 때문에, 이 새로운 부서는 벨 연구소를 본떠 만들어졌다.

실리콘 트랜지스터

1954년 4월 틸의 TI CRL 팀은 최초의 상업용 실리콘 트랜지스터를 만들어 1954년 4월 14일에 시험했다. 1954년 5월 10일 오하이오 주 데이턴에서 열린 국제항공전자학회(IRE) 전국회의에서 틸은 "내 동료들이 실리콘 트랜지스터에 대한 암울한 전망에 대해 말해준 것과 대조적으로, 나는 우연히 이 중 몇 개를 주머니에 넣고 있다"[3]고 발표하면서 이 같은 성과를 세상에 공개했다. 틸은 이번 콘퍼런스에서 '실리콘과 게르마늄 소재 및 장치의 최근 동향' 논문을 발표하기도 했다.[3]

기타 성과

1957년 Teal과 CRL은 초순도 실리콘을 위한 화학적 감소 과정을 개발했다. 1958년 CRL 직원 잭 킬비가 최초의 집적회로를 만들었다. 또 다른 획기적인 발전으로는 적외선 기술과 디지털 신호 처리의 많은 발전이 있는데, 처음에는 석유 탐사 산업을 위해, 그 다음에는 우주와 방어를 위해 개발되었다.

1963년과 1964년 동안 TI의 국제 기술 책임자가 되어 TI의 국제 기업으로서의 성장을 촉진하였다. 그는 영국, 프랑스, 이탈리아에 거주했고 그들의 과학적이고 산업적인 면에 가장 적극적이었다.

제1대 재료연구소장

1965년 텍사스 인스트루먼트에서 휴직한 틸은 워싱턴 D.C.에 있는 국립표준물질연구소의 초대 소장이 되었다. 2년 임기를 마치고 텍사스 인스트루먼츠로 돌아와 1972년 은퇴할 때까지 그곳에 머물렀다.[1]

은퇴

Teal은 텍사스 인스트루먼트에서 은퇴한 후에도 계속해서 텍사스 인스트루먼트와 국방부의 컨설턴트로 일했고 많은 과학 단체에 참여했다.[1]

사생활

틸은 1931년 3월 7일 리다 루이스 스미스와 결혼했다.[1] 이 부부는 로버트 캐럴, 도널드 프레이저, 스티븐 오바니온 틸이라는 세 아들을 두었다.[1]

어워드 앤 어워드

죽음과 유산

틸은 2003년 1월 7일에 사망했다.[2]

2013년 5월, 베일러 대학교의 등록 위원회는 새로운 거주 홀을 고든 틸 거주 대학으로 명명함으로써 틸을 기렸다.[5]

참조

  1. ^ a b c d e f g h i j k 고든 키드 틸 신문 3820호, 텍사스 콜렉션
  2. ^ a b c "Gordon K. Teal". Dallas Morning News. January 12, 2003. Retrieved 2009-02-25. Gordon K. Teal died on January 7th at the age of 95. He was born January 10, 1907, son of Olin A. and Azelia Kidd Teal in Dallas. He was valedictorian at Bryan Street High School in Dallas. He received degrees in physics and chemistry at Baylor University in Waco and his doctorate in physical chemistry at Brown University in Rhode Island, where he was Phi Beta Kappa. While at Baylor he met Lyda Louise Smith, from Mart, Texas, and they were later married in New York City on March
  3. ^ a b c Riordan, Michael (May 2004). "The Lost History of the Transistor". IEEE Spectrum. Archived from the original on April 9, 2008. Retrieved 4 February 2011.
  4. ^ "Golden Plate Awardees of the American Academy of Achievement". www.achievement.org. American Academy of Achievement.
  5. ^ "Teal Namesake". Baylor Teal Residential College. Baylor University. Retrieved 17 February 2015.

추가 읽기

  • 마이클 리오르단과 릴리안 호데슨; 크리스탈 파이어: 트랜지스터의 발명과 정보화 시대의 탄생. 뉴욕: 1997. Norton. ISBN 0-393-31851-6 pbk.

외부 링크