화학 증착

Chemical vapor deposition
DC플라즈마(자색)는 실험실 규모의 PECVD(플라즈마 강화 화학기상증착) 장치에서 탄소나노튜브의 성장을 촉진한다.

화학기상증착(CVD)은 고품질의 고성능 고체물질을 생산하는 데 사용되는 진공증착법입니다.이 공정은 반도체 산업에서 박막[1]생산하기 위해 종종 사용된다.

전형적인 CVD에서 웨이퍼(기판)는 1개 이상휘발성 전구체에 노출되며, 이들 전구체는 기판 표면에서 반응 및/또는 분해되어 원하는 침전물을 생성한다.휘발성 부산물도 종종 생성되는데, 이 부산물은 반응실을 통과하는 가스 흐름에 의해 제거됩니다.

미세 제작 공정은 CVD를 사용하여 단결정, 다결정, 비정질, 에피택셜 등 다양한 형태의 재료를 퇴적합니다.이러한 재료에는 실리콘(이산화물, 탄화물, 질화물, 옥시질화물), 탄소(섬유, 나노파이버, 나노튜브, 다이아몬드 그래핀), 플루오르화탄소, 필라멘트, 텅스텐, 질화티타늄다양한 고순도 유전체가 포함됩니다.

종류들

핫월 열 CVD(배치 작업 유형)
플라즈마 지원 CVD

CVD는 다양한 형식으로 사용됩니다.이러한 과정은 일반적으로 화학 반응을 시작하는 방법에 따라 다르다.

  • 작동 조건에 따라 분류:
    • 대기압 CVD(APCVD) – 대기압 CVD.
    • 저압 CVD(LPCVD) – 대기압 [2]이하의 CVD.압력이 감소하면 원치 않는 기상 반응이 감소하고 웨이퍼 전체의 필름 균일성이 향상되는 경향이 있습니다.
    • 초고진공 CVD(UHVCVD) – 일반적으로 10Pa( 10−8 10torr) 미만의−6 매우 낮은 압력의 CVD.다른 분야에서는 고진공과 초고진공 사이의 낮은 나눗셈이 일반적이며, 종종−7 10Pa입니다.
    • 대기권 이하 CVD(SACVD) – 대기권 이하 압력에서의 CVD.TEOS(Tetraethyl Orthosilicate)와 오존을 사용하여 높은 석면비 Si 구조를 이산화규소(SiO2)[3]로 채웁니다.

대부분의 최신 CVD는 LPCVD 또는 UHVCVD입니다.

  • 증기의 물리적 특성에 따라 분류:
    • 에어로졸 보조 CVD(AACVD) – 액체/가스 에어로졸을 통해 전구체가 기판으로 운반되는 CVD로, 이는 초음파적으로 생성될 수 있습니다.이 기술은 비휘발성 전구체와 함께 사용하기에 적합합니다.
    • 직접 액체 분사 CVD(DLICVD) – 전구체가 액체 형태(용매에 용해된 액체 또는 고체)인 CVD.액체 용액은 증발실에서 인젝터(일반적으로 자동차 인젝터) 쪽으로 분사됩니다.그런 다음 전구 증기는 기존 CVD와 마찬가지로 기판으로 이송됩니다.이 기술은 액체 또는 고체 전구체에 사용하기에 적합합니다.이 기술을 사용하면 높은 성장률에 도달할 수 있습니다.
  • 기판 가열 유형별로 분류:
    • 열벽 CVD – 외부 전원에 의해 챔버가 가열되고 가열된 챔버 벽의 방사선에 의해 기판이 가열되는 CVD.
    • 냉벽 CVD – 기판 자체 또는 기판과 접촉하는 히터에 전류를 흘려 기판만 직접 가열되는 CVD입니다.실내 벽은 실온에 있습니다.
  • 플라즈마 방법(플라즈마 처리 참조):
    • 마이크로파 플라즈마 지원 CVD(MPCVD)
    • 플라즈마 강화 CVD(PECVD) – 플라즈마를 사용하여 [4]전구체의 화학 반응 속도를 향상시키는 CVD.PECVD 처리는 낮은 온도에서 증착할 수 있으며, 이는 반도체 제조에 매우 중요합니다.낮은 온도는 나노 입자 표면 [5]기능화에 사용된 플라즈마 폴리머와 같은 유기 코팅의 퇴적도 허용합니다.
    • 원격 플라즈마 강화 CVD(RPECVD) – 웨이퍼 기판이 플라즈마 방전 영역에 직접 있지 않다는 점을 제외하면 PECVD와 유사합니다.플라즈마 영역에서 웨이퍼를 제거하면 처리 온도를 상온까지 낮출 수 있습니다.
    • 저에너지 플라즈마 강화 화학기상증착(LEPECVD) - 고밀도 저에너지 플라즈마를 사용하여 고속 및 저온에서 반도체 물질의 에피택셜 증착을 얻을 수 있습니다.
  • 원자층 CVD(ALCVD) – 여러 물질의 연속된 층을 퇴적하여 층상 결정성 막을 생성합니다.원자층 에피택시를 참조하십시오.
  • 연소화학기상증착(CCVD) – 연소화학기상증착 또는 화염열분해는 고품질 박막 및 나노물질을 증착하기 위한 개방 대기, 화염 기반 기술입니다.
  • 핫 필라멘트 CVD(HFCVD) – 촉매 CVD(Cat-CVD)라고도 하며, 더 일반적으로 시작된 CVD라고도 합니다. 이 프로세스는 핫 필라멘트를 사용하여 소스 [6]가스를 화학적으로 분해합니다.따라서 필라멘트 온도 및 기판 온도는 독립적으로 제어되므로 기판에서의 흡수 속도를 개선하기 위해 더 낮은 온도와 [7]필라멘트에서의 프리래디칼 분해에 필요한 더 높은 온도가 허용됩니다.
  • HPCVD(Hybrid Physical-chemical Vapor Deposition) – 이 프로세스에는 전구 가스의 화학적 분해와 고체 선원의 기화가 모두 포함됩니다.
  • MOCVD(Metalorganic Chemical Vapor Deposition) – 이 CVD 프로세스는 금속 유기 전구체를 기반으로 합니다.
  • 고속 열 CVD(RTCVD) – 이 CVD 프로세스는 가열등 또는 기타 방법을 사용하여 웨이퍼 기판을 빠르게 가열합니다.가스 또는 챔버 벽이 아닌 기판만 가열하면 입자가 형성될 수 있는 원치 않는 기상 반응을 줄일 수 있습니다.
  • 기상 에피택시(VPE)
  • PICVD(Photo-Initiated CVD) – 이 프로세스는 자외선을 사용하여 화학 반응을 자극합니다.플라즈마가 강한 자외선 방사체라는 점을 고려할 때 플라즈마 처리와 유사합니다.특정 조건에서 PICVD는 대기압 또는 [8]대기압 근처에서 작동할 수 있습니다.
  • Laser Chemical Vapor Deposition(LCVD; 레이저 화학 증착) - 이 CVD 프로세스는 레이저를 사용하여 반도체 애플리케이션에서 기판의 스폿 또는 라인을 가열합니다.MEMS 및 섬유 생산에서 레이저를 사용하여 전구 가스를 신속하게 분해합니다. 공정 온도는 2000°C를 초과할 수 있습니다. 이는 레이저 소결 기반의 3D 프린터가 분말에서 고형물을 생성하는 것과 거의 동일한 방식으로 고체 구조를 구축합니다.

사용하다

CVD는 일반적으로 기존의 표면 수정 기법이 할 수 없는 방식으로 등각막을 퇴적하고 기판 표면을 증가시키는 데 사용됩니다.CVD는 매우 얇은 물질층을 퇴적하는 원자층 퇴적 과정에서 매우 유용합니다.그러한 영화에는 다양한 응용 프로그램이 존재한다.비화 갈륨은 일부 집적회로(IC) 및 태양광 발전 장치에 사용됩니다.아모퍼스 폴리실리콘은 태양광 발전 장치에 사용된다.특정 탄화물 및 질화물[9]내마모성을 제공합니다.CVD에 의한 중합은 아마도 모든 용도 중 가장 다용도적인 것으로,[10] 윤활성, 소수성 및 내후성 등 매우 바람직한 특성을 가진 초박형 코팅이 가능합니다.결정성 나노공극 재료의 일종인 금속-유기 프레임워크의 CVD가 최근에 [11]입증되었습니다.최근에는 대규모 면적의 [12]기판을 퇴적하는 통합 클린룸 공정으로 확장되어 가스 감지 및 저농도 유전체 분야에서 이러한 필름에 대한 응용이 기대되고 있습니다.CVD 기술은 담수화 또는 수처리와 같은 막 코팅에도 유리합니다. 이러한 코팅은 충분히 균일하고(적합적) 얇아 막 모공을 [13]막히지 않기 때문입니다.

CVD에서 준비하는 상업적으로 중요한 재료

폴리실리콘

다결정 실리콘트리클로로실란(SiHCl3) 또는 실란(SiH4)에서 다음 반응을 통해 [14]퇴적됩니다.

SiHCl3 → Si + Cl2 + HCl
SiH4 → Si + 22 H

이 반응은 보통 순수한 실란 공급 원료를 사용하거나 질소가 70~80%인 실란 용액을 사용하는 LPCVD 시스템에서 수행됩니다.600~650°C의 온도와 25~150Pa의 압력은 분당 10~20nm의 성장률을 나타낸다.대체 공정은 수소 기반 용액을 사용한다.수소는 성장률을 낮추지만 온도를 850°C 또는 1050°C로 올려 보상한다.CVD 챔버에 포스핀, 아르신 또는 디보란 등의 가스를 첨가하면 폴리실리콘을 도핑으로 직접 배양할 수 있다.디보란은 성장률을 증가시키지만 아르신과 포스핀은 그것을 감소시킨다.

이산화규소

이산화규소(일반적으로 반도체 업계에서는 단순히 "산화물"이라고 불린다)는 여러 가지 다른 과정을 통해 축적될 수 있습니다.일반적인 소스 가스는 실란과 산소, 디클로로실란(SiClH22)과 아산화질소[15](NO2) 또는 테트라에틸로르토실리케이트(TEOS; Si(OCH25))4포함한다.반응은 다음과 같습니다.[16]

SiH4 + O2 → SiO2 + 22 H
SiClH22 + 2 NO2 → SiO2 + 22 N + 2 HCl
Si(OCH25)4 → SiO2 + 부산물

소스 가스의 선택은 기판의 열 안정성에 따라 달라집니다. 예를 들어 알루미늄은 고온에 민감합니다.실란은 300~500°C, 디클로로실란은 약 900°C, TEOS는 650~750°C의 저온 산화물(LTO) 층을 형성합니다.그러나 실란은 다른 방법보다 낮은 품질의 산화물(예를 들어 낮은 유전체 강도)을 생성하며 비적합적으로 퇴적합니다.이러한 반응은 LPCVD에서 사용될 수 있지만 실란 반응은 APCVD에서도 이루어집니다.CVD 산화물은 산화물보다 품질이 낮지만 열 산화는 IC 제조의 초기 단계에서만 사용될 수 있습니다.

산화물은 불순물(합금 또는 도핑)과 함께 재배될 수도 있습니다.여기에는 두 가지 목적이 있을 수 있습니다.고온에서 발생하는 추가 공정 단계에서 불순물은 산화물로부터 인접한 층(특히 실리콘)으로 확산되어 도핑될 수 있습니다.질량 기준 불순물이 5~15% 함유된 산화물이 이러한 목적으로 사용되는 경우가 많습니다.또한 오산화인('P-유리')과 합금된 이산화규소를 사용하여 요철 표면을 매끄럽게 할 수 있다.P 유리는 1000°C 이상의 온도에서 부드러워지고 다시 팽창합니다.이 프로세스를 수행하려면 최소 6%의 인 농도가 필요하지만, 8% 이상의 농도는 알루미늄을 부식시킬 수 있습니다.인은 포스핀 가스와 산소에서 퇴적됩니다.

43 PH + 5 O2 → 2 PO25 + 62 H

붕소와 인(보로인산염 유리, BPSG)을 모두 함유한 유리잔은 낮은 온도에서 점성 흐름을 거칩니다. 두 구성 요소의 약 5중량%를 함유한 유리잔으로 약 850°C를 달성할 수 있지만 공기의 안정성은 달성하기 어려울 수 있습니다.고농도의 산화 인은 주변 수분과 상호작용하여 인산을 생성한다.BPO의4 결정은 냉각 시 흐르는 유리에서 침전될 수도 있습니다. 이러한 결정은 산화물 패턴화에 사용되는 표준 반응성 플라스마에서 쉽게 식각되지 않으며, 집적회로 제조 시 회로 결함을 야기합니다.

이러한 의도적인 불순물 외에 CVD 산화물은 증착 부산물을 포함할 수 있다.TEOS는 비교적 순수한 산화물을 생성하는 반면, 실란은 수소 불순물을, 디클로로실란은 염소를 도입한다.

산소 대신 오존을 이용한 TEOS의 이산화규소 및 도프 글라스의 저온 증착(350~500°C)도 연구되었다.오존 안경은 우수한 적합성을 가지고 있지만 흡습성을 보이는 경향이 있습니다. 즉, 유리에 실라놀(Si-OH)이 포함되어 있어 공기 중의 수분을 흡수합니다.적외선 분광법과 온도의 함수로서의 기계적 변형은 이러한 문제를 진단하는 데 유용한 진단 도구입니다.

질화 규소

질화규소는 IC 제조 시 절연체 및 화학적 장벽으로 자주 사용됩니다.다음 두 가지 반응은 기체상에서 질화 규소를 침전시킵니다.

34 SiH + 4 NH3 → SiN34 + 122 H
322 SiClH + 4 NH3 → SiN34 + 6 HCl + 6 H2

LPCVD에 의해 퇴적된 질화 규소는 수소를 최대 8% 함유하고 있습니다.또한 200nm보다 두꺼운 필름에 균열이 발생할 수 있는 강한 인장 응력이 발생합니다.그러나 미세조립에서 흔히 볼 수 있는 대부분의 절연체(각각 10Ω·cm 및 10 MV/cm)보다16 높은 저항률과 유전 강도를 가지고 있다.

혈장 내에서 SiNH를 축적하기 위해 다른 두 가지 반응을 사용할 수 있다.

24 SiH + N2 → 2 SiNH + 3 H2
SiH4 + NH3 → SiNH + 32 H

이들 필름은 인장응력이 훨씬 낮지만 전기적 특성이 더 나쁘다(저항6 10~10Ω15·cm, 유전체 강도 1~5 MV/[17]cm).

금속

반도체 [18]장치에서 도전 접점, 비아 및 플러그를 형성하기 위해 사용되는 텅스텐 CVD는 헥사플루오르화 텅스텐(WF6)에서 얻을 수 있으며, 다음 두 가지 방법으로 증착할 수 있습니다.

WF6 → W + 32 F
WF6 + 3 H2 → W + 6 HF

다른 금속, 특히 알루미늄과 구리는 CVD에 의해 퇴적될 수 있습니다.Cu(hfac)2와 같은 휘발성 소스가 존재하지만, 2010년 현재 구리에 대한 상업적인 비용 효율적인 CVD는 존재하지 않았습니다.구리는 일반적으로 전기 도금을 통해 퇴적됩니다.알루미늄은 트리이소부틸 알루미늄(TIBAL) 및 관련 유기 알루미늄 화합물에서 증착할 수 있습니다.

몰리브덴, 탄탈, 티타늄, 니켈용 CVD가 널리 사용됩니다.[citation needed]이 금속들은 실리콘에 퇴적되면 유용한 규소를 형성할 수 있다.Mo, Ta 및 Ti는 5염화물로부터 LPCVD에 의해 퇴적된다.니켈, 몰리브덴 및 텅스텐은 카르보닐 전구체에서 저온으로 퇴적할 수 있다.일반적으로 임의의 금속 M에 대하여 염화물 퇴적 반응은 다음과 같다.

25 MCL + 5 H2 → 2 M + 10 HCl

카르보닐 분해 반응은 열처리 또는 음향 캐비테이션에서 자발적으로 발생할 수 있으며 다음과 같다.

M(CO)n → M + n CO

금속 카르보닐의 분해는 종종 산소가 금속 전구체와 반응하여 이산화탄소와 함께 금속 또는 금속 산화물을 형성하는 습기나 공기에 의해 격렬하게 촉진된다.

니오브(V) 산화층은 다음 [19][20] 따라 디에틸에테르를 상실한 니오브(V) 에톡시드의 열분해로 생성될 수 있다.

2 Nb(OCH25)5 → NbO25 + 52525 CHOCH

그래핀

그래핀을 합성하는 데 다양한 CVD를 사용할 수 있습니다.많은 발전이 이루어졌지만, 아래에 나열된 프로세스는 아직 상업적으로 실행 가능하지 않습니다.

  • 탄소원

그래핀을 만드는데 사용되는 가장 인기 있는 탄소원은 메탄가스입니다.덜 인기 있는 선택지 중 하나는 석유 아스팔트입니다. 석유 아스팔트는 저렴하지만 [21]작업하기가 더 어렵습니다.

메탄은 가장 인기 있는 탄소원이지만, 기판상의 탄소 증착을 촉진하기 위해 제조 과정에서 수소가 필요하다.메탄과 수소의 유량이 적절하지 않으면 바람직하지 않은 결과를 초래할 수 있다.그래핀이 성장하는 동안 메탄은 탄소원을 제공하고 수소는 H 원자를 공급하여 비정질 [22]C를 부식시키고 그래핀의 품질을 향상시키는 역할을 한다.하지만 과도한 H 원자는 그래핀을 [23]부식시킬 수도 있다.그 결과, 결정 격자의 건전성이 파괴되어 그래핀의 품질이 [24]저하된다.따라서 성장과정에서 메탄가스와 수소가스의 유속을 최적화함으로써 그래핀의 품질을 향상시킬 수 있다.

  • 촉매 사용

촉매의 사용은 그래핀 생산의 물리적 과정을 바꿀 때 가능하다.주목할 만한 예로는 철 나노 입자, 니켈 발포체, 갈륨 증기가 있다.이러한 촉매는 그래핀이 [21][25]축적되는 동안 현장에서 사용하거나 증착 [26]영역에서 다소 떨어진 곳에 배치할 수 있습니다.일부 촉매는 샘플 [25]재료에서 제거하기 위해 다른 단계가 필요합니다.

유전체 기판상의 고품질의 대규모 단결정 도메인의 직접적인 성장은 전자제품 및 광전자공학 분야에서 매우 중요합니다.촉매 CVD와 초평탄 유전체 기판의 장점을 결합하여 촉매 보조 CVD는[27] 전송 프로세스를 피하면서 장치 응용을 위한 고품질 그래핀을 합성할 수 있는 기반을 마련합니다.

  • 물리적인 상태

그래핀 생산에는 주변 압력, 온도, 캐리어 가스, 챔버 소재 등 물리적 조건이 크게 작용한다.

대부분의 시스템에서는 압력이 1~[21][26][28][29]1500Pa인 LPCVD를 사용합니다.그러나 일부에서는 여전히 APCVD를 [25]사용합니다.저압은 원치 않는 반응을 방지하고 기판에 균일한 두께의 증착을 발생시키기 때문에 더 일반적으로 사용됩니다.

반면 사용되는 온도는 800~1050°[21][25][26][28][29]C입니다.온도가 높으면 반응 속도가 증가합니다.고온으로 인해 에너지 비용이 증가할 뿐만 아니라 위험 수준도 높아지므로 주의해야 합니다.

  • 캐리어 가스

수소가스와 아르곤 등의 불활성가스가 시스템에 [21][25][26][28][29]유입된다.이러한 가스는 운반체 역할을 하여 표면 반응을 강화하고 반응 속도를 개선하여 그래핀의 기판 퇴적을 증가시킨다.

  • 챔버 재료

그래핀의 [21][25][26][28][29]CVD에는 표준 석영 튜브와 챔버가 사용됩니다.석영은 녹는점이 매우 높고 화학적으로 불활성이기 때문에 선택됩니다.즉, 석영은 조건과 상관없이 어떠한 물리적 또는 화학적 반응에도 간섭하지 않습니다.

  • 결과 분석 방법

라만 분광학, X선 분광학, 투과전자현미경학(TEM) 및 주사전자현미경학(SEM)을 이용해 그래핀 [21][25][26][28][29]시료를 검사하고 특성화한다.

라만 분광법은 그래핀 입자의 특성 및 식별에 사용되며, X선 분광법은 화학적 상태를 특징짓기 위해 사용됩니다. TEM은 그래핀의 내부 조성에 대한 미세한 세부 정보를 제공하기 위해 사용됩니다. SEM은 표면과 지형을 조사하기 위해 사용됩니다.

때때로, 원자력 현미경법(AFM)은 마찰이나 [28][29]자기와 같은 국소적인 특성을 측정하기 위해 사용된다.

냉벽 CVD 기술은 최근 연구에서 입증된 바와 같이, 그래핀 핵 생성 및 성장과 관련된 기초 표면 과학을 연구하는데 사용될 수 있습니다. 그래핀은 가스 유량, 온도 및 압력과 같은 프로세스 매개변수를 전례 없이 제어할 수 있기 때문입니다.이 연구는 기판을 통해 직류를 흘려 저항 가열하는 가정용 수직 냉벽 시스템에서 수행되었습니다.반도체 [30][31]산업에서 요구되는 조건 하에서 촉매 CVD를 사용하여 성장한 2차원 재료와 관련된 전형적인 표면 매개 핵 생성 및 성장 메커니즘에 대한 결정적인 통찰력을 제공했습니다.

그래핀 나노리본

그래핀의 자극적인 전자 및 열 특성에도 불구하고, 전도 대역과 원자가 대역 사이에 밴드갭이 없기 때문에 미래의 디지털 소자용 트랜지스터로는 적합하지 않습니다.이로 인해 전자 흐름과 관련하여 온/오프 상태를 전환할 수 없습니다.크기를 줄이면, 폭이 10 nm 미만인 그래핀 나노리본은 전자 밴드갭을 나타내며, 따라서 디지털 디바이스의 잠재적 후보입니다.그러나 치수와 전자적 특성에 대한 정확한 제어는 어려운 목표를 나타내며, 리본은 일반적으로 성능을 저해하는 거친 모서리를 가지고 있습니다.

다이아몬드

독립형 단결정 CVD 다이아몬드 디스크
A colorless faceted gem
화학 증착에 의해 성장한 다이아몬드에서 잘라낸 무채색의 보석

CVD는 기체 중의 탄소원자가 결정형태의 기판상에 침전하는데 필요한 환경을 조성함으로써 합성다이아몬드를 제조하는데 사용할 수 있다.다이아몬드의 CVD는 이전에는 너무 비싸다고 여겨졌던 많은 새로운 응용 프로그램을 가능하게 하기 때문에 재료 과학 분야에서 많은 관심을 받아 왔습니다.CVD 다이아몬드 성장은 일반적으로 저압(1–27kPa, 0.145–3.926psi, 7.5–203 Torr)에서 이루어지며 챔버에 다양한 양의 가스를 공급하고, 이를 통전시키고 기판 상의 다이아몬드 성장을 위한 조건을 제공합니다.사용되는 양은 다이아몬드의 종류에 따라 크게 다르지만, 가스에는 항상 탄소원이 포함되어 있고 일반적으로 수소도 포함되어 있습니다.에너지원에는 열 필라멘트, 마이크로파 전력 및 아크 방전포함됩니다.에너지원은 가스가 분해되고 더 복잡한 화학작용이 발생하는 플라즈마를 생성하기 위한 것입니다.다이아몬드 성장을 위한 실제 화학적 과정은 여전히 연구 중이며 사용되는 매우 다양한 다이아몬드 성장 과정으로 인해 복잡합니다.

CVD를 사용하여 생성된 다이아몬드의 특성을 제어하면서 기판의 넓은 영역에 걸쳐 다이아몬드 필름을 성장시킬 수 있습니다.과거에 다이아몬드를 만들기 위해 고압 고온(HPHT) 기술을 사용했을 때 그 결과는 다양한 크기의 매우 작은 독립형 다이아몬드로 나타났습니다.CVD 다이아몬드를 사용하면 지름 15cm(6인치) 이상의 성장 영역이 달성되었으며, 앞으로 훨씬 더 넓은 영역이 다이아몬드로 코팅될 가능성이 높습니다.이 프로세스를 개선하는 것은 몇 가지 중요한 애플리케이션을 활성화하기 위한 열쇠입니다.

다이아몬드가 기판 위에서 직접 성장하면 다이아몬드의 중요한 특성을 다른 물질에 추가할 수 있습니다.다이아몬드는 모든 벌크 재료 중에서 열 전도율이 가장 높기 때문에 다이아몬드를 높은 열 생산 전자 장치(광학 및 트랜지스터 등)에 적층하면 다이아몬드를 히트 [32][33]싱크로 사용할 수 있습니다.다이아몬드 필름은 밸브 링, 절삭 공구 및 다이아몬드의 경도와 매우 낮은 마모율로부터 혜택을 받는 다른 물체에서 자라고 있습니다.각 경우, 다이아몬드 성장은 기판에 필요한 접착력을 얻기 위해 신중하게 이루어져야 합니다.파이렉스 유리보다 낮은 열팽창 계수와 결합된 다이아몬드의 매우 높은 스크래치 저항성과 열전도성은 테프론(폴리테트라플루오로에틸렌)에 가까운 마찰 계수강력친유성으로 인해 큰 기판 면적을 경제적으로 코팅할 수 있다면 조리기구에 거의 이상적인 논스틱 코팅이 될 것입니다.동맹.

CVD 증가를 통해 생성된 다이아몬드의 속성을 제어할 수 있습니다.다이아몬드 성장 영역에서는 주로 sp3 결합 카본으로 이루어진 재료를 기술하기 위해 "다이아몬드"라는 단어를 사용하며, 여기에는 다양한 종류의 다이아몬드가 포함되어 있다.가공 파라미터(특히 도입된 가스)를 조정함으로써 시스템이 작동하는 압력, 다이아몬드의 온도 및 플라즈마 생성 방법 등 다이아몬드라고 할 수 있는 다양한 재료를 만들 수 있습니다.다양한 도판트[34]함유한 단결정 다이아몬드를 만들 수 있다.수나노미터에서 수마이크로미터까지의 입경으로 이루어진 다결정 다이아몬드[32][35]재배할 수 있다.어떤 다결정 다이아몬드 알갱이는 얇은 비다이아몬드 탄소로 둘러싸여 있는 반면, 다른 것들은 그렇지 않다.이러한 다른 요소들은 다이아몬드의 경도, 평활도, 전도율, 광학 특성 등에 영향을 미칩니다.

칼코게니데스속

상업적으로, 수은 카드뮴 텔루라이드는 적외선을 검출하는 데 지속적인 관심이 있다.CdTe와 HgTe의 합금으로 이루어진 이 재료는 각 원소의 디메틸 유도체로부터 제조할 수 있다.

「 」를 참조해 주세요.

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