Моисеев Эдуард Ильмирович

Oбразование

2019

Аспирантура: Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет Российской академии наук, квалификация «Исследователь, преподаватель-исследователь»

2015

Магистратура: Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет Российской академии наук, квалификация «Магистр»

2013

Бакалавриат: Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, специальность «Физика», квалификация «Бакалавр»

Дополнительное образование / Повышение квалификации / Стажировки

Технический университет Дании, 2015

Университет Восточной Финляндии, 2017

Курс повышения квалификации "Представление информации и данных. Создание презентаций", НИУ ВШЭ, 2020

Курс повышения квалификации "Повышение личной эффективности рациональное распределение рабочего времени", НИУ ВШЭ, 2021

Курс повышения квалификации "Английский язык. Углубленное изучение General English с элементами языка общения в профессиональной сфере, уровень Intermediate", НИУ ВШЭ, 2021

Курс повышения квалификации "Предпринимательское мышление и поддержка предпринимательских проектов студентов", НИУ ВШЭ, 2021

Профессиональные интересы

гибридные наноструктуры наноструктуры квантоворазмерные структуры моды шепчущей галереи наноплазмоника и нанофотоника оптические микрорезонаторы микролазеры

Достижения и поощрения

Персональная надбавка ректора (2022–2023)
Надбавка за публикации, вносящие особый вклад в международную научную репутацию НИУ ВШЭ (2023–2025)
Надбавка за публикацию в журнале из Списка А (и приравненном к нему научном издании) (2024–2025)
Группа высокого профессионального потенциала (кадровый резерв НИУ ВШЭ)
Категория "Новые исследователи" (2021–2022)

Учебные курсы (2023/2024 уч. год)

Экспериментальные методы исследования свойств полупроводниковых наноструктур (Магистратура; где читается: Санкт-Петербургская школа физико-математических и компьютерных наук; 1-й курс, 1, 2 модуль)рус
Архив учебных курсов

Проекты

Проект РФФИ 20-52-04016 «Исследование дальних полей излучения высокодобротных микролазеров»

Проект РНФ 22-22-20057 «Исследование источников излучения в диапазоне 1,3 - 1,55 мкм на основе III-V наноструктур интегрированных в кремний»

Гранты

Грант Фонда содействия развитию малых форм предприятий в научно-технической сфере («УМНИК»)

Гранты Правительства Санкт-Петербурга 2015-2019

Информация^*

Общий стаж: 13 лет
Научно-педагогический стаж: 11 лет
Преподавательский стаж: 2 года

Данные выводятся в соответствии с требованиями приказа N 831 от 14 августа 2020 г. Федеральной службы по надзору в сфере образования и науки

23

авг.

2023

Эдуард Моисеев: «В лаборатории День сурка никогда не наступит»

Эдуард Моисеев работает в Международной лаборатории квантовой оптоэлектроники. Когда-то он поступил в университет по олимпиаде: выбрал физику, а не инженерное дело. Потом занялся исследованиями микролазеров и наноструктур и работает над ними по сей день. Для чего физикам программирование, чем интересна работа ученого и с чего начать научную карьеру — в интервью.

20

март

2023

Солнечные батареи, полупроводники, задачи по дифракции и лазерная гравировка HSE: чем запомнился День физика

18 марта в корпусе на Кантемировской прошел День физика. Ученики 10–11-х классов прослушали лекции о полупроводниковых лазерах и солнечных батареях от научных сотрудников Питерской Вышки и ФТИ имени А. Ф. Иоффе. Затем ребятам провели экскурсию по Международной лаборатории квантовой оптоэлектроники, некоторые получили лазерную гравировку HSE в подарок. Как прошел День физика — в репортаже.

27

апр.

2022

Физики Питерской Вышки исследуют интегрированные с кремнием наноструктуры. Почему это полезно

Сотрудники Международной лаборатории квантовой оптоэлектроники Питерской Вышки получили грантовую поддержку Российского научного фонда. Тема будущего исследования — источники излучения в диапазоне 1,3–1,55 мкм на основе III-V наноструктур, интегрированных в кремний.

14

янв.